Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Paprocki, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Badanie jakościowe materiałów węglowych za pomocą spektroskopii Ramana
    Autorzy:
    Dychalska, A.
    Paprocki, K.
    Fabisiak, K.
    Szybowicz, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/273799.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Roble
    Tematy:
    węgiel diamentopodobny
    DLC
    spektroskopia Ramana
    diamond-like carbon
    Raman spectroscopy
    Opis:
    Praca ta prezentuje możliwość zastosowania spektroskopii Ramana do badań jakościowych materiałów węglowych typu DLC (diamond-like carbon). Badania zmiany parametrów spektralnych pasm charakterystycznych D i G w zakresie od temperatury pokojowej do 300°C umożliwiły obserwację wpływu procesu wygrzewania na przechodzenie materiału z formy węgla amorficznego do formy zbliżonej do nanokrystalicznego grafitu.
    Źródło:
    LAB Laboratoria, Aparatura, Badania; 2016, 21, 5; 6-7
    1427-5619
    Pojawia się w:
    LAB Laboratoria, Aparatura, Badania
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electrochemical Impedance Spectroscopy Studies of HF CVD Diamond Films
    Autorzy:
    Kowalska, M.
    Fabisiak, K.
    Wrzyszczyński, A.
    Szybowicz, M.
    Paprocki, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1401916.pdf
    Data publikacji:
    2015-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.Uw
    81.07.-b
    78.66.-w
    Opis:
    Diamond films were synthesized by a hot filament vapor deposition method using H₂/CH₄ gas mixtures. A Hioki impedance analyzer was used to study the dielectric properties of the deposited diamond films. The dielectric dispersion measurement yielded the real and imaginary parts of impedance of diamond films in the form of a Nyquist plot in a complex plane. The obtained results were fitted by using equivalent circuit which consists of three impedance (Z) components containing resistor R and capacitor C or constant phase element connected in parallel. The structure and quality of diamond films were analyzed by scanning electron microscopy and the Raman spectroscopy. The impedance measurements showed that concentration of non-diamond admixture has essential influence on electrochemical properties of diamond layers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 3; 447-451
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Structural and Electrical Characterization of Undoped Diamond Layer Grown by HF CVD
    Autorzy:
    Banaszak-Piechowska, A.
    Paprocki, K.
    Fabisiak, K.
    Dudkowiak, A.
    Szybowicz, M.
    Staryga, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1032579.pdf
    Data publikacji:
    2017-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.05.cp
    81.05.ug
    73.50.Gr
    73.61.-r
    Opis:
    The undoped diamond layers were prepared using hot filament chemical vapor deposition technique. The controlled variation of the deposition parameters resulted in the layers with varying amount of nondiamond impurities. Routine characterization of the layers was carried out using scanning electron microscopy, X-ray diffractometry, and the Raman spectroscopy. Detailed measurements of room temperature electrical conductivity (σ₃₀₀), current-voltage characteristics have yielded useful information about the electrical conduction mechanism in this interesting material. The σ₃₀₀ and I-V characteristic measurements were done in sandwiched configuration taking care off the surface effects. The diamond shows room temperature dc conductivity reaching the values in the range of σ₃₀₀ ≈0.1-1 μS/cm. The I-V characteristics in these layers show space charge limited conduction behavior with I ~ V² in high voltage region. The obtained results are explained in terms of chemically adsorbed hydrogen on the surface of diamond layers, which is a source of acceptor states just above the top of valence band.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 4; 1411-1414
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies