Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Si" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-8 z 8
    Tytuł:
    Crystallization of AlSi17Cu5Mg Alloy after Time-thermal Treatment
    Autorzy:
    Piątkowski, J.
    Kamiński, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/382327.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    hypereutectic Al-Si alloy
    overheating
    thermal analysis
    crystallization process
    stop nadeutektyczny Al-Si
    przegrzanie
    analiza termiczna
    proces krystalizacji
    Opis:
    In the dissertation it has been shown, that so called “time-thermal treatment” (TTT) of the alloy in liquid state as overheating the metal with around 250°C above Tliq. and detailing it in temperature for 30 to 40 minutes has the influence on changing the crystallization parameters (Tliq., TEmin., TEmax., TE(Me), TSol.). It was ascertained, that overheating the AlSi17Cu5Mg alloy substantially above Tliq. results with microcrystalline structure. Evenly distributed in the eutectic warp primeval silicon crystals and supersaturated with alloying additives of base content (Cu, Mg, Fe) of α(Al) solution, ensures not only increase durability in ambient temperature, but also at elevated temperature (250°C), what due to it’s use in car industry is an advantage.
    Źródło:
    Archives of Foundry Engineering; 2015, 15, 1; 83-86
    1897-3310
    2299-2944
    Pojawia się w:
    Archives of Foundry Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Chosen Aspects of Quality Defects of ”Alphin” Inserts in Combustions Pistons
    Autorzy:
    Piątkowski, J.
    Kamiński, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/381700.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    Al-Si casting alloy
    quality defect
    alphin inserts
    motor piston
    stop odlewniczy Al-Si
    wada jakości
    tłok silnikowy
    Opis:
    The chosen, typical causes of quality defects of cast-iron „alphin” rings embedded in aluminum cast are being presented in this paper. Diffusive joint of those inserts with the pistons casts is being used, due to extreme work conditions of destructive influence of the fuel mix and variable thermo-mechanical loads, which reign in the combustion motor working chamber.
    Źródło:
    Archives of Foundry Engineering; 2015, 15, 4; 61-64
    1897-3310
    2299-2944
    Pojawia się w:
    Archives of Foundry Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ strumienia fotonów na obrazy prążków widmowych HRPITS dla radiacyjnych centrów defektowych w monokryształach krzemu
    Effect of Photon flux on HRPITS spectral images for radiation defect centres in Silicon single crystals
    Autorzy:
    Kozłowski, R.
    Kamiński, P.
    Żelazko, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192232.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    HRPITS
    radiacyjne centra defektowe
    Si
    radiation defect centres
    Opis:
    Określono wpływ strumienia fotonów w zakresie od 9,0 x 10[sup]15 cm-²s-1 do 6,1 x 10[sup]18 cm-²s-1 na kształt i rozdzielczość prążków widmowych Laplace'a oraz prążków widmowych otrzymanych za pomocą procedury korelacyjnej dla radiacyjnych centrów defektowych w próbkach Si-MCz napromieniowanych dawkami neutronów 3 x 10[sup]15 cm-² i 3 x 10[sup]16 cm-². Stwierdzono, że największą rozdzielczość zarówno prążków widmowych Laplace'a, jak i prążków korelacyjnych uzyskiwana jest dla małego strumienia fotonów w zakresie od 9,0 x 10[sup]15 cm-²s-1 do 1,6 x 10[sup]16 cm-²s-1. Dla małych strumieni fotonów najszerszy jest również zakres szybkości emisji, w którym obserwowane są prążki widmowe. Stwierdzono, że strumień fotonów wpływa na rozkład koncentracji nośników ładunku w próbce. Pełną zmianę obsadzenia centrów defektowych w obu próbkach zapewniają rozkłady koncentracji nośników ładunku dla strumienia fotonów równego - 6 x 10[sup]18 cm-²s-1. Na podstawie widm Laplace'a uzyskanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu zmierzonych dla strumienia fotonów równego 6,1 x 10[sup]18 cm-²s-1, określono dla napromieniowanych próbek parametry centrów defektowych, zaś na podstawie widm korelacyjnych określono względne wartości koncentracji centrów w tych próbkach.
    An effect of photon flux in the range of 9 x 10[sup]15 cm-²s-1 to 6.1 x 10[sup]18cm-²s-1 on the shape and resolution of the Laplace spectral fringes, as well as the fringes obtained by the correlation procedure for radiation defect centres in Si-MCz samples irradiated with neutron fluences 3 x 10[sup]15 cm-² and 3 x 10[sup]16 cm-² has been determined. The best resolution for both the Laplace and correlation spectral fringes was obtain for the photon flux ranging from 9 x 10[sup]15 cm-²-1 to 1.6 x 10[sup]16cm-²s-1. For the low photon flux, there was also the widest range of the emission rate in witch the fringes were observed. The full change in the occupancy of defect centres in the both samples results from the distributions of the charge carriers produced by the photon flux equal to 6 x 10[sup]18 cm-²s-1. From the Laplace spectral fringes obtained from the analysis of the photocurrent relaxation waveforms, recorded for the flux equal to 6 x 10[sup]18 cm-²s-1, the parameters of the defect centre were determined. The relative concentrations of radiation defect centres in the samples irradiated with the both neutron fluences were determined from the correlation spectra.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 2, 2; 19-30
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Structure and Mechanical Properties of AlSiCuMg Alloy after Thermo Processing
    Autorzy:
    Piątkowski, J.
    Kamiński, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/379577.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    hypereutectic Al-Si alloy
    overheating
    CuP10 master alloy
    mechanical properties
    microstructure
    stop nadeutektyczny Al-Si
    przegrzanie
    stop CuP10
    właściwości mechaniczne
    Opis:
    In the dissertation it has been shown, that so called „time-thermal treatment” (TTT) of the alloy in liquid state, as overheating the metal with around 250°C above the Tliq. and detaining it in this temperature for around 30 minutes, improves the mechanical properties (HB, Rm, R0,2). It was ascertained, that overheating the AlSi17Cu5Mg alloy aids the modification, resulting with microcrystalline structure. Uniform arrangement of the Si primeval crystals in the warp, and α(Al) solution type, supersaturated with alloying elements present in the base content (Cu, Mg) assures not only increased durability in the ambient temperature, but also at elevated temperature (250°C), what is an advantage, especially due to the use in car industry.
    Źródło:
    Archives of Foundry Engineering; 2015, 15, 1; 79-82
    1897-3310
    2299-2944
    Pojawia się w:
    Archives of Foundry Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ energii fotonów na obraz prążków widmowych otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej dla centrów defektowych w półizolujących monokryształach 4H-SiC:V
    Effect of photon energy on image of spectral fringes obtained by photoinduced transient spectroscopy for defect centres in semi-insulating 4H-SiC:V single crystals
    Autorzy:
    Miczuga, M.
    Kamiński, P.
    Kozłowski, R.
    Pawłowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/208341.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
    Tematy:
    PITS
    centra defektowe
    półizolujący SiC
    defect centres
    SI SiC
    Opis:
    Określono wpływ energii fotonów na jakość obrazu prążków widmowych otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej dla centrów defektowych w półizolujących monokryształach 4H-SiC:V. Badania przeprowadzono dla centrów związanych z atomami Al, dla których termiczna emisja nośników ładunku obserwowana jest w zakresie temperatur 100-250 K. Zaproponowano mechanizm wyjaśniający znacznie lepszą jakość obrazu otrzymanego dla impulsu UV o energii fotonów 3,31 eV niż dla impulsu UV o energii fotonów 3,82 eV.
    Effect of the photon energy on the quality of the spectral fringes image obtained by photoinduced transient spectroscopy for defect centres in semi-insulating 4H-SiC:V single crystals have been determined. The studies were carried out for the centres related to Al atoms for which the thermal emission of charge carriers occurs in the temperatures range of 100-250 K. A mechanism explaining much better image quality when using UV pulse with the photon energy of 3.31 eV than that when using UV pulse with the photon energy of 3.82 eV has been proposed.
    Źródło:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2009, 58, 1; 351-360
    1234-5865
    Pojawia się w:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Problemy metrologiczne związane z wyznaczaniem koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych o szerokiej przerwie energetycznej
    Metrological issues related to estimation of defect center concentration in high-resistivity wide bandgap semiconductors
    Autorzy:
    Miczuga, M.
    Kamiński, P.
    Kozłowski, P.
    Kopczyński, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/153726.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    centra defektowe
    emisja termiczna
    HRPITS
    SI GaP
    defect centers
    thermal emission
    Opis:
    Możliwość wyznaczania koncentracji centrów defektowych na podstawie widm otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej o wysokiej rozdzielczości (HRPITS) jest bardzo ważna dla oceny jakości półprzewodników wysokorezystywnych o szerokiej przerwie energetycznej. Dotychczas nie określono jednak procedury pomiarowej, która pozwalałaby na uzyskanie jednoznacznych wartości koncentracji pułapek nośników ładunku w tych materiałach. W artykule omówiono problemy metrologiczne, których rozwiązanie jest niezbędne dla opracowania takiej procedury. Pokazano, że w celu określenia koncentracji pułapek oprócz pomiaru widm HRPITS należy wykonać pomiar iloczynu ruchliwości i czasu życia (ž×?) nośników ładunku w funkcji temperatury oraz określić temperaturową zależność współczynnika absorpcji materiału dla energii fotonów zastosowanej do generowania nadmiarowych nośników ładunku. Działanie zaproponowanej procedury zademonstrowano poprzez wyznaczenie koncentracji głębokich centrów defektowych w półizolującym monokrysztale GaP. Dalsze prace będą koncentrowały się na określeniu niepewności otrzymywanych wyników i udoskonaleniu modelu fizycznego.
    Determination of defect center concentration from the high-resolution photoinduced transient spectroscopy (HRPITS) measurements is of great importance in terms of quality assessment of high-resistivity wide bandgap semiconductors. So far, however, a procedure allowing determining unambiguously the concentrations of charge carriers traps in these materials has not been found. In this paper, we address the metrological issues that should be taken into account for working out such a procedure. It is shown that establishing the trap concentrations requires not only the HRPITS spectra measurements but also the measurements of the charge carrier mobility and lifetime product (ž×?) as a function of temperature and the knowledge on the temperature dependence of the material absorption coefficient for the photon energy used to generate the excess charge carriers. The proposed procedure has been applied to finding the concen-trations of deep defect centers in a crystal of semi-insulating GaP. Further works will concentrate on calculating the result uncertainty and refining the physical model.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2011, R. 57, nr 11, 11; 1368-1371
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na podstawie prążków widmowych Laplacea otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu
    Determining defect center concentration in high-resistivity semiconductors from the Laplace spectral fringes obtained by the analysis of the photocurrent relaxation waveforms
    Autorzy:
    Kozłowski, R.
    Kamiński, P.
    Żelazko, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192170.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    HRPITS
    radiacyjne centrum defektowe
    Si
    procedura Laplace'a
    radiation defect centres
    Laplace procedure
    Opis:
    Przedstawiono procedurę wyznaczania koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na podstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu. Stwierdzono, że intensywność prążka Laplace'a jest proporcjonalna do amplitudy składowej wykładniczej przebiegu relaksacyjnego związanej z termiczną emisją nośników ładunku z centrów defektowych o określonych właściwościach. Nową procedurę wykorzystano do określenia koncentracji wybranych radiacyjnych centrów defektowych w krzemowej warstwie epitaksjalnej napromieniowanej dawką protonów równą 1,7 x 1016 cm-2, a także w objętościowym monokrysztale krzemu, otrzymanym metodą Czochralskiego w polu magnetycznym (MCz Si), napromieniowanym różnymi dawkami wysokoenergetycznych neutronów. Stwierdzono, że koncentracja radiacyjnych pułapek TX1 (69 meV), identyfikowanych z kompleksami CiCs w krzemowej warstwie epitaksjalnej wynosi 2,5 x 1015 cm-3. Koncentracja pułapek TA6 (410 meV) identyfikowanych z lukami podwójnymi V2 (-/O) w MCz Si napromieniowanym dawkami neutronów 3 x 1015 cm-2 i 1 x 1016 cm-2 wynosi odpowiednio 4,0 x 1014 cm-2 i 5,5 x 1014 cm-3.
    A new procedure for determining the defect center concentration from the Laplace spectral fringes, obtained as a result of analysis of the photocurrent waveforms, has been developed. It was found that the intensity of a Laplace spectral fringe is proportional to the amplitude of the exponential component of the relaxation waveform related to the thermal emission of charge carriers from a defect center with the given properties. The procedure is exemplified by the determination of the concentrations of selected radiation defect centers in an epitaxial layer of Si irradiated with a proton fluence of 1,7 x 1016 cm-2, as well as in samples of MCz Si irradiated with high energy neutrons. It was found that in the epitaxial layer, the concentration of the TX1 (69 meV) trap attributed to the CiCs complex is 2.5 x 1015 cm-3. In the latter material, the concentrations of the TA6 (410 meV) trap, identified with divacancies V2 (-/O), were found to be 4 x 1014 and 5.5 x 1014 cm-3 for the fluences of 3 x 1015 and 1 x 1016 cm-2, respectively.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 1, 1; 19-33
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Typical Quality Defects of the „Alphin” Inserts in Engine Pistons
    Autorzy:
    Piątkowski, J.
    Kamiński, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/380070.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    Al-Si cast alloy
    alphin inserts
    engine piston
    5M why method
    5 Why Method
    quality defect
    stop odlewniczy Al-Si
    tłok silnikowy
    metoda 5M why
    metoda 5 why
    wada jakości
    Opis:
    In the dissertation, the 5M Method, is being presented, of typical causes and consequences of quality defects of cast-iron inserts „alphin” embedded in aluminum cast. The diffusive connection of those rings, with pistons casts is being used, because of the extreme conditions in which they need to operate in, which are of high temperature and variable thermo-mechanical burden, which are in the working chamber of combustion engine.
    Źródło:
    Archives of Foundry Engineering; 2015, 15, 2 spec.; 65-68
    1897-3310
    2299-2944
    Pojawia się w:
    Archives of Foundry Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-8 z 8

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies