Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Bugajski, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    The role of photoluminescence excitation spectroscopy in investigation of quantum cascade lasers properties
    Autorzy:
    Wójcik-Jedlińska, A.
    Gradkowski, K.
    Kosiel, K.
    Bugajski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/378431.pdf
    Data publikacji:
    2006
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
    Tematy:
    lasery
    AlGaAs
    lasery kaskadowe
    fotoluminescencja
    modelowanie numeryczne
    spektroskopa
    lasers
    Quantum Cascade Laser (QCL)
    photoluminescence
    numerical simulations
    spectroscopy
    Opis:
    The properties of quantum cascade laser (QCL) structures have been investigated by optical technique based on spontaneous emission measurements: photoluminescence excitation (PLE) spectroscopy. Three types of test structures used for obtaining final QCL device were examined , i.e., single sequence of coupled quantum wells, which form an active region of the device, 30 sequences of this active region separated by 25 nm thick AlGaAs barriers and finally complete, undoped structure consisting of 30 of sequences repeated active regions and superlattice injectors. The results has been compared with numerical simulations. The role of such measurements has also been discussed.
    Źródło:
    Electron Technology : Internet Journal; 2005-2006, 37/38, 10; 1-4
    1897-2381
    Pojawia się w:
    Electron Technology : Internet Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The influence of MBE growth conditions on optical properties of InGlGaAs/AlGaAs structures
    Autorzy:
    Kosiel, K.
    Regiński, K.
    Szerling, A.
    Piwoński, T.
    Bugajski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/378399.pdf
    Data publikacji:
    2004
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
    Opis:
    Optical properties of compressively strained In₀.₂₄Al₀.₁₉Ga₀.₅₇As layers were investigated as a function of the MBE growth conditions. The optimum temperature of the crystal surface (Ts) for MBE growth of this quaternary layer as well as the optimal cooling down process necessary for achieving appropriate Ts for InAlGaAs were experimentally found.
    Źródło:
    Electron Technology : Internet Journal; 2004, 36, 4; 1-3
    1897-2381
    Pojawia się w:
    Electron Technology : Internet Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Study of Thermal Properties of GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Lasers
    Autorzy:
    Pruszyńska-Karbownik, E.
    Karbownik, P.
    Szerling, A.
    Kosiel, K.
    Bugajski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1807668.pdf
    Data publikacji:
    2009-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    85.60.-q
    85.35.Be
    72.80.Ey
    Opis:
    Temperature change in quantum cascade laser can be estimated by studying the device resistance change. Using this method we compared quantum cascade laser structure mounted on diamond heat spreader and without heat spreader. We have shown that the use of heat spreader reduces temperature increase even by 40%.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-60-S-61
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Molecular Beam Epitaxy Growth for Quantum Cascade Lasers
    Autorzy:
    Kosiel, K.
    Szerling, A.
    Kubacka-Traczyk, J.
    Karbownik, P.
    Pruszyńska-Karbownik, E.
    Bugajski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791281.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    81.15.Hi
    85.60.-q
    85.35.Be
    73.63.-b
    63.22.-m
    72.80.Ey
    73.61.Ey
    78.66.Fd
    Opis:
    The fabrication of quantum cascade lasers emitting at 9 μm is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded at 77 K were over 1 W and the slope efficiency η ≈ 0.5-0.6 W/A per uncoated facet. This has been achieved by the use of GaAs/$Al_{0.45}Ga_{0.55}As$ heterostructure, with the "anticrossed-diagonal" design. Double plasmon planar confinement with Al-free waveguide has been used to minimize absorption losses. The double trench lasers were fabricated using standard processing technology, i.e., wet etching and $Si_{3}N_{4}$ for electrical insulation. The quantum cascade laser structures have been grown by molecular beam epitaxy, with Riber Compact 21 T reactor. The stringent requirements - placed particularly on the epitaxial technology - and the influence of technological conditions on the device structure properties were presented and discussed in depth.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 806-813
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mid-Infrared GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Lasers Technology
    Autorzy:
    Szerling, A.
    Karbownik, P.
    Kosiel, K.
    Kubacka-Traczyk, J.
    Pruszyńska-Karbownik, E.
    Płuska, M.
    Bugajski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1807678.pdf
    Data publikacji:
    2009-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    85.60.-q
    85.35.Be
    72.80.Ey
    73.61.Ey
    78.66.Fd
    Opis:
    The fabrication technology of AlGaAs/GaAs based quantum cascade lasers is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded at 77 K were over 1 W for the GaAs/$Al_{0.45}Ga_{0.55}As$ laser without anti-reflection/high-reflection coatings.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-45-S-47
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    GaAs/AlGaAs (~9.4 žm) quantum cascade lasers operating at 260 K
    Autorzy:
    Bugajski, M.
    Kosiel, K.
    Szerling, A.
    Kubacka-Traczyk, J.
    Sankowska, I.
    Karbownik, P.
    Trajnerowicz, A.
    Pruszy, E.
    Pierciński, K.
    Pierścińska, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/200656.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    quantum cascade lasers
    pulsed mode
    Opis:
    The fabrication of Quantum Cascade Lasers (QCLs) emitting at 9.4 um is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded in 77 K were over 1 W, and the slope efficiency 0.5–0.6 W/A per uncoated facet. This has been achieved by the use of GaAs/Al0.45Ga0.55As heterostructure, with 3QW anticrossed-diagonal design originally proposed by Page et al. [1]. Double plasmon planar confinement with Al-free waveguide has been used to minimize absorption losses. The double trench lasers were fabricated using standard processing technology, i.e., wet etching and Si3N4 for electrical insulation. The QCL structures have been grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE), with Riber Compact 21T reactor. The stringent requirements – placed particularly on the epitaxial technology – and the influence of technological conditions on the device structure properties are presented and discussed in depth.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2010, 58, 4; 471-476
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies