We measured the Seebeck coefficient of P-doped ultrathin silicon-on-insulator (SOI) layers with thicknesses of 6-100 nm. The dependence of the coefficient on the impurity concentration was investigated, and was shown to be in good agreement with that of bulk Si. In addition, it was found to decrease with increasing impurity concentration, as is usual in semiconductor materials. However, for doping levels above 3.5x1019 cm-3, the Seebeck coefficient was observed to increase. This is likely to be due to the influence of an impurity band.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00