Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Ivanov, A.V." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Spin Relaxation Processes in Quantum Well Structures of Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te/Cd$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Te
Autorzy:
Khachapuridze, A.
Ivanov, V. Yu.
Godlewski, M.
Karczewski, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035595.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.Ji
72.25.Rb
76.70.Hb
78.55.Et
Opis:
Fast spin relaxation of Mn$\text{}^{2+}$ ions in a magnetic quantum well of CdMnTe with 1% Mn fraction is related to a very efficient spin-flip interaction between Mn ions and free carriers. This mechanism of spin relaxation becomes dominant at increased excitation densities. The observed response of the photoluminescence bands to the Mn$\text{}^{2+}$ magnetic resonance indicates that free carriers are heated at the magnetic resonance conditions. A decrease in formation/recombination rates of free and trion excitons is observed. Donor bound exciton photoluminescence is enhanced, which we relate to delocalization of free excitons, caused by interaction with microwave heated free carriers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 643-648
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Role of Auger-Type Energy Transfer Processes in Quenching of Anti-Stokes Emission in Chromium and Iron Doped ZnSe: ODMR, Optical and Time-Resolved Study
Autorzy:
Ivanov, V. Yu.
Karczewski, G.
Godlewski, M.
Omel'chuk, A. R.
Belyaev, A. E.
Zhavoronkov, N. V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036871.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
78.55.Et
76.30.Fc
Opis:
Energy up-conversion in chromium and iron doped ZnSe results in the appearance of an anti-Stokes luminescence. The process is efficient in ZnSe:Cr, but not in ZnSe:Fe. We conclude that very efficient three-center Auger processes in ZnSe:Fe quench the anti-Stokes luminescence emission. For chromium doped samples influence of the Auger mechanism is weaker, which we explain by less efficient carrier retrapping by Cr ions. We further discuss possibility of efficient pumping of infrared Cr-related emissions via Cr photoionization transition.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 695-701
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nonradiative Recombination Processes in (CdTe,CdCrTe)/CdMgTe Quantum Well Structures
Autorzy:
Godlewski, M.
Ivanov, V.
Zakrzewski, A. J.
Wojtowicz, T.
Karczewski, G.
Kossut, J.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968108.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.60.-p
76.70.Hb
Opis:
Photoluminescence transitions in (CdTe,CdCrTe)/CdMgTe structure grown by molecular beam epitaxy are studied. Photoluminescence investigations show a very strong reduction of the photoluminescence intensity from chromium doped quantum wells. We explain this fact by a very efficient nonradiative recombination in the chromium-doped quantum wells. The present results indicate that the Auger-type energy transfer from excitons to chromium ions is responsible for the photoluminescence deactivation. The efficiency of this process is evaluated.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 781-784
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Microwave-Induced Delocalization of Excitons in Ternary Compounds of II-VI and III-V Semiconductors
Autorzy:
Ivanov, V. Yu.
Godlewski, M.
Khachapuridze, A.
Yatsunenko, S.
Wojtowicz, T.
Karczewski, G.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Shamirzaev, T.
Zhuravlev, K.
Leonardi, K.
Hommel, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035757.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.Ji
72.25.Rb
76.70.Hb
78.55.Et
Opis:
In this work we employ technique of optically detected cyclotron resonance for evaluation of the role of localization processes in CdTe/CdMnTe and CdMnTe/CdMgTe quantum well structures. From microwave-induced changes of excitonic emissions we evaluate magnitude of potential fluctuations (Stokes shift), correlate optically detected cyclotron resonance results with the results of time-resolved experiments and discuss nature of recombination processes in the limit of a strong localization.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 559-566
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Spin Dependent Interactions of Free Carriers and Manganese Ions in Nanostructures of Wide Band Gap II-Mn-VI Semiconductors - Mechanism of Lifetime Reduction
Autorzy:
Yatsunenko, S.
Khachapuridze, A.
Ivanov, V. Yu.
Godlewski, M.
Khoi, Le Van
Gołacki, Z.
Karczewski, G.
Goldys, E. M.
Phillips, M.
Klar, P. J.
Heimbrodt, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036034.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.Fc
76.70.Hb
78.55.Et
Opis:
Based on the results of optically detected magnetic resonance and time-resolved investigations we relate the observed lifetime shortening of intra-shell Mn$\text{}^{2+}$ emission to spin dependent magnetic interactions between localized spins of Mn$\text{}^{2+}$ ions and spins/magnetic moments of free carriers. We show that this mechanism is active in both bulk and in low dimensional structures, such as quantum wells, quantum dots, and nanostructures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 643-648
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies