Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Sadowski, A" wg kryterium: Autor


Tytuł:
Algorithms for Ship Movement Prediction for Location Data Compression
Autorzy:
Czapiewska, A.
Sadowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/116761.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Uniwersytet Morski w Gdyni. Wydział Nawigacyjny
Tematy:
Methods and Algorithms
Ship Movement, Ship Movement Prediction
Location
Location Data Compression
Autoregressive Model (AR)
Autoregressive Moving Average Model (ARMA)
AIS Data
Opis:
Due to safety reasons, the movement of ships on the sea, especially near the coast should be tracked, recorded and stored. However, the amount of vessels which trajectories should be tracked by authorized institutions, often in real time, is usually huge. What is more, many sources of vessels position data (radars, AIS) produces thousands of records describing route of each tracked object, but lots of that records are correlated due to limited dynamic of motion of ships which cannot change their speed and direction very quickly. In this situation it must be considered how many points of recorded trajectories really have to be remembered to recall the path of particular object. In this paper, authors propose three different methods for ship movement prediction, which explicitly decrease the amount of stored data. They also propose procedures which enable to reduce the number of transmitted data from observatory points to database, what may significantly reduce required bandwidth of radio communication in case of mobile observatory points, for example onboard radars.
Źródło:
TransNav : International Journal on Marine Navigation and Safety of Sea Transportation; 2015, 9, 1; 75-81
2083-6473
2083-6481
Pojawia się w:
TransNav : International Journal on Marine Navigation and Safety of Sea Transportation
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Growth Processes of ZnTe Epilayers Deposited by MBE on GaAs(100) Vicinal Surfaces - Studies by Static and Dynamic RHEED
Autorzy:
Sadowski, J.
Dziuba, Z.
Herman, M. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1932085.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.14.Hg
81.15.Gh
Opis:
Static and dynamic reflection high energy electron diffraction (RHEED) has been applied for studying the initial growth processes of ZnTe crystallized by molecular beam epitaxy (MBE) on vicinal surfaces of GaAs(100) substrates. Atomically smooth ZnTe epilayers have been grown by MBE when in situ thermal desorption of the substrate protecting oxide layer was performed in the ultra high vacuum environment of the vacuum growth chamber just before the growth of ZnTe started. By gradual increasing of the substrate temperature of the crystallized ZnTe epilayers from 300°C to 420°C, when recording the RHEED intensity oscillations at these and eleven intermittent temperatures, it has been shown that the transition from the 2D-nucleation growth mechanism to the step-flow growth mechanism of ZnTe occurs at 410°C. Measuring periods of RHEED intensity oscillations recorded during the MBE growth processes it has been demonstrated that the growth rate of ZnTe at constant fluxes of the constituent elements decreases with increasing temperature from 0.37 ML/s at 300°C to 0.22 ML/s at 400°C.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 225-228
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Arabidopsis thaliana MKKK18 is involved in abscisic acid signalling
Autorzy:
Mitula, F.
Tajdel, M.
Sadowski, J.
Ludwikow, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/81146.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
conference
Arabidopsis thaliana
abscisic acid
MAP kinase inhibitor
signal transduction
gfp gene
Źródło:
BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology; 2013, 94, 2
0860-7796
Pojawia się w:
BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pozostałości herbicydów w płodach rolnych i glebie
Herbicide residues in agricultural products and in the soil
Autorzy:
Grygiel, K.
Sadowski, J.
Snopczyński, T.
Wysocki, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/271398.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Górnośląska Wyższa Szkoła Pedagogiczna im. Kardynała Augusta Hlonda
Tematy:
herbicydy
pozostałości
gleba
rośliny uprawne
herbicides
residues
soil
arable crops
Opis:
Herbicydy są obecnie powszechnie stosowane w produkcji roślinnej. Stwarza to ryzyko obecności pozostałości substancji aktywnych między innymi w glebie i płodach rolnych. Substancje aktywne zalegające w glebie mogą powodować uszkodzenia wrażliwych roślin następczych lub zostać wymyte do wód gruntowych. Pozostałości obecne w plonie mogą wywierać niekorzystny efekt na zdrowie konsumentów. Pomimo, że w Polsce notowane są przypadki wykrywania pozostałości herbicydów w płodach rolnych to w zdecydowanej większości przypadków nie przekraczają one dopuszczalnych wartości. Niemniej jednak niezbędny jest stały i regularny monitoring prowadzony zgodnie ze standardami unijnymi.
Currently, herbicides are widely used in plant production. This leads to the risk of the occurrence of the active ingredients in the residues in the soil and in agricultural products. The presence of the active ingredients in the soil can cause damage to sensitive successive crops or may leach into groundwater. Residues in crops may have a detrimental effect on the health of consumers. Although in Poland there are cases of tracing the residuals of herbicides in agricultural products, in the great majority of cases, they do not exceed the acceptable values. However, constant monitoring of herbicide residuals is necessary, should be performed regularly and should meet EU standards.
Źródło:
Journal of Ecology and Health; 2012, R. 16, nr 4, 4; 159-163
2082-2634
Pojawia się w:
Journal of Ecology and Health
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
MBE Growth and Properties of ZnYbTe Layers
Autorzy:
Sadowski, J.
Szamota-Sadowska, K.
Świątek, K.
Kowalczyk, L.
Abounadi, A.
Rajira, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952684.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Gh
61.14.Hg
Opis:
The MBE grown ZnYbTe layers were characterized by X-ray diffraction, photoluminescence and reflectivity measurements. The MBE growth conditions allowing to obtain monocrystalline ZnYbTe layers were found to be metal-rich (MBE growth with excess of Zn flux). In optical measurements (photoluminescence, reflectivity), both transitions connected with ternary ZnYbTe compound and with Yb$\text{}^{3+}$ ions were detected. The quality of ZnYbTe layers with Yb content of 3% and 1% is inferior to the quality of pure ZnTe MBE layers, which is clearly seen in the results of photoluminescence and reflectivity measurements. In the ZnYbTe layers with 3% Yb, exhibiting monocrystalline character in reflection high-energy electron diffraction and X-ray diffraction measurements, optical transitions characteristic of pure YbTe were detected. In ZnYbTe layers with 1% Yb, no transitions connected with YbTe were observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1060-1064
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical Pump - Terahertz Probe Measurement of the Electron Dynamics in Ga$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$As
Autorzy:
Šustavičiūtė, R.
Balakauskas, S.
Adomavičius, R.
Krotkus, A.
Sadowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047687.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.65.Re
07.57.Hm
78.47.+p
75.50.Pp
Opis:
An optical pump - terahertz probe technique was used for measuring electron lifetime in various Ga$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$As epitaxial layers with the subpicosecond temporal resolution. The measurements were performed on the samples with x up to 2%, which had large resistivities and were transparent in a THz frequency range. It has been found that an induced THz absorption relaxation is the fastest and electron lifetimes are the shortest for the samples with the smallest Mn content. For the samples with x=0.3% and x=2% this relaxation becomes much slower; its rate is comparable to the carrier recombination rate in Ga$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$As substrate.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 311-314
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
FIB Method of Sectioning of III-V Core-Multi-Shell Nanowires for Analysis of Core/Sell Interfaces by High Resolution TEM
Autorzy:
Kret, S.
Kaleta, A.
Bilska, M.
Kurowska, B.
Siusys, A.
Dąbrowski, J.
Sadowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033031.pdf
Data publikacji:
2017-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
nanowires
HRTEM
STEM
EDS
FIB
GaAs
GaAlAs
Opis:
The core-multishell wurtzite structure (In,Ga)As-(Ga,Al)As-(Ga,Mn)As semiconductor nanowires have been successfully grown on GaAs(111)B substrates using MBE technique. The nanowires cores were grown with gold eutectic catalyser in vapour-liquid-solid growth mode. The double shell overgrowth, on the side facets of nanowires, was performed using lower substrate temperature (about 400°C, and 230°C, for (Ga,Al)As, and (Ga,Mn)As shell growth, respectively). The polytypic ordering, defects, chemistry and geometric perfection of the core and the shells have been analysed at atomic level by advanced transmission electron microscope techniques with the use of axial and longitudinal section of individual nanowires prepared by focused ion beam. High quality cross-sections suitable for quantitative transmission electron microscope analysis have been obtained and enabled analysis of interfaces between the core and the shells with near atomic resolution. All investigated shells are epitaxial without misfit dislocations at the interface. Some of the shells thicknesses are not symmetric, which is due to the shadowing effects of neighbouring nanowires and directional character of the elemental fluxes in the MBE growth process.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 131, 5; 1332-1335
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
MnAs Nanocrystals Embedded in GaAs
Autorzy:
Kwiatkowski, A.
Wasik, D.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Dłużewski, P.
Borysiuk, J.
Sadowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811951.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.20.-g
75.75.+a
Opis:
Magnetic properties of MnAs nanocrystals embedded in GaAs are analyzed in the frame of phenomenological model proposed by Sasaki for ferritin superparamagnets. Our calculations explain qualitatively experimental data of magnetization versus temperature, obtained according to zero-field-cooled and field-cooled protocols. They show dynamics of magnetization of MnAs nanocrystals in range of temperature from 10 K to 320 K. There is transition from state in which very slow dynamics is observed (frozen state) to state in which dynamics is fast (quasi-superparamagnetic state).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1207-1211
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
MnAs Nanocrystals Embedded in GaAs
Autorzy:
Kwiatkowski, A.
Borysiuk, J.
Bożek, R.
Wasik, D.
Kamińska, M.
Sadowski, J.
Twardowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046925.pdf
Data publikacji:
2006-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.46.+w
61.82.Fk
68.37.Rt
68.37.Lp
74.25.Ha
Opis:
We report on cross-sectional transmission electron microscopy and magnetic force microscopy studies performed on self-organized MnAs nanoclusters embedded in GaAs. It was found that 10÷20 nm large MnAs ferromagnetic nanocrystals were formed during rapid thermal annealing of Ga$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$As layers at 600ºC, leading to magnetic contrasts in magnetic force microscopy images.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 233-236
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
System automatycznej lokalizacji osób do zastosowań specjalnych
System for automatic location of person for special applications
Autorzy:
Katulski, R.
Magiera, J.
Sadowski, J.
Siwicki, W.
Stefański, J.
Studańska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/222146.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Akademia Marynarki Wojennej. Wydział Dowodzenia i Operacji Morskich
Tematy:
radiolokalizowanie
lokalizacja wewnątrzbudynkowa
technika ultraszerokopasmowa
radiolocating
indor-localization
ultra-broadband technology
Opis:
W artykule opisano założenia funkcjonalne i budowę demonstratora technologicznego systemu do lokalizacji osób wewnątrz budynków. Przedstawiono poszczególne węzły sieci radiowej służącej do określania pozycji osób wraz z wyszczególnieniem najważniejszych podzespołów tych węzłów, a także funkcjonowanie całego systemu i możliwości jego dalszej rozbudowy.
This article presents a concept and structure of indoor positioning system technology demonstrator. Stationary and mobile nodes used for determining position of persons in buildings are described with details about their main components and functioning of whole system. The possibilities of further developments are also briefly referred to.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Akademii Marynarki Wojennej; 2012, R. 53 nr 4 (191), 4 (191); 51-62
0860-889X
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Akademii Marynarki Wojennej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fermi Level Position in GaMnAs - a Thermoelectric Study
Autorzy:
Osinniy, V.
Jędrzejczak, A.
Arciszewska, M.
Dobrowolski, W.
Story, T.
Sadowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2027483.pdf
Data publikacji:
2001-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.20.Ck
75.30.Et
73.50.-h
Opis:
Thermoelectric power was studied in the temperature range 100≤ T≤300 K in 0.3-1μm thick ferromagnetic Ga$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$As epitaxial layers (0.015≤ x≤0.06) in order to determine Fermi energy E$\text{}_{F}$ and carrier concentration p. For 0.015≤ x≤0.05, at T=273 K we find E$\text{}_{F}$=275±50 meV and p=(2.5± 0.5)×10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$ (approximately Mn content independent). For x= 0.06, the Fermi energy decreases by about 100 meV with the corresponding reduction of hole concentration to p=1.2×10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$. At T=120 K, these parameters vary between E$\text{}_{F}$=380 meV and p=3.5×10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$ for x=0.015 to E$\text{}_{F}$=110 meV and p=5×10$\text{}^{19}$ cm$\text{}^{-3}$ for x=0.06.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 3; 327-334
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Bistability of (Ga,Mn)As Ferromagnetic Nanostructures Due to the Domain Walls Switching
Autorzy:
Andrearczyk, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Figielski, T.
Wróbel, J.
Sadowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791342.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.50.Jt
75.50.Pp
75.30.Gw
75.60.Ch
85.75.-d
Opis:
We designed and investigated four-arm nanostructures, composed of two perpendicularly crossed stripes, fabricated from ferromagnetic (Ga,Mn)As layer by means of electron-beam lithography patterning and chemical etching. The nanostructures exhibit a bistable resistance behavior resulting from two configurations of magnetic domain walls in the central part of the structures. We demonstrate a possibility of switching between two stable resistance states in zero magnetic field by applying a pulse of either weak magnetic field or electric current through the structure.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 901-903
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pressure Variation of the Strain State of MnAs Nanoclusters Embedded in GaAs
Autorzy:
Bak-Misiuk, J.
Dynowska, E.
Romanowski, P.
Misiuk, A.
Sadowski, J.
Caliebe, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1431599.pdf
Data publikacji:
2012-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.05.cp
75.50.Pp
81.40.Vw
Opis:
Granular GaAs:(Mn,Ga)As films were prepared by annealing at 500°C under ambient and enhanced hydrostatic pressure (1.1 GPa), of $Ga_{1-x}Mn_xAs//GaAs$ layers (x = 0.025, 0.03, 0.04, 0.05 and 0.063) grown at 230°C by molecular beam epitaxy method. Distinct influence of enhanced hydrostatic pressure applied during sample annealing on strain state of inclusions was found. An increase of lattice distortion and of strain of inclusions for the samples treated under hydrostatic pressure is related to different bulk moduli of GaAs and of MnAs
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 903-905
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Planar Hall Effect in Ferromagnetic (Ga,Mn)As/GaAs Superlattices
Autorzy:
Wesela, W.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Figielski, T.
Sadowski, J.
Terki, F.
Charar, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047701.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.50.Jt
75.50.Pp
75.30.Gw
85.75.-d
Opis:
The planar Hall effect was used for investigation of magnetic anisotropy in short period (Ga,Mn)As/GaAs superlattices epitaxially grown on (001) oriented GaAs substrate. The results confirmed the existence of low-temperature magnetocrystalline anisotropy in the superlattices with the easy magnetic axes directed along the two in-plane 〈100〉 directions. Attention is paid to the two-state behaviour of the planar Hall resistance at zero magnetic field that provides its usefulness for applications in non-volatile memory devices.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 369-373
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetotransport through Nanoconstriction in Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As
Autorzy:
Figielski, T.
Wosiński, T.
Pelya, O.
Sadowski, J.
Morawski, A.
Mąkosa, A.
Dobrowolski, W.
Jagielski, J.
Wróbel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035752.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.63.-b
75.60.-d
73.20.Fz
Opis:
We studied narrow (submicron) constrictions in the layers of ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As. We have demonstrated a contribution of the quantum localization effects to the magnetoresistance of the constricted samples. We have also found a negative contribution of a domain wall trapped in the constriction to the resistance, due presumably to the erasing of the localization effects by the domain wall.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 525-531
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies