Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Leszczyński, P." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 16
Tytuł:
Design station for fault tolerant control systems
Stanowisko projektowania systemów sterowania tolerujących uszkodzenia
Autorzy:
Wasiewicz, P.
Leszczyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/258270.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Eksploatacji - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
sterowanie tolerujące uszkodzenia
FTC
zabezpieczenia systemu
rekonfiguracja systemu
detekcja i lokalizacja uszkodzeń
FDI
fault tolerant control
system protection
system reconfiguration
fault detection and isolation
Opis:
The presented station prepared for the design of fault tolerant control (FTC) systems has been created in the Institute of Automatic Control and Robotics at Warsaw University of Technology. It consists of the hydraulic installation equipped with Emerson's instrumentation, DeltaV-control system and AMandD-advanced monitoring and diagnostic system. The fault tolerance of certain sensors, controllers, actuators, and process components can be achieved by the use of functional redundancy, which consists in the performance of appropriate changes in the operation manner of the faulty system. The various industrial FTC applications and new diagnostic-protection algorithms can be developed on the basis of considered station.
Zaprezentowano stanowisko do projektowania systemów sterowania tolerujących uszkodzenia (FTC) opracowane i zrealizowane w Instytucie Automatyki i Robotyki Politechniki Warszawskiej. Składa się ono z instalacji hydraulicznej wyposażonej w oprzyrządowanie firmy Emerson, system sterowania Delta V oraz zaawansowany system monitorowania i diagnostyki procesów AMandD. Tolerowanie uszkodzeń urządzeń pomiarowych i wykonawczych oraz elementów instalacji technologicznej jest osiągane poprzez zastosowanie redundancji funkcjonalnej polegającej na dokonywaniu odpowiednich zmian w sposobie działania uszkodzonego systemu. Stanowisko umożliwia przygotowywanie przemysłowych aplikacji systemów FTC oraz opracowywanie nowych algorytmów diagnostyczno-zabezpieczających.
Źródło:
Problemy Eksploatacji; 2006, 2; 99-111
1232-9312
Pojawia się w:
Problemy Eksploatacji
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Rozpoznanie możliwości opracowania nowej metody wykrywania procesów starzeniowych w paliwach ciekłych
Exploration of the possibilities of development the new method for aging processes detection in liquid fuels
Autorzy:
Kalwas, J.
Bukrejewski, P.
Leszczyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/270276.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Centralny Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Aparatury Badawczej i Dydaktycznej, COBRABiD
Tematy:
paliwa płynne
jakość produktu
metody kontroli
starzenie się paliwa
magazynowanie długoterminowe
liquid fuels
product quality
control methods
ageing of fuel
long-term storage
Opis:
Opisano wstępne próby pomiaru wybranych próbek paliw będących w różnych stadiach procesów starzeniowych. Celem pracy było wyznaczenie nowych metod możliwości detekcji procesów starzeniowych w długoterminowo magazynowanych paliwach płynnych. Nowe metody detekcji powinny umożliwiać opracowanie prostszej aparatury niż ta, która jest wykorzystywana podczas badań określonych normami.
The trial measurement experiments of selected liquid fuels which have different ageing conditions were described. The main aim of this work was determination of new methods of detection of ageing processes in long term storaged liquid fuels. The new methods of detection should enable elaboration of less complicated apparatus than standard one.
Źródło:
Aparatura Badawcza i Dydaktyczna; 2016, 21, 4; 230-237
2392-1765
Pojawia się w:
Aparatura Badawcza i Dydaktyczna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stanowisko do spawania liniowego z dodatkowym chłodzeniem mikrostrumieniowym
Stand for linear welding with additional micro-jet cooling
Autorzy:
Piotrowicz, P.
Kalwas, J.
Leszczyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/270900.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Centralny Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Aparatury Badawczej i Dydaktycznej, COBRABiD
Tematy:
spawanie
chłodzenie mikrojetowe
Hardox
odporność na ścieranie
welding
micro-jet cooling
abrasion resistance
Opis:
W pracy przedstawiono stanowisko badawcze do spawania liniowego z zastosowaniem dodatkowego chłodzenia za pomocą mikrostrumieni (mikrojetów). Stanowisko spawalnicze posłużyło do badań innowacyjnej technologii spawania z wymuszonym chłodzeniem mikrostrumieniowym w celu poprawy własności mechanicznych i struktury połączeń spawanych stali trudnościeralnej Hardox 450. Otrzymane wyniki badań wskazują na nowe możliwości zastosowania procesu chłodzenia mikrostrumieniowego w przypadku spawania stali o strukturze martenzytycznej, co pozwala na ograniczenie niepożądanych spadków twardość w strefie wpływu ciepła (SWC), a w efekcie końcowym wpływa to na poprawę własności tribologicznych konstrukcji spawanych.
The paper presents the apparatus for linear welding with micro-jet cooling. Welding apparatus was used to research innovative welding technology with micro-jet cooling to improve the mechanical properties and structure of welded joints abrasion resistant steel Hardox 450. Research results indicate new possibilities of using the micro-jet cooling process in the case of welding steel with a martensitic structure, which allows reducing the undesirable dips hardness in the heat affected zone (HAZ), and as a result improves the tribological properties of welded structures.
Źródło:
Aparatura Badawcza i Dydaktyczna; 2018, 23, 4; 158-163
2392-1765
Pojawia się w:
Aparatura Badawcza i Dydaktyczna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Chłodzenie mikroelektroniki z wykorzystaniem mikrostrumieni
Cooling of microelectronics using microjets
Autorzy:
Rusowicz, A.
Baranowski, P. A.
Leszczyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/270928.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Centralny Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Aparatury Badawczej i Dydaktycznej, COBRABiD
Tematy:
chłodzenie
wymiana ciepła
mikrostrumienie
mikroprocesor
cooling
heat transfer
microjets
microprocessor
Opis:
Rozwój elektroniki, którego celem jest wzrost funkcjonalności urządzeń elektronicznych, polega na zwiększaniu upakowania tranzystorów w układach scalonych oraz zwiększaniu szybkości taktowania, czyli liczby elementarnych operacji wykonywanych w ciągu sekundy. Osiągnięciu założonego celu towarzyszy narastający problem o charakterze cieplnym. Każde przełączenie stanu logicznego na elementarnym poziomie układu scalonego jest związane z generacją ciepła. Duża liczba tranzystorów oraz duże szybkości taktowania prowadzą do wzrostu strumienia ciepła wydzielanego w mikroprocesorze do poziomu, przy którym konieczne jest jego intensywne chłodzenie, w przeciwnym razie nastąpi jego przegrzanie. W pracy przedstawiono chłodzenie elementów mikroelektronicznych z wykorzystaniem mikrostrumieni.
The development of electronics, which aims to increase the functionality of electronic devices is increasing the packing of transistors on a chip and increasing clock speed, which is the number of elementary operations per second. To achieve the objective pursued is accompanied by the growing problem of thermal nature. Each switch logic state at the elementary level, the integrated circuit is associated with the generation of heat. A large number of transistors and high clock speeds lead to higher heat flux emitted by the microprocessor to a level where it needs to be intensively cooled, otherwise it will overheat. This paper presents the cooling microelectronic components using microjets.
Źródło:
Aparatura Badawcza i Dydaktyczna; 2014, 19, 2; 135-139
2392-1765
Pojawia się w:
Aparatura Badawcza i Dydaktyczna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stanowisko pomiarowe do wyznaczania współczynników przejmowania ciepła pomiędzy powierzchnią a mikrostrumieniami
Measuring stand to determine of heat transfer coefficients between the surface and microjets
Autorzy:
Rusowicz, A.
Pospiech, E.
Baranowski, P. A.
Leszczyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/271350.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Centralny Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Aparatury Badawczej i Dydaktycznej, COBRABiD
Tematy:
chłodzenie
mikrostrugi
współczynnik przejmowania ciepła
cooling
microjets
heat transfer coefficient
Opis:
W pracy przedstawiono stanowisko badawcze do wyznaczania współczynników przejmowania ciepła. Transport ciepła możliwy jest pomiędzy płynem a nagrzewaną powierzchnią, płyn podawany jest z głowicy mikrostrumieniowej. W ramach stanowiska możliwa jest zmiana geometrii mikrostrumieni w analizowanej głowicy. Na stanowisku możliwe jest sterowanie strumieniem ciepła wydzielanego z powierzchni oraz zmiana parametrów cieplno-przepływowych płynu podawanego do głowicy mikrostrumieniowej.
The paper presents the investigations to determine the heat transfer coefficients. Heat transfer is possible between the fluid and the heating of the surface. The liquid is fed from the micro-jet head. It is possible to change the geometry of the analyzed micro-jet head. The position can be controlled heat flux emitted from the surface and change the parameters of thermal-hydraulic fluid supplied to the micro-jet head.
Źródło:
Aparatura Badawcza i Dydaktyczna; 2013, 18, 3; 253-258
2392-1765
Pojawia się w:
Aparatura Badawcza i Dydaktyczna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Poprawa efektywności schładzania schabu wieprzowego
Improvement of the efficiency of cooling the pork loin
Autorzy:
Rusowicz, A.
Pospiech, E.
Baranowski, P. A.
Grzebielec, A.
Leszczyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/270635.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Centralny Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Aparatury Badawczej i Dydaktycznej, COBRABiD
Tematy:
schładzanie
mikrostrumienie
mięso wieprzowe
wymiana ciepła
chilling
microjets
meat pork
heat transfer
Opis:
W pracy przedstawiono zastosowanie mikrostrumieni do chłodzenia mięsa pochodzącego ze schabu wieprzowego. Porównano szybkość chłodzenia w stosunku do chłodzenia owiewowego w komorze chłodniczej. Wykazano korzyści energetyczne przy chłodzeniu mięsa przejawiające się skróceniem czasu chłodzenia i zwiększeniem współczynnika efektywności chłodniczej dla dwóch popularnych czynników chłodniczych R134a i R717.
This paper describes the use of microjets to cool the meat of pork loin. Waft cooling rate compared to the cooling rate for cooling in the refrigerator. It has been shown in cooling energy benefits of meat manifested in shorter cooling time and increase cooling efficiency ratio for two popular refrigerants R134a and R717.
Źródło:
Aparatura Badawcza i Dydaktyczna; 2014, 19, 1; 41-45
2392-1765
Pojawia się w:
Aparatura Badawcza i Dydaktyczna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Application of High Pressure in Physics and Technology of III-V Nitrides
Autorzy:
Grzegory, I.
Leszczyński, M.
Krukowski, S.
Perlin, P.
Suski, T.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030388.pdf
Data publikacji:
2001-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.-h
78.66.Fd
73.61.Ey
82.60.Lf
78.55.Cr
Opis:
Due to high bonding energy of N$\text{}_{2}$ molecule, the III-V semiconducting nitrides, especially GaN and InN require high N$\text{}_{2}$ pressure to be stable at high temperatures necessary for growth of high quality single crystals. Physical properties of GaN-Ga(l)-N$\text{}_{2}$ system are discussed in the paper. On the basis of the experimental equilibrium p-T-x data and the quantum-mechanical modeling of interaction of N$\text{}_{2}$ molecule with liquid Ga surface, the conditions for crystallization of GaN were established. The crystals obtained under high pressure are of the best structural quality, having dislocation density as low as 10-100 cm$\text{}^{-2}$ which is several orders of magnitude better than in any other crystals of GaN. The method allows to grow both n-type substrate crystals for optoelectronics and highly resistive crystals for electronic applications. The physical properties of the pressure grown GaN measured to characterize both point defects and extended defects in the crystal lattice are discussed in the paper. A special attention is paid to the application of high pressure to reveal the nature of the point defects in the crystals and electric fields in GaN-based quantum structures. Due to their very high structural quality, the pressure grown crystals are excellent substrates for epitaxial growth of quantum structures. It opens new possibilities for optoelectronic devices, especially short wavelength high power lasers and efficient UV light emitting diodes. This is due to the strong reduction in dislocation densities in relation to existing structures (10$\text{}^{6}$-10$\text{}^{8}$ cm$\text{}^{-2}$) which are grown on strongly mismatched sapphire and SiC substrates. The experimental results on the epitaxial growth and physical properties of GaN-based device structures supporting above conclusions are discussed in the paper. The current development of blue laser technology in High Pressure Research Center is shortly reviewed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2001, 100, Supplement; 57-109
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Pressure Freeze-out of Electrons in Undoped GaN Crystal. Proof of Existence of Resonant Donor State (Nitrogen Vacancy)
Autorzy:
Perlin, P.
Teisseyre, H.
Suski, T.
Leszczyński, M.
Grzegory, I.
Jun, J.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931916.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
71.55.Eq
Opis:
We investigated free carriers related optical absorption in GaN in hydrostatic pressures up to 30 GPa. The disappearance of this absorption at pressures close to 18 GPa was explained by trapping electrons resulting from the shift of nitrogen vacancy related donor level into the GaN energy gap at high pressure. We estimated the energetic position of this level at atmospheric pressure to be about 0.8 eV above the conduction band minimum.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 141-143
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Light Emission Properties of GaN-Based Laser Diode Structures
Autorzy:
Godlewski, M.
Phillips, M. R.
Czernecki, R.
Targowski, G.
Perlin, P.
Leszczyński, M.
Figge, S.
Hommel, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2043715.pdf
Data publikacji:
2005-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.30.-z
78.60.Hk
68.37.Hk
Opis:
Cathodoluminescence is applied for evaluation of in-depth and in-plane variations of light emission from two types of GaN-based laser diode structures. We evaluate in-depth properties of the laser diode emission and demonstrate that potential fluctuations still affect emission of laser diodes for e-beam currents above thresholds for a stimulated emission.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 675-680
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Power Continuous Wave Blue InAlGaN Laser Diodes Made by Plasma Assisted MBE
Autorzy:
Skierbiszewski, C.
Siekacz, M.
Wiśniewski, P.
Perlin, P.
Feduniewicz-Żmuda, A.
Cywiński, G.
Smalc, J.
Grzanka, S.
Grzegory, I.
Leszczyński, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047002.pdf
Data publikacji:
2006-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
85.35.Be
42.60.By
73.21.Cd
Opis:
Room temperature, continuous wave operation of InGaN multi-quantum wells laser diodes made by rf plasma assisted molecular beam epitaxy at 411 nm wavelength is demonstrated. The threshold current density and voltage were 4.2 kA/cm$\text{}^{2}$ and 5.3 V, respectively. High optical power output of 60 mW was achieved. The lifetime of these laser diodes exceeds 5 h with 2 mW of optical output power. The laser diodes are fabricated on low dislocation density bulk GaN substrates, at growth conditions which resembles liquid phase epitaxy. We demonstrate that relatively low growth temperatures (600-700°C) pose no intrinsic limitations for fabrication of nitride optoelectronic components by plasma assisted molecular beam epitaxy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 3; 345-351
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Epitaxial Layers Versus Bulk Single Crystals of GaN. Temperature Studies of Lattice Parameters and Energy Gap
Autorzy:
Teisseyre, H.
Perlin, P.
Leszczyński, M.
Suski, T.
Dmowski, L.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Jun, J.
Moustakas, T. D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1873040.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
65.70.+y
78.50.Ge
78.66.Fd
Opis:
Gallium nitride epitaxial layer grown by molecular beam epitaxy and bulk crystal grown at high pressure were examined by using X-ray diffraction methods, and by optical absorption at a wide temperature range. The free electron concentration was 6 × 10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$ for the layer and about 5 × 10$\text{}^{19}$ cm$\text{}^{-3}$ for the bulk crystal. The experiments revealed a different position of the absorption edge and its temperature dependence for these two kinds of samples. The structural examinations proved a significantly higher crystallographic quality of the bulk sample. However, the lattice constants of the samples were nearly the same. This indicated that a rather different electron concentration was responsible for the different optical properties via Burstein-Moss effect.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 403-406
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Luminescence in Highly Excited InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Grown on GaN and Sapphire Substrates
Autorzy:
Miasojedovas, S.
Juršėnas, S.
Kurilčik, G.
Žukauskas, A.
Ivanov, V. Yu.
Godlewski, M.
Leszczyński, M.
Perlin, P.
Suski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038288.pdf
Data publikacji:
2004-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.45.+h
78.47.+p
78.67.De
Opis:
We report on high-excitation luminescence spectroscopy in In$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$N/GaN multiple quantum wells grown by MOCVD over sapphire and bulk GaN substrates. High excitation conditions enabled us to achieve a screening of the built-in field by free carriers. This allowed for the evaluation of the influence of band potential fluctuations due to the variation in In-content on efficiency of spontaneous and stimulated emission. InGaN/GaN multiple quantum wells grown on bulk GaN substrate exhibit a significantly lower stimulated emission threshold and thus enhanced lateral emission. Transient and dynamic properties of luminescence indicate a significant reduction in compositional disorder in homoepitaxially grown structures
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 2; 273-279
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Polarity Related Problems in Growth of GaN Homoepitaxial Layers
Autorzy:
Leszczyński, M.
Prystawko, P.
Śliwinski, A.
Suski, T.
Litwin-Staszewska, E.
Porowski, S.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Beaumont, B.
Gibart, P.
Barski, A.
Langer, R.
Knap, W.
Frayssinet, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1991873.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Vv
65.70.+y
Opis:
Homoepitaxial layers of GaN were grown by metalorganic chemical vapour deposition on single crystals obtained by high-pressure, high-temperature technology. For each metalorganic chemical vapour deposition run, four samples were placed, (00.1) and (00.1̲) faces of the Mg-doped insulating and undoped highly-conductive substrates. The layers were examined using X-ray diffraction, photoluminescence and far-infrared reflectivity. It was found that the (00.1̲) easier incorporates donors resulting in higher free-electron concentrations in the layers grown on these sides of the crystals, both, undoped and Mg-doped.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 427-430
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stimulated Emission from the MBE Grown Homoepitaxial InGaN Based Multiple Quantum Wells Structures
Autorzy:
Ivanov, V.
Godlewski, M.
Miasojedovas, S.
Juršėnas, S.
Kazlauskas, K.
Žukauskas, A.
Skierbiszewski, C.
Siekacz, M.
Leszczyński, M.
Perlin, P.
Suski, T.
Grzegory, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1179597.pdf
Data publikacji:
2005-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
73.21.Fg
72.20.Jv
78.47.+p
Opis:
We report on photoluminescence characterization of InGaN based laser structures grown by homoepitaxial radio frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy. Owing to Si doped barriers, the structures show a negligible impact of the built-in electric field, which was proved by excitation intensity dependent and quantum well width dependent luminescence experiments. Relatively low variation in band potential due to inhomogeneous distribution of In was quantitatively estimated from the photoluminescence temperature behavior using Monte Carlo simulation of in-plane carrier hopping and optically detected cyclotron resonance experiments. Efficient stimulated emission with a low threshold for optically pumped laser structures was observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 225-229
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Resistivity GaN Single Crystalline Substrates
Autorzy:
Porowski, S.
Boćkowski, M.
Łucznik, B.
Grzegory, I.
Wróblewski, M.
Teisseyre, H.
Leszczyński, M.
Litwin-Staszewska, E.
Suski, T.
Trautman, P.
Pakuła, K.
Baranowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968415.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
72.80.Ey
Opis:
High resistivity 10$\text{}^{4}$-10$\text{}^{6}$ Ω cm (300 K) GaN single crystals were obtained by solution growth under high N$\text{}_{2}$ pressure from melted Ga with 0.1-0.5at.% of Mg. Properties of these crystals are compared with properties of conductive crystals grown by a similar method from pure Ga melt. In particular, it is shown that Mg-doped GaN crystals have better structural quality in terms of FWHM of X-ray rocking curve and low angle boundaries. Temperature dependence of electrical resistivity suggests hopping mechanism of conductivity. It is also shown that strain free GaN homoepitaxial layers can be grown on the Mg-doped GaN substrates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 958-962
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 16

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies