Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Grodzicki, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Formation of Cr ohmic contact on graphitized 6H-SiC(0001) surface
Autorzy:
Grodzicki, M
Mazur, P
Wasielewski, R
Ciszewski, A
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/173424.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
silicon carbide
chromium
electric contacts
graphitization
Opis:
Ohmic electrical contacts were formed at room temperature on n-type, Si-oriented 6H-SiC substrates, with Cr layers vapor-deposited under ultra-high vacuum conditions on the samples being graphitized prior to the deposition. The contacts reveal a very good linearity of the local I–V characteristics. This method of ohmic contact formation does not require the use of samples with high doping concentration and the application of high-temperature annealing during the processing of contacts. Results of characterization of the contacts and of the in situ graphitization process of the SiC substrates, obtained by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), low energy electron diffraction (LEED) and atomic force microscopy (AFM) with conducting tip, are given in this paper.
Źródło:
Optica Applicata; 2013, 43, 1; 91-98
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
TiO2 thin films grown on SiO2–Si(111) by the reactive evaporation method
Autorzy:
Grodzicki, M
Wasielewski, R
Mazur, P
Zuber, S
Ciszewski, A
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/173459.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
titanium oxide
wettability
X-ray photoelectron spectroscopy
UV radiation
Opis:
TiO2 thin films were grown on silicon substrates using an electron-beam evaporator. Grainy TiO was used as the evaporation material. Temperature substrate during TiO2 growth was relatively low (about 150 °C), what is important for many optoelectronic devices and multilayers mirrors. High vacuum condition allows to maintain clean surfaces substrates before and during oxide growth. The morphology of titanium oxide thin films was ex situ investigated using atomic force microscopy operating in contact mode, X-ray photoelectron spectroscopy, X-ray powder diffractometry, and by means of a contact angle analyzer. The influence of annealing treatment and exposure to UV–VIS radiation on the morphology has been also discussed.
Źródło:
Optica Applicata; 2013, 43, 1; 99-107
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies