Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kamiński, J" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 18
Tytuł:
Chosen Aspects of Quality Defects of ”Alphin” Inserts in Combustions Pistons
Autorzy:
Piątkowski, J.
Kamiński, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/381700.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
Al-Si casting alloy
quality defect
alphin inserts
motor piston
stop odlewniczy Al-Si
wada jakości
tłok silnikowy
Opis:
The chosen, typical causes of quality defects of cast-iron „alphin” rings embedded in aluminum cast are being presented in this paper. Diffusive joint of those inserts with the pistons casts is being used, due to extreme work conditions of destructive influence of the fuel mix and variable thermo-mechanical loads, which reign in the combustion motor working chamber.
Źródło:
Archives of Foundry Engineering; 2015, 15, 4; 61-64
1897-3310
2299-2944
Pojawia się w:
Archives of Foundry Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Crystallization of AlSi17Cu5Mg Alloy after Time-thermal Treatment
Autorzy:
Piątkowski, J.
Kamiński, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/382327.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
hypereutectic Al-Si alloy
overheating
thermal analysis
crystallization process
stop nadeutektyczny Al-Si
przegrzanie
analiza termiczna
proces krystalizacji
Opis:
In the dissertation it has been shown, that so called “time-thermal treatment” (TTT) of the alloy in liquid state as overheating the metal with around 250°C above Tliq. and detailing it in temperature for 30 to 40 minutes has the influence on changing the crystallization parameters (Tliq., TEmin., TEmax., TE(Me), TSol.). It was ascertained, that overheating the AlSi17Cu5Mg alloy substantially above Tliq. results with microcrystalline structure. Evenly distributed in the eutectic warp primeval silicon crystals and supersaturated with alloying additives of base content (Cu, Mg, Fe) of α(Al) solution, ensures not only increase durability in ambient temperature, but also at elevated temperature (250°C), what due to it’s use in car industry is an advantage.
Źródło:
Archives of Foundry Engineering; 2015, 15, 1; 83-86
1897-3310
2299-2944
Pojawia się w:
Archives of Foundry Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structure and Mechanical Properties of AlSiCuMg Alloy after Thermo Processing
Autorzy:
Piątkowski, J.
Kamiński, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/379577.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
hypereutectic Al-Si alloy
overheating
CuP10 master alloy
mechanical properties
microstructure
stop nadeutektyczny Al-Si
przegrzanie
stop CuP10
właściwości mechaniczne
Opis:
In the dissertation it has been shown, that so called „time-thermal treatment” (TTT) of the alloy in liquid state, as overheating the metal with around 250°C above the Tliq. and detaining it in this temperature for around 30 minutes, improves the mechanical properties (HB, Rm, R0,2). It was ascertained, that overheating the AlSi17Cu5Mg alloy aids the modification, resulting with microcrystalline structure. Uniform arrangement of the Si primeval crystals in the warp, and α(Al) solution type, supersaturated with alloying elements present in the base content (Cu, Mg) assures not only increased durability in the ambient temperature, but also at elevated temperature (250°C), what is an advantage, especially due to the use in car industry.
Źródło:
Archives of Foundry Engineering; 2015, 15, 1; 79-82
1897-3310
2299-2944
Pojawia się w:
Archives of Foundry Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Typical Quality Defects of the „Alphin” Inserts in Engine Pistons
Autorzy:
Piątkowski, J.
Kamiński, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/380070.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
Al-Si cast alloy
alphin inserts
engine piston
5M why method
5 Why Method
quality defect
stop odlewniczy Al-Si
tłok silnikowy
metoda 5M why
metoda 5 why
wada jakości
Opis:
In the dissertation, the 5M Method, is being presented, of typical causes and consequences of quality defects of cast-iron inserts „alphin” embedded in aluminum cast. The diffusive connection of those rings, with pistons casts is being used, because of the extreme conditions in which they need to operate in, which are of high temperature and variable thermo-mechanical burden, which are in the working chamber of combustion engine.
Źródło:
Archives of Foundry Engineering; 2015, 15, 2 spec.; 65-68
1897-3310
2299-2944
Pojawia się w:
Archives of Foundry Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Risk Assessment of Defect Occurrences in Engine Piston Castings by FMEA Method
Autorzy:
Piątkowski, J.
Kamiński, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/381883.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
casting defects
casting quality management
Pareto-Lorenz method
FMEA process
failure risk score
wady odlewu
zarządzanie jakością odlewów
metoda Pareto-Lorenza
proces FMEA
ryzyko uszkodzeń
Opis:
The FMEA (Failure Mode and Effects Analysis) method consists in analysis of failure modes and evaluation of their effects based on determination of cause-effect relationships for formation of possible product or process defects. Identified irregularities which occur during the production process of piston castings for internal combustion engines were ordered according to their failure rates, and using Pareto-Lorenz analysis, their per cent and cumulated shares were determined. The assessments of risk of defects occurrence and their causes were carried out in ten-point scale of integers, while taking three following criteria into account: significance of effects of the defect occurrence (LPZ), defect occurrence probability (LPW) and detectability of the defect found (LPO). A product of these quantities constituted the risk score index connected with a failure occurrence (a so-called “priority number,” LPR). Based on the observations of the piston casting process and on the knowledge of production supervisors, a set of corrective actions was developed and the FMEA was carried out again. It was shown that the proposed improvements reduce the risk of occurrence of process failures significantly, translating into a decrease in defects and irregularities during the production of piston castings for internal combustion engines.
Źródło:
Archives of Foundry Engineering; 2017, 17, 3; 107-110
1897-3310
2299-2944
Pojawia się w:
Archives of Foundry Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ strumienia fotonów na obrazy prążków widmowych HRPITS dla radiacyjnych centrów defektowych w monokryształach krzemu
Effect of Photon flux on HRPITS spectral images for radiation defect centres in Silicon single crystals
Autorzy:
Kozłowski, R.
Kamiński, P.
Żelazko, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192232.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRPITS
radiacyjne centra defektowe
Si
radiation defect centres
Opis:
Określono wpływ strumienia fotonów w zakresie od 9,0 x 10[sup]15 cm-²s-1 do 6,1 x 10[sup]18 cm-²s-1 na kształt i rozdzielczość prążków widmowych Laplace'a oraz prążków widmowych otrzymanych za pomocą procedury korelacyjnej dla radiacyjnych centrów defektowych w próbkach Si-MCz napromieniowanych dawkami neutronów 3 x 10[sup]15 cm-² i 3 x 10[sup]16 cm-². Stwierdzono, że największą rozdzielczość zarówno prążków widmowych Laplace'a, jak i prążków korelacyjnych uzyskiwana jest dla małego strumienia fotonów w zakresie od 9,0 x 10[sup]15 cm-²s-1 do 1,6 x 10[sup]16 cm-²s-1. Dla małych strumieni fotonów najszerszy jest również zakres szybkości emisji, w którym obserwowane są prążki widmowe. Stwierdzono, że strumień fotonów wpływa na rozkład koncentracji nośników ładunku w próbce. Pełną zmianę obsadzenia centrów defektowych w obu próbkach zapewniają rozkłady koncentracji nośników ładunku dla strumienia fotonów równego - 6 x 10[sup]18 cm-²s-1. Na podstawie widm Laplace'a uzyskanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu zmierzonych dla strumienia fotonów równego 6,1 x 10[sup]18 cm-²s-1, określono dla napromieniowanych próbek parametry centrów defektowych, zaś na podstawie widm korelacyjnych określono względne wartości koncentracji centrów w tych próbkach.
An effect of photon flux in the range of 9 x 10[sup]15 cm-²s-1 to 6.1 x 10[sup]18cm-²s-1 on the shape and resolution of the Laplace spectral fringes, as well as the fringes obtained by the correlation procedure for radiation defect centres in Si-MCz samples irradiated with neutron fluences 3 x 10[sup]15 cm-² and 3 x 10[sup]16 cm-² has been determined. The best resolution for both the Laplace and correlation spectral fringes was obtain for the photon flux ranging from 9 x 10[sup]15 cm-²-1 to 1.6 x 10[sup]16cm-²s-1. For the low photon flux, there was also the widest range of the emission rate in witch the fringes were observed. The full change in the occupancy of defect centres in the both samples results from the distributions of the charge carriers produced by the photon flux equal to 6 x 10[sup]18 cm-²s-1. From the Laplace spectral fringes obtained from the analysis of the photocurrent relaxation waveforms, recorded for the flux equal to 6 x 10[sup]18 cm-²s-1, the parameters of the defect centre were determined. The relative concentrations of radiation defect centres in the samples irradiated with the both neutron fluences were determined from the correlation spectra.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 2, 2; 19-30
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ parametrów procedury numerycznej CONTIN na kształt prążków widmowych otrzymywanych w wyniku analizy temperaturowych zmian relaksacyjnych przebiegów fotoprądu
Influence of the CONTIN numerical procedure parameters on the shape of the spectral fringes obtained through the analysis of the temperature changes of the photocurrent relaxation waveforms
Autorzy:
Żelazko, J.
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192293.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRPITS
CONTIN
radiacyjne centra defektowe
prążki widmowe
radiation defect centres
spectral fringes
Opis:
Opisano procedurę numeryczną CONTIN zastosowaną do wyznaczania temperaturowych zależności szybkości emisji nośników ładunku z centrów defektowych w półprzewodnikach o wysokiej rezystywności. Zależności te są wizualizowane poprzez prążki widmowe powstające w wyniku przekształcenia relaksacyjnych przebiegów fotoprądu. Określono wpływ parametrów sterujących procesem obliczeniowym na kształt i intensywność prążków widmowych.
The CONTIN numerical procedure applied to determine the temperature dependence of the charge carriers emission rate from defect centers in high resistivity semiconductors is presented. This relationship is visualized as spectral fringes formed through the transformation of the photocurrent relaxation waveforms. The influence of the parameters controlling the numerical procedure on the shape and intensity of the spectral fringes is determined.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 4, 4; 18-30
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterization of Radiation Defect Centers in Neutron Irradiated Si Using Inverse Laplace Transformation to Analysis of Photocurrent Relaxation Waveforms
Autorzy:
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Żelazko, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1361219.pdf
Data publikacji:
2014-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.-y
71.55.-i
61.80.-x
Opis:
High-resolution photoinduced transient spectroscopy has been applied to investigating the effect of the 1 MeV neutron fluence on the electronic properties of radiation defects in Czochralski grown silicon in magnetic field. A new approach to the analysis of the photocurrent relaxation waveforms as a function of time and temperature has been presented. It is based on using a two-dimensional numerical procedure with implementation of the inverse Laplace transformation for creating images of the sharp spectral fringes depicting the temperature dependences of the thermal emission rate for detected defect centers. In the material irradiated with the fluence of 3×$10^{14} cm^{-2}$, the dominant traps with activation energies of 75 meV and 545 meV are tentatively identified with an aggregate of three Si interstitials and the trivacancy, respectively. In the material irradiated with the fluence by the order of magnitude higher, the activation energies of the main traps are found to be 115, 350, 505, 545, and 590 meV. These traps are tentatively attributed to an aggregate of four Si interstitials, as well as to vacancy related centers such as $V_3$ (2-/-), $V_2O$ (-/0), $V_3$ (-/0) and $V_4$ (-/0), respectively.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 4; 976-981
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na podstawie prążków widmowych Laplacea otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu
Determining defect center concentration in high-resistivity semiconductors from the Laplace spectral fringes obtained by the analysis of the photocurrent relaxation waveforms
Autorzy:
Kozłowski, R.
Kamiński, P.
Żelazko, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192170.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRPITS
radiacyjne centrum defektowe
Si
procedura Laplace'a
radiation defect centres
Laplace procedure
Opis:
Przedstawiono procedurę wyznaczania koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na podstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu. Stwierdzono, że intensywność prążka Laplace'a jest proporcjonalna do amplitudy składowej wykładniczej przebiegu relaksacyjnego związanej z termiczną emisją nośników ładunku z centrów defektowych o określonych właściwościach. Nową procedurę wykorzystano do określenia koncentracji wybranych radiacyjnych centrów defektowych w krzemowej warstwie epitaksjalnej napromieniowanej dawką protonów równą 1,7 x 1016 cm-2, a także w objętościowym monokrysztale krzemu, otrzymanym metodą Czochralskiego w polu magnetycznym (MCz Si), napromieniowanym różnymi dawkami wysokoenergetycznych neutronów. Stwierdzono, że koncentracja radiacyjnych pułapek TX1 (69 meV), identyfikowanych z kompleksami CiCs w krzemowej warstwie epitaksjalnej wynosi 2,5 x 1015 cm-3. Koncentracja pułapek TA6 (410 meV) identyfikowanych z lukami podwójnymi V2 (-/O) w MCz Si napromieniowanym dawkami neutronów 3 x 1015 cm-2 i 1 x 1016 cm-2 wynosi odpowiednio 4,0 x 1014 cm-2 i 5,5 x 1014 cm-3.
A new procedure for determining the defect center concentration from the Laplace spectral fringes, obtained as a result of analysis of the photocurrent waveforms, has been developed. It was found that the intensity of a Laplace spectral fringe is proportional to the amplitude of the exponential component of the relaxation waveform related to the thermal emission of charge carriers from a defect center with the given properties. The procedure is exemplified by the determination of the concentrations of selected radiation defect centers in an epitaxial layer of Si irradiated with a proton fluence of 1,7 x 1016 cm-2, as well as in samples of MCz Si irradiated with high energy neutrons. It was found that in the epitaxial layer, the concentration of the TX1 (69 meV) trap attributed to the CiCs complex is 2.5 x 1015 cm-3. In the latter material, the concentrations of the TA6 (410 meV) trap, identified with divacancies V2 (-/O), were found to be 4 x 1014 and 5.5 x 1014 cm-3 for the fluences of 3 x 1015 and 1 x 1016 cm-2, respectively.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 1, 1; 19-33
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Hybrid technology of hard coal mining from seams located at great depths
Technologia hybrydowa eksploatacji węgla kamiennego z pokładów zalegających na dużych głębokościach
Autorzy:
Czaja, P.
Kamiński, P.
Klich, J.
Tajduś, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/220129.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
odmetanowanie pokładów węgla
podziemne zgazowanie węgla
węgiel kamienny
hybrydowa eksploatacja
hard coal
methane drainage of a coal bed
underground coal gasification
hybrid coal exploitation
Opis:
Learning to control fire changed the life of man considerably. Learning to convert the energy derived from combustion of coal or hydrocarbons into another type of energy, such as steam pressure or electricity, has put him on the path of scientific and technological revolution, stimulating dynamic development. Since the dawn of time, fossil fuels have been serving as the mankind’s natural reservoir of energy in an increasingly great capacity. A completely incomprehensible refusal to use fossil fuels causes some local populations, who do not possess a comprehensive knowledge of the subject, to protest and even generate social conflicts as an expression of their dislike for the extraction of minerals. Our times are marked by the search for more efficient ways of utilizing fossil fuels by introducing non-conventional technologies of exploiting conventional energy sources. During apartheid, South Africa demonstrated that cheap coal can easily satisfy total demand for liquid and gaseous fuels. In consideration of current high prices of hydrocarbon media (oil and gas), gasification or liquefaction of coal seems to be the innovative technology convergent with contemporary expectations of both energy producers as well as environmentalists. Known mainly from literature reports, underground coal gasification technologies can be brought down to two basic methods: - shaftless method - drilling, in which the gasified seam is uncovered using boreholes drilled from the surface, - shaft method, in which the existing infrastructure of underground mines is used to uncover the seams. This paper presents a hybrid shaft-drilling approach to the acquisition of primary energy carriers (methane and syngas) from coal seams located at great depths. A major advantage of this method is the fact that the use of conventional coal mining technology requires the seams located at great depths to be placed on the off-balance sheet, while the hybrid method of underground gasification enables them to become a source of additional energy for the economy. It should be noted, however, that the shaft-drilling method cannot be considered as an alternative to conventional methods of coal extraction, but rather as a complementary and cheaper way of utilizing resources located almost beyond the technical capabilities of conventional extraction methods due to the associated natural hazards and high costs of combating them. This article presents a completely different approach to the issue of underground coal gasification. Repurposing of the already fully depreciated mining infrastructure for the gasification process may result in a large value added of synthesis gas production and very positive economic effect.
Od kiedy człowiek nauczył się panować nad ogniem Jego życie uległo znaczącym zmianom, natomiast kiedy energię spalanego węgla czy węglowodorów nauczył się zamieniać na inny rodzaj energii jak ciśnienie pary czy energię elektryczną wkroczyła na drogę rewolucji naukowo-technicznej i dynamicznego rozwoju. Od zarania dziejów paliwa kopalne są naturalnym rezerwuarem energii potrzebnej ludzkości w co-raz większej ilości. Kompletnie niezrozumiałe negowanie korzystania z paliw kopalnych sprawiają, że niektóre grupy ludności lokalnej, nie mając wszechstronnej wiedzy, są skłonne do protestów, a nawet do generowania konfliktów społecznych, będących wyrazem niechęci do wydobywania jakichkolwiek kopalin. Procesem znamiennym dla naszych czasów jest poszukiwanie coraz efektywniejszych sposobów wykorzystania paliw kopalnych przez wprowadzenie niekonwencjonalnych technologii pozyskiwania energii z klasycznych surowców energetycznych. Afryka Południowa w czasach apartheidu pokazała, że mając tani węgiel kamienny - jako surowiec energetyczny można z łatwością. zabezpieczyć w całości zapotrzebowanie na paliwa płynne i gazowe. Obecnie przy wysokich cenach nośników węglowodorowych (ropy i gazu) zgazowanie lub upłynnianie węgla, wydaje się być w naszych warunkach technologią innowacyjną. Zbieżną ze współczesnymi oczekiwaniami zarówno producentów energii, jak też obrońców środowiska. Znane, głównie z doniesień literaturowych technologie podziemnego zgazowania węgla sprowadzają się do dwóch zasadniczych metod: - bezszybowej - wiertniczej, w której zgazowywane złoże udostępnione jest otworami wiertniczymi wywierconymi z powierzchni terenu, -szybowej, w której do udostępnienia złoża wykorzystuje się podziemna. infrastrukturę istniejącej kopalni. W niniejszej pracy zostanie zaprezentowana metoda mieszana szybowo-wiertnicza, za pomocą której proponować się będzie pozyskanie pierwotnych nośników energii (metanu i gazu syntezowego) ze złóż węgla kamiennego, zalegających na dużej głębokości. Dużym atutem metody jest fakt, że przy klasycznej technologii wydobycia węgla, jego pokłady zaliczone na dużej głębokości zaliczone musza. być do zasobów pozabilansowych, natomiast przy podziemnym zgazowaniu metoda. hybrydowa. mogą stać się źródłem dodatkowej energii dla gospodarki. Należy jednak podkreślić, że metoda szybowo-wiertnicza nie może być traktowana jako alternatywa dla klasycznego wydobycia węgla, ale jako jego uzupełnienie i tańsze sięgniecie po zasoby praktycznie leżące poza możliwościami technicznymi wydobycia metoda. klasyczną głownie ze względu na bardzo duże zagrożenia naturalne oraz wysokie koszty ich zwalczania. Artykuł prezentuje kompletnie inne podejście do problemu podziemnego zgazowania węgla kamiennego. Korzystając w procesie zgazowania z infrastruktury górniczej już w pełni zamortyzowanej wartość dodana w produkcji gazu syntezowego może być bardzo duża, a efekt ekonomiczny bardzo korzystny.
Źródło:
Archives of Mining Sciences; 2014, 59, 3; 575-590
0860-7001
Pojawia się w:
Archives of Mining Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pogłębianie oraz wydłużanie górniczych wyciągów szybowych – szybu Leon IV w kopalni KWK ROW - Ruch Rydułtowy
Deepening and extending hoist systems of Leon IV Shaft in the mine of Rybnik Coal Area – Rydułtowy Division
Autorzy:
Olszewski, J.
Czaja, P.
Bulenda, P.
Kamiński, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/166935.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Górnictwa
Tematy:
budowa szybów
pogłębianie szybów
górnicze wyciągi szybowe
shaft construction
shaft deepening
mining shaft hoist system
Opis:
Szyb Leon IV w kopalni Rydułtowy jest jednym z ostatnich szybów zgłębionych w polskim górnictwie węglowym z powierzchni, a następnie pogłębianym i ostatecznie wyposażanym w górnicze wyciągi szybowe. Zabieg ten pozwoli na budowę poziomu 1150 m i udostępnienie kolejnych pokładów węgla kamiennego do głębokości 1200 m, co zagwarantuje możliwość wyeksploatowania jeszcze przeszło 65 mln ton węgla i ciągłą pracę kopalni do roku 2040. Szyb ten był obiektem, w którym w czasie budowy wprowadzono szereg innowacyjnych rozwiązań, na jakie pozwalał obecny poziom techniki i technologii górniczych oraz materiałowych. Do uzbrojenia szybu wykorzystano po raz pierwszy w polskim górnictwie węglowym elastyczne prowadzenie naczyń wydobywczych, co w porównaniu ze zbrojeniem sztywnym jest rozwiązaniem znacznie tańszym i ma wiele innych zalet. W całym czasie budowy szybu Leon IV, to jest – głębienia zasadniczego w latach 1990-1998 i pogłębiania w latach 2013-2017 - zastosowano szereg nowatorskich rozwiązań niestosowanych wcześniej w polskim budownictwie szybowym. Pogłębianie szybu czynnego jest specyficznym i bardzo trudnym zabiegiem inwestycyjnym, który wymaga wykorzystania nietypowych urządzeń zabezpieczających funkcjonujące w szybie wyciągi, jak również specjalnie dostosowanej technologii obsługi przodka pogłębianego szybu. W przypadku budowy Szybu Leon IV, na szczególną uwagę zasługują prace związane z jego pogłębieniem i wydłużeniem górniczych wyciągów szybowych, w którym po raz pierwszy zastosowano elastyczne prowadzenie naczyń wyciągowych. Ostatecznie, pogłębienie szybu i wydłużenie wyciągów szybowych pozwoli na budowę nowego poziomu transportowego na głębokości 1150 m, co z kolei poprawi stan wentylacji kopalni oraz będzie sprzyjać skróceniu czasu transportu załogi do wyrobisk eksploatacyjnych.
The Leon IV shaft in Rydułtowy mine is one of the last mining shaft deepened in the Polish coal mining industry from the surface, and then deepened and finally equipped with mine shaft hoist installation. This investment will allow for the construction of the exploitation level of 1150 m and the availability of further coal extraction up to a depth of 1200 m. It will guarantee the possibility of exploitation of over 65 million tons of coal and continuous operation of the mine until 2040. At the same time, a flexible guiding of the mining cage and skips was used in the Polish hard coal mining industry for the first time, which in comparison with rigid guiding is a much cheaper solution and has many other advantages. This paper presents the most important problems and technical solutions implemented during construction and deepening of the Leon IV Shaft in Rydułtowy Coal Mine in Poland.
Źródło:
Przegląd Górniczy; 2018, 74, 8; 7-16
0033-216X
Pojawia się w:
Przegląd Górniczy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Głębokie centra defektowe w krzemie o bardzo wysokiej rezystywności
Deep defect centers in ultra-high-resistivity FZ silicon
Autorzy:
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Krupka, J.
Kozubal, M.
Wodzyński, M.
Żelazko, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192092.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
głębokie centra defektowe
HRPITS
krzem o bardzo wysokiej rezystywności
deep defect centers
ultra-high-resistivity silicon
Opis:
W artykule przedstawiono unikatowe wyniki badań rozkładu rezystywności oraz rozkładu właściwości i koncentracji centrów defektowych na płytce krzemowej o promieniu R = 75 mm, pochodzącej z monokryształu o bardzo wysokiej czystości otrzymanego metodą FZ. Do określenia właściwości i koncentracji centrów defektowych zastosowano metodę niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej o wysokiej rozdzielczości (HRPITS). Do wyznaczania stałych czasowych składowych wykładniczych relaksacyjnych przebiegów fotoprądu, zmierzonych w zakresie temperatur 250 – 320 K wykorzystano procedurę numeryczną opartą na odwrotnym przekształceniu Laplace’a. W obszarze środkowym płytki o rezystywności ~ 6,0×104 Ωcm, wykryto trzy rodzaje pułapek charakteryzujących się energią aktywacji 420 meV, 460 meV i 480 meV. W obszarze brzegowym płytki, którego rezystywność wynosiła ~ 3,0×104 Ωcm, oprócz pułapek występujących w obszarze środkowym wykryto pułapki o energii aktywacji 545 meV, których koncentracja wynosiła ~ 4,0×109 cm-3. Pułapki o energii aktywacji 420 meV i 545 meV przypisano odpowiednio lukom podwójnym (V2 -/0) i agregatom złożonym z pięciu luk (V5 -/0). Pułapki o energii aktywacji 460 meV są prawdopodobnie związane z lukami potrójnymi (V3 -/0) lub atomami Ni, zaś pułapki o energii aktywacji 480 meV mogą być przypisane zarówno agregatom złożonym z czterech luk (V4 -/0), jak i atomom Fe w położeniach międzywęzłowych.
The paper presents the unique results of the resistivity distribution and the distribution of the properties and concentrations of defect centers on a silicon wafer with a radius of R = 75 mm originating from a high-purity FZ single crystal. The electronic properties and concentrations of the defect centers have been studied by high resolution photoinduced transient spectroscopy (HRPITS). To determine the time constants of the exponential components in the photocurrent relaxation waveforms measured in the temperature range of 250 - 320 K we have used an advanced numerical procedure based on the inverse Laplace transformation. In the wafer central region, with the resistivity of ~ 6,0×104 Ωcm, three traps with the activation energies of 420 meV, 460 meV and 480 meV have been found. In the near edge-region of the wafer, with the resistivity of ~ 3.0 × 104 Ωcm, apart from the traps present in the central region, a trap with the activation energy of 545 meV has been detected and the concentration of this trap is ~ 4,0×109 cm-3. The traps with the activation energies of 420 meV and 545 meV are assigned to a divacancy (V2 -/0) and a pentavacancy (V5 -/0), respectively. The trap with the activation energy of 460 meV is likely to be associated with a trivacancy (V3 -/0) or a Ni atom, and the trap with the activation energy of 480 meV can be tentatively assigned to a tetravacancy or an interstitial Fe atom.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2014, T. 42, nr 4, 4; 16-24
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolującego GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplacea
Imaging of defect structure of semi-insulating GaAs crystals by analysis of photocurrent relaxation wave forms with implementation of inverse Laplace transform
Autorzy:
Pawłowski, M.
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Kozubal, M.
Żelazko, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192000.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa
odwrotne przekształcenie Laplace'a
metoda korelacyjna
obraz prążków widmowych
obrazowanie struktury defektowej kryształów
aproksymacja neuronowa
Opis:
Metodę niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej z wykorzystaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a (ILT PITS) zastosowano do obrazowania struktury defektowej monokryształów półizolującego GaAs. Zoptymalizowano oprogramowanie umożliwiające trójwymiarową wizualizację temperaturowych zmian stałych czasowych niestacjonarnych przebiegów fotoprądu. Do wyznaczania parametrów centrów defektowych na podstawie przebiegu linii grzbietowych fałd odpowiadających termicznej emisji nośników ładunku zastosowano aproksymację neuronową. Zobrazowanie struktury defektowej otrzymano w wyniku nałożenia obrazu właściwości centrów defektowych uzyskanego za pomocą odwrotnego przekształcenia Laplace'a na obraz prążków widmowych uzyskany metodą korelacyjną.
Photoinduced transient spectroscopy with implementation of the inverse Laplace transform algorithm (ILT PITS) has been employed to imaging the defect structure of SI GaAs crystals. The computer program for three-dimensional visualisation of the temperature changes of time constants of the photocurrent transients has been optimised. The parameters of defect centres were determined by a neural approximation of the ridgelines of the folds related to the thermal emission of charge carriers. The image of defect structure is obtained by combining the image of the defect centres properties produced by using the inverse Laplace transform with the spectral fringes received by means of the correlation procedure.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2006, T. 34, nr 1-2, 1-2; 48-77
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych GaN
Defect centres in high-resistivity epitaxial GaN
Autorzy:
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Kozubal, M.
Żelazko, J.
Miczuga, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192441.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRPITS
centrum defektowe
GaN
defect center
Opis:
Metodę wysokorozdzielczej, niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej (HRPITS) zastosowano do badania centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN otrzymanych metodą MOCYD. Metodę tę wykorzystano do badania centrów kompensujących w warstwach GaN:Mg typu p poddanych obróbce termicznej w 780°C, a także w niedomieszkowanych, wysokorezystywnych warstwach GaN osadzonych na podłożach Al2O3 i 6H-SiC: V. Dominującym mechanizmem aktywacji atomów magnezu podczas obróbki termicznej warstw GaN:Mg jest rozpad neutralnych kompleksów Mg-H. Domieszkowaniu magnezem towarzyszy proces samokompensacji polegający na tworzeniu się kompleksów Mg-VN, które są głębokimi donorami (Ec-0,59 eV) kompensującymi płytkie akceptory MgGa- (Ev+0,17 eV). Określono centra defektowe biorące udział w kompensacji ładunkowej niedomieszkowanej, wysokorezystywnej warstwy GaN, stanowiącej warstwę buforową dla tranzystora HEMT, osadzonej na podłożu Al2O3 z warstwą zarodkową AlN. Otrzymane wyniki wskazują, że w mechanizmie kompensacji biorą udział nie tylko defekty rodzime, ale również atomy zanieczyszczeń Si, C, O i H. Stwierdzono, że struktura defektowa niedomieszkowanej warstwy GaN osadzonej na podłożu SI 6H-SiC:V z warstwą zarodkową GaN jest złożona, podobnie jak warstwy osadzonej na podłożu Al2O3 z warstwą zarodkową AlN.
High-resolution photoinduced transient spectroscopy (HRPITS) was employed to study defect centres in epitaxial GaN grown by MOCVD technique. This method was applied to investigate compensation centres in p-type GaN:Mg epitaxial layers, as well as in the undoped high-resistivity GaN layers grown on both Al2O3 and 6H-SiC:V substrates. It was found that the main mechanism leading to the electrical activation of Mg atoms in epitaxial layers of GaN:Mg is the decomposition of neutral Mg-H complexes. Doping with magnesium involves a self-compensation process consisting in the formation of Mg-VN complexes, which are deep donors (Ec-0.59 eV) compensating shallow acceptors MgGa (E+0.17 eV). Defect centres responsible for charge compensation in a high-resistivity GaN HEMT buffer layer, grown on a sapphire substrate with an AlN nucleation layer, were detected. The obtained results indicate that the compensation is either due to native defects or due to contamination with Si, C, O and H atoms. The defect structure of an undoped, high-resistivity GaN layer, with a GaN nucleation layer grown on a SI 6H-SiC:V substrate, proved to be significantly complex, just as in the case of the layer grown on an the Al2O3 substrate with an AlN nucleation layer.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 1, 1; 18-35
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ocena cech użytkowych linii hodowlanych oraz eksperymentalnych mieszańców F1 kapusty głowiastej białej
The evaluation of the commercial traits of breeding lines and experimental F1 hybrids of white cabbage
Autorzy:
Kamiński, P.
Szwejda-Grzybowska, J.
Wrzodak, A.
Popińska-Gil, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2119556.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Instytut Ogrodnictwa
Tematy:
white cabbage
inbreed lines
F1 hybrids
agromorphological traits
bioactive substances
sensory analysis
nutrients
Opis:
The aim of the study was to examine the new 10 inbreed lines and 4 experimental F1 hybrids of white cabbage in respect to their agromorphological traits, content of selected nutrients, pro-healthy components, and their value for the consumption. Both inbreed lines and experimental F1 hybrids showed good internal uniformity and were diversified in respect to their yield, earliness, morphology, and susceptibility to the major diseases of cabbage. The studied genotypes were characterized by a significant difference in content of selected nutrients and bioactive substances. As a result the new commercial F1 hybrid of white cabbage SKW1518 was recommended for the registration at the Research Centre for Cultivar Testing.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Instytutu Ogrodnictwa; 2019, 27; 25-34
2300-5882
2391-8969
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Instytutu Ogrodnictwa
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 18

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies