Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Seebeck coefficient" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Seebeck coefficient measurement by Kelvin-probe force microscopy
Autorzy:
Ikeda, H.
Salleh, F.
Asai, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/384281.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Tematy:
Seebeck coefficient
Kelvin-probe force microscopy
nanostructure
Opis:
In order to measure the Seebeck coefficient of nanometer-scale thermoelectric materials, we propose a new technique in which the thermoelectric-motive force (TEMF) is evaluated by Kelvin-probe force microscopy (KFM). In this study, we measured the Seebeck coefficient of an n-type Si wafer. The surface-potential difference between the high- and low-temperature regions on the Si wafer increases with increasing temperature difference. This indicates that the TEMF can be measured by KFM. The Seebeck coefficient evaluated from the surface-potential difference is 0.71š0.08 mV/K, which is close to that obtained by the conventional method.
Źródło:
Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems; 2009, 3, 4; 49-51
1897-8649
2080-2145
Pojawia się w:
Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Impurity-concentration dependence of seebeck coefficient in silicon-on-insulator layers
Autorzy:
Salleh, F.
Asai, K.
Ishida, A.
Ikeda, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/385169.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Tematy:
Seebeck coefficient
ultrathin silicon-on-Insulator layers
nanostructure
impurity band
Opis:
We measured the Seebeck coefficient of P-doped ultrathin silicon-on-insulator (SOI) layers with thicknesses of 6-100 nm. The dependence of the coefficient on the impurity concentration was investigated, and was shown to be in good agreement with that of bulk Si. In addition, it was found to decrease with increasing impurity concentration, as is usual in semiconductor materials. However, for doping levels above 3.5x1019 cm-3, the Seebeck coefficient was observed to increase. This is likely to be due to the influence of an impurity band.
Źródło:
Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems; 2009, 3, 4; 134-136
1897-8649
2080-2145
Pojawia się w:
Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies