Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Komarov, F. F." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Radiation Degradation of Bipolar Transistor Current Gain
    Autorzy:
    Miskiewicz, S.
    Komarov, A.
    Komarov, F.
    Zayats, G.
    Soroka, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1033766.pdf
    Data publikacji:
    2017-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    radiation
    numerical simulation
    bipolar transistors
    lifetime
    minority charge carriers
    recombination
    current gain
    Opis:
    Spatial distribution of nonequilibrium minority charge carriers in bipolar transistors before and during the radiation exposure is described. Radiation-induced changes in the input and output characteristics and the current gain under the ⁶⁰Co 1.2 MeV γ -rays were calculated. It was shown that the collector current and current gain steadily fall due to irradiation in the considered range in the dose range 0-7×10⁵ rad. The simulation results correlate well with the experimental data obtained at the Research and Production Corporation "Integral".
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 288-290
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Simulation of Radiation Effects in SiO₂/Si Structures
    Autorzy:
    Komarov, F.
    Zayats, G.
    Komarov, A.
    Miskiewicz, S.
    Michailov, V.
    Komsta, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402212.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    02.30.Hq
    02.60.Cb
    Opis:
    The space-time evolution of electric charge induced in the dielectric layer of simulated metal-insulator-semiconductor structures due to irradiation with X-rays is discussed. The system of equations used as a basis for the simulation model is solved iteratively by the efficient numerical method. The obtained simulation results correlate well with the respective data presented in other scientific publications.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 857-860
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modeling of Thermal Processing at the Formation of Shallow Doped IC Active Regions
    Autorzy:
    Komarov, A.
    Velichko, O.
    Zayats, G.
    Komarov, F.
    Miskiewicz, S.
    Mironov, A.
    Makarevich, Yu.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1400426.pdf
    Data publikacji:
    2013-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    66.30.J-
    07.05.Tp
    07.05.Bx
    Opis:
    Physical and mathematical models as well as numerical algorithms for simulation of advanced technological processes, such as thermal annealing after low-energy ion implantation used during the VLSI fabrication are presented. In this paper we propose a model that treats the migration of the impurity atoms at the thermal annealing. We take into account process nonlinearity and influence of non-uniform defects distribution as well as electric field and elastic stress on the migration of atoms. The redistribution of point defects as well as the diffusion of nonequilibrium impurity interstitials in silicon are described by time-dependent quasi-linear parabolic equations. The results of numerical calculations are presented as well.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 804-808
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ion Beam Synthesis of InAs Nanocrystals in Si: Influence of Thin Surface Oxide Layers
    Autorzy:
    Komarov, F.
    Vlasukova, L.
    Milchanin, O.
    Greben, M.
    Komarov, A.
    Mudryi, A.
    Wesch, W.
    Wendler, E.
    Zuk, J.
    Kulik, M.
    Ismailova, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1400427.pdf
    Data publikacji:
    2013-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.80.-x
    61.72.Ff
    63.20.-e
    78.66.-w
    Opis:
    Nanosized crystallites have been synthesized in the Si and $SiO_2//Si$ structures by means of As (170 keV, $3.2 × 10^{16} cm^{-2}$) and In (250 keV, $2.8 × 10^{16} cm^{-2}$) implantation at 25C and 500C and subsequent annealing at 1050C for 3 min. The Rutherford backscattering, transmission electron microscopy, and photoluminescence techniques were used to analyse the impurity distribution as well as the structural and optical characteristics of the implanted layers. It was found that oxidation of samples before thermal treatment significantly reduced the As and In losses. A broad band in the region of 1.2-1.5 μm was detected in the photoluminescence spectra. The highest photoluminescence yield for the samples after "hot" implantation and annealing was obtained. Anodic oxidation of the implanted samples before annealing results in the additional increase of photoluminescence yield.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 809-812
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies