Radiation Degradation of Bipolar Transistor Current Gain

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Radiation Degradation of Bipolar Transistor Current Gain
Autorzy:: Miskiewicz, S.
Komarov, A.
Komarov, F.
Zayats, G.
Soroka, S.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1033766.pdf
Data publikacji:: 2017-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: radiation
numerical simulation
bipolar transistors
lifetime
minority charge carriers
recombination
current gain
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 288-290
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Spatial distribution of nonequilibrium minority charge carriers in bipolar transistors before and during the radiation exposure is described. Radiation-induced changes in the input and output characteristics and the current gain under the ⁶⁰Co 1.2 MeV γ -rays were calculated. It was shown that the collector current and current gain steadily fall due to irradiation in the considered range in the dose range 0-7×10⁵ rad. The simulation results correlate well with the experimental data obtained at the Research and Production Corporation "Integral".

Informacja

Powiązane pozycje