Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Kowalewski, J." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Calculations of Dark Current in Interband Cascade Type-II Infrared InAs/GaSb Superlattice Detector
Autorzy:
Hackiewicz, K.
Martyniuk, P.
Rutkowski, J.
Kowalewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1032582.pdf
Data publikacji:
2017-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Mn
73.61.Ey
78.30.Fs
85.60.Bt
85.60.Gz
Opis:
In this paper we investigate interband cascade type-II mid-wavelength infrared InAs/GaSb superlattice detector in temperature range from 200 K to 300 K. The paper is based on the theoretical calculation of dark current treated as a sum of two components: average bulk current and average leakage current, flowing through the device. The average leakage current results from a comparison of theoretically calculated bulk current and measured one. We show that it is possible to fit theoretical model to experimental data, assuming that transport in absorber is determined by the dynamics of the intrinsic carriers. Based on the fit we estimated carrier lifetime greater than 100 ns in temperature range 200-300 K.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 4; 1415-1419
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mid-wave InAs/GaSb superlattice barrier infrared detectors with nBnN and pBnN design
Autorzy:
Gomółka, E.
Markowska, O.
Kopytko, M.
Kowalewski, A.
Martyniuk, P.
Rogalski, A.
Rutkowski, J.
Motyka, M.
Krishna, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201992.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
InAs/GaSb type-II superlattices
infrared detectors
barrier detectors
nBn detector
p-i-n detector
InAs
GaSb
detektory podczerwieni
detektor bariery
detektor nBn
detektory p-i-n
Opis:
We present an investigation of optical and electrical properties of mid-wavelength infrared (MWIR) detectors based on InAs/GaSb strained layer superlattices (SLs) with nBnN and pBnN design. The temperature-dependent behavior of the bandgap was investigated on the basis of absorption measurements. A 50% cut-off wavelength of around 4.5 μm at 80 K and increase of up to 5.6 μm at 290 K was found. Values of Varshni parameters, zero temperature bandgap E0 and empirical coefficients α and β were extracted. Arrhenius plots of dark currents of nBnN and pBnN detectors were compared with the p-i-n design. Dark current density reduction in nBnN and pBnN detectors is observed in comparison to the p-i-n device. This shows a suppression of Shockley-Read-Hall (SRH) processes by means of introducing barrier architecture.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2018, 66, 3; 317-323
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fast Response Hot (111) HGCDTE MWIR Detectors
Autorzy:
Grodecki, K.
Martyniuk, P.
Kopytko, M.
Kowalewski, A.
Stępień, D.
Kębłowski, A.
Piotrowski, A.
Piotrowski, J.
Gawron, W.
Rogalski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221254.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
HgCdTe
MWIR
photodetector
response time
Opis:
In this work we report simulation and experimental results for an MWIR HgCdTe photodetector designed by computer simulation and fabricated in a joint laboratory run by VIGO Sytems S.A. and Military University of Technology. The device is based on a modified N+pP+ heterostructure grown on 2”., epiready, semi-insulating (100) GaAs substrates in a horizontal MOCVD AIX 200 reactor. The devices were examined by measurements of spectral and time responses as a function of a bias voltage and operating temperatures. The time response was measured with an Optical Parametric Oscillator (OPO) as the source of ~25 ps pulses of infrared radiation, tuneable in a 1.55–16 μm spectral range. Two-stage Peltier cooled devices (230 K) with a 4.1 μm cut-off wavelength were characterized by 1.6 × 1012 cm Hz1/2/W peak detectivity and < 1 ns time constant for V > 500 mV.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2017, 24, 3; 509-514
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies