Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kamińska, S." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-13 z 13
    Tytuł:
    Competition of Radiation Processes in 6H-SiC Observed by Luminescence
    Autorzy:
    Wysmołek, A.
    Mroziński, P.
    Dwiliński, R.
    Vlaskina, S.
    Kamińska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1873137.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.-m
    78.60.Kn
    Opis:
    We report on the results of photoluminescence and thermoluminescence measurements of various 6H-SiC crystals. At low temperature in all n-type samples two bands with maxima at 2.7 eV (blue) and 1.8 eV (orange) were detected. In the p-type material only blue band was observed. The measurements performed at a broad range of temperatures showed totally different behaviour of photoluminescence intensity of both bands. The presented results could be explained in the model assuming well established donor-acceptor pair recombination for the blue band emission and the conduction band - deep defect transition for the orange band. The proposed model was confirmed by thermoluminescence measurements of the orange band which showed peaks at 30 K, 80 K, 100 K, 150 K attributed to ionization of subsequent shallow donor levels.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 437-440
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Nature of Donors in SiC
    Autorzy:
    Suchanek, B.
    Dwiliński, R.
    Kamińska, M.
    Palczewska, M.
    Vlaskina, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1872293.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    76.30.Da
    Opis:
    6H-SiC samples were examined by ESR technique in temperature range from 5 K up to 300 K. Two kinds of ESR lines were observed: a single line at g = 2.0054 ± 0.0007, called X-line, and a triplet corresponding to isolated nitrogen defect. Ionization energy of X defect was determined as about 60 meV and the ionization energy of isolated nitrogen was determined as about 200 meV below SiC conduction band.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 321-324
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Progress in Fabrication Technology of Silver-Based Contact Materials with Particular Account of the Ag-Re and Ag-SnO2Bi2O3 Composites
    Postęp w technologii wytwarzania materiałów stykowych na bazie srebra ze szczególnym uwzględnieniem kompozytów Ag-Re i Ag-SnO2Bi2O3
    Autorzy:
    Księżarek, S.
    Woch, M.
    Kołacz, D.
    Kamińska, M.
    Borkowski, P.
    Walczuk, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/354164.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    electric contacts
    nanocomposite
    contact materials
    electrical properties
    tested methods
    styki elektryczne
    nanokompozyt
    materiały stykowe
    właściwości elektryczne
    erozja łuku
    Opis:
    The paper outlines technologies currently used for the production of the Ag-Re10 and Ag-SnO2Bi2O3 contact materials in a form of wires and solid and bimetallic rivets. Their characteristic parameters, including physical and mechanical properties and microstructure, are given. It has been found that the level of these parameters, particularly electrical properties (resistance to electric arc erosion), is unsatisfactory considering the present requirements, which applies mainly to the new Ag-Re10 [wt%] alloy, so far not fully technologically mastered. Therefore, under this work a new method for the production of this type of materials has been designed and the related research works were undertaken. The new-generation contact materials in a form of nanostructured composites will be characterised by similar chemical compositions as those specified above but with increased functional properties, including enhanced resistance to arc erosion. In this paper preliminary results of the examination of structure and properties of semi-products obtained by new technology based on powder metallurgy techniques are presented. Conditions for pressure consolidation and plastic consolidation applied for material processing into wires and rivets (solid and bimetallic) have been determined.
    W referacie przedstawiono stosowany aktualnie zarys technologii wytwarzania materiałów stykowych Ag-Re 10 i Ag-SnO2Bi2O3 w postaci drutów oraz nitów litych i bimetalowych i jednocześnie podano ich charakterystyczne parametry obejmujące właściwości fizyko-mechaniczne i mikrostrukturę. Stwierdzono, że poziom uzyskiwanych właściwości-szczególnie elektrycznych (odporność na| erozję łuku elektrycznego) jest niezadawalający w świetle aktualnych wymagań, co dotyczy głów- nie nowego jeszcze nie w pełni opanowanego technologicznie materiału Ag-Re 10%wag. Zaprojektowano wiec nowy sposób wytwarzania tego typu materiałów i podjęto prace badawczo rozwojowe w tym zakresie. Ich celem jest opracowanie sposobu wytwarzania nowej generacji materiałów stykowych w postaci kompozytów o podobnym składzie chemicznym jednakże charakteryzujących się nanostrukturą i znacznie wyższymi parametrami - głównie odpornością na działanie łuku elektrycznego. Przedstawiono wstępne wyniki badań obejmujące syntezę mechaniczną oraz określono warunki konsolidacji odkształceniowej i plastycznej w procesie ich przeróbki na druty i nity lite i bimetalowe, bazując na procesach z obszaru metalurgii proszków.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2014, 59, 2; 501-508
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badanie procesu transferu ładunku wzbudzanego światłem w organicznych ogniwach słonecznych za pomocą czasowo rozdzielczej fotoluminescencji i pobudzanego światłem elektronowego rezonansu spinowego
    Detection of Photo-Induced Charge Transfer in Organic Solar Cells by Time-Resolved Photoluminescence and Light-Induced Electron Spin Reseonance
    Autorzy:
    Grankowska-Ciechanowicz, S.
    Iwan, A.
    Wołoś, A.
    Korona, K. P.
    Kamińska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/160166.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    transfer ładunku
    organiczne ogniwa słoneczne
    czasowo rozdzielcza fotoluminescencja
    pobudzany światłem elektronowy rezonans spinowy
    charge transfer
    organic solar cells
    TRPL
    (L)ESR
    Opis:
    Organiczne ogniwa słoneczne są jednym z obiecujących sposobów przetwarzania energii słonecznej w elektryczną. Procesem mającym decydujący wpływ na ich działanie, jest transfer ładunku wzbudzany światłem. Techniki pomiarowe, które znalazły zastosowanie do bezpośredniej detekcji tego procesu, to czasowo rozdzielcza fotoluminescencja (TRPL – ang. time-resolved photoluminescence) i pobudzany światłem elektronowy rezonans spinowy (LESR – ang. light-induced electron spin resonance). Efektywny transfer ładunku, przy pomocy TRPL, rejestrowany jest jako wygaszanie luminescencji w wyniku przestrzennego rozseparowania ładunków przeciwnego znaku, a za pomocą LESR jako dwie linie pochodzące od dodatniego polaronu po stronie donora i ujemnego polarnu po stronie akceptora. W niniejszej pracy omówione zostaną wymienione techniki pomiarowe oraz ich zastosowanie do detekcji efektywnego transferu ładunku w organicznych ogniwach słonecznych.
    The organic solar cells are considered as promising way to convert solar energy into electricity. A crucial step in their operations is a photo-induced charge transfer (CT). Techniques, which directly detect this phenomenon, are Time-Resolved Photoluminescence (TRPL) and Light-induced Electron Spin Resonance (LESR). Effective photo-induced CT results in electrons and holes separation and creation of positive and negative polarons. First process is registered by TRPL as luminescence quenching, second by LESR as two lines, one from positive, and another from negative polarons. In this article, both techniques will be described as well their application in effective CT detection.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2014, 264; 65-71
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optyczna, spektroskopowa i elektryczna charakterystyka poliazometiny PAZ
    Optical, spectroscopic and electrical characterisation of polyazomethine PAZ
    Autorzy:
    Grankowska, S.
    Iwan, A.
    Wołoś, A.
    Palewicz, M.
    Chuchmała, A.
    Korona, K.
    Kamińska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159349.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    poliazometiny
    organiczne ogniwa słoneczne (OSC)
    fotoluminescencja
    EPR
    polyazomethines
    organic solar cells (OSC)
    photoluminescence
    Opis:
    W ostatnich latach włożono ogromny wysiłek w poszukiwanie materiałów, które znacznie obniżyłyby koszty fotowoltaiki. Badania te doprowadziły do rozwoju organicznych ogniw słonecznych (OSC), których fotoaktywna warstwa składa się z materiału donorowego i akceptorowego. Donorami najczęściej są polimery, a akceptorami pochodne fulerenów. Podstawowym procesem decydującym o wydajności ogniwa jest transfer ładunku (CT) z donora do akceptora. Poliazometina PAZ została zsyntezowana z myślą zastosowania jej jako materiał donorowy w objętościowych ogniwach fotowoltaicznych (IEL Wrocław). Pod tym kątem została też przeprowadzona jej charakterystyka za pomocą takich technik jak: absorpcja, fotoluminescencja (PL), fotoluminescencja czasowo rozdzielona (TRPL) i spektroskopia rezonansu paramagnetycznego (EPR). PAZ absorbuje głównie promieniowanie z zakresu światła widzialnego. Dodatkowo widmo PL przesunięte jest w kierunku dłuższych długości fali względem pasma absorpcji – wydłużony czas zaniku pozwala na efektywny CT. Dla skonstruowanych ogniw objętościowych zawierających poliazometinę PAZ w warstwie aktywnej ogniwa oraz pochodną fulerenu PCBM wykonano charakterystyki prądowo-napięciowe z użyciem lampy ksenonowej jako źródła światła oraz spektroskopię impedancyjną. Badana poliazometina wykazywała efekt fotowoltaiczny, a wartość sprawności ogniwa organicznego zależna była od stosunku wagowego poliazometiny do PCBM. Dodatkowe informacje o zachodzącym CT uzyskano za pomocą pomiarów EPR.
    New, low-cost materials for photovoltaic are an object of intensive studies in recent years. Thus, the new type of solar cells based on organic materials has been developed. It is called organic solar cells (OSC). Their photoactive layer is composed of donor and acceptor materials, mostly polymers and fullerenes derivatives respectively. Charge transfer (CT) from donor to acceptor is a crucial process, which decides about efficiency of OSC. Polyazomethine PAZ was synthesised in IEL Wroclaw as a new donor material for bulk-heterojunction (BHJ) OSC. Therefore, characteristic was done to check that it fulfils all requirements for this type of material. Used techniques: absorbance, photoluminescence (PL), time resolved photoluminescence (TRPL) and electron paramagnetic resonance spectroscopy (EPR). PAZ absorbs mostly visible light. Moreover its PL spectrum is shifted in direction of higher wavelengths versus their absorption spectrum. Longer decay time allows to efficient CT. Current density–voltage (J–U) characteristics of the devices based on polyazomethine PAZ and PCBM were measured along with impedance spectroscopy. Investigated polyazomethine exhibited photovoltaic effect, however power conversion efficiency depends on the weight ratio of PAZ to PCBM. Additional information about CT was obtained using EPR.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 259; 31-32
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Observation of Magnetic Anisotropy in Bulk GaMnN:Mg Crystals
    Autorzy:
    Gosk, J.
    Zając, M.
    Kamińska, M.
    Twardowski, A.
    Grzegory, I.
    Boćkowski, M.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036861.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    75.30.Gw
    75.50.Pp
    Opis:
    Magnetic properties of bulk wurtzite n-type GaMnN and highly resistive GaMnN:Mg monocrystals were studied for the magnetic field applied parallel and perpendicular to the crystal hexagonal c-axis. Magnetization of both types of samples reveals paramagnetic behavior. However, for n-type GaMnN isotropic magnetization was observed which is in agreement with Mn d$\text{}^{5}$ configuration. On the other hand, GaMnN co-doped with Mg shows large magnetic anisotropy which suggests Mn to be in nonspherical d$\text{}^{4}$ or d$\text{}^{3}$ configuration.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 665-669
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Raman Spectroscopy of $LiFePO_4$ and $Li_3V_2(PO_4)_3$ Prepared as Cathode Materials
    Autorzy:
    Ziółkowska, D.
    Korona, K.
    Kamińska, M.
    Grzanka, E.
    Andrzejczuk, M.
    Wu, S.
    Chen, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1493017.pdf
    Data publikacji:
    2011-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Hv
    82.80.Gk
    82.47.Aa
    Opis:
    Structure of samples of lithium iron vanadium phosphates of different compositions were investigated by X-rays, electron microscopy and Raman spectroscopy. The investigated salts were mainly of olivine-like and NASICON-like structures. The X-ray diffraction and the Raman scattering show different crystalline structures, which is probably caused by difference between cores of the crystallites (probed by X-rays) and their shells (probed by the Raman scattering). Most of the Raman spectra were identified with previously published data, however in the samples with high vanadium concentration we have observed new, not reported earlier modes at 835 $cm^{-1}$ and 877 $cm^{-1}$, that we identified as oscillations related to $V_2O_7^{4-}$ or $VO_4^{3-}$ anions.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 973-975
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    GaN Layers Grown by Reactive Ion Plating
    Autorzy:
    Żubka, A.
    Dwiliński, R.
    Suchanek, B.
    Janik, W.
    Wysmołek, A.
    Kwiatkowski, S.
    Kamińska, M.
    Shaginyan, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1943889.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.15.Jj
    68.55.Gi
    Opis:
    GaN layers grown on ceramics, sapphire or SiC substrates using reactive ion plating method are presented. In reactive ion plating method gallium from a hot source reacts on a heated substrate with nitrogen partially ionized. Rutherford backscattering technique was applied to check the composition of the samples and gallium to nitrogen ratio was found to be close to one. However, Rutherford backscattering studies showed also a remarkable amount of unintentional impurities present in the layers. The structure of GaN was determined using reflection high-energy electron diffraction. It appeared that polycrystal and monocrystal can be grown, depending on growth conditions. Absorption spectra taken on the layers grown on sapphire showed a tail of band to band absorption starting at about 370 nm. Carrier concentration was of the order of 1019-1020 cm$\text{}^{-3}$ at room temperature and did not change much with temperature decrease. No luminescence from the layers was detected, most probably due to high concentration of impurities.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 1058-1062
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mn Impurity in GaN Studied by Electron Paramagnetic Resonance
    Autorzy:
    Wołoś, A.
    Palczewska, M.
    Wilamowski, Z.
    Kamińska, M.
    Twardowski, A.
    Boćkowski, M.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036027.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.-i
    71.55.Eq
    71.70.Gm
    Opis:
    We present the results of electron paramagnetic resonance investigations of GaN bulk crystals doped with Mn. The EPR experiment shows the Mn$\text{}^{2+}$ resonance in all the investigated n-type crystals, while in highly resistive samples extra doped with Mg acceptor the Mn$\text{}^{2+}$ resonance decreases. This is a consequence of the location of Mn acceptor level in GaN band gap. The analysis of the spin relaxation times reveals the Korringa scattering as the dominating spin relaxation mechanism in n-type GaN:Mn crystals. The effective exchange constant determined from spin relaxation rate temperature dependence is of the order of 14 meV.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 595-600
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ultrafast Carrier Trapping and High Resistivity of MeV Energy Ion Implanted GaAs
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Jasiński, J.
    Kurpiewski, A.
    Kamińska, M.
    Jagadish, C.
    Tan, H. H.
    Krotkus, A.
    Marcinkevicius, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1951117.pdf
    Data publikacji:
    1996-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Vv
    72.20.Jv
    72.80.Ey
    Opis:
    Semi-insulating GaAs wafers were implanted with MeV As, Ga, O or Si ions at doses ranging from 1×10$\text{}^{14}$ to 5×10$\text{}^{16}$ cm$\text{}^{-2}$. Their structural properties were studied by electron microscopy and the Rutherford backscattering-channeling. Time resolved photoluminescence, electrical conductivity and the Hall effect were used to determine carrier lifetime and electrical properties of the material. Annealing of the samples at 600°C led to the recovery of transport in conduction band. The As, Ga and O implanted samples became semi-insulating, while the Si implanted samples were n-type. Carrier trapping times were short, shorter than 1 ps for the highest dose used. Models explaining the fast photocarrier decay are discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 851-854
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Measurement of Very Small Zeeman Splittings in GaN:Mn,Mg by Faraday Rotation
    Autorzy:
    Wołoś, A.
    Kossacki, P.
    Golnik, A.
    Kamińska, M.
    Gaj, J. A.
    Twardowski, A.
    Grzegory, I.
    Boćkowski, M.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2035615.pdf
    Data publikacji:
    2002
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.20.Ls
    71.70.Ej
    71.55.Eq
    71.20.Nr
    Opis:
    In this work we demonstrate an application of Faraday rotation for measuring an extremely small Zeeman splitting of an Mn related absorption line placed at 1.417 eV in optical absorption spectrum of Mn and Mg doped gallium nitride. Analysis of the collected spectra allowed us to determine the value of the splitting as equal to 0.12±0.01 meV at 6 T. This data should help in establishing the nature of the observed absorption band.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 695-699
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fabrication and Physical Properties of SiC-GaAs Nano-Composites
    Autorzy:
    Kalisz, G.
    Grzanka, E.
    Wasik, D.
    Świderska-Środa, A.
    Gierlotka, S.
    Borysiuk, J.
    Kamińska, M.
    Twardowski, A.
    Pałosz, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2043724.pdf
    Data publikacji:
    2005-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.07.-b
    07.35.+k
    Opis:
    Nano-composites consisting of primary phase of hard nanocrystalline SiC matrix and the secondary nanocrystalline semiconductor (GaAs) phase were obtained by high-pressure zone infiltration. The synthesis process occurs in three stages: (i) at room temperature the nanopowder of SiC is compacted along with GaAs under high pressure up to 8 GPa, (ii) the temperature is increased above the melting point of GaAs up to 1600~K and, the pores are being filled with liquid, (iii) upon cooling GaAs nanocrystallites grow in the pores. Synthesis of nano-composites was performed using a toroid-type high-pressure apparatus (IHPP of the Polish Academy of Sciences, Warsaw) and six-anvil cubic press (MAX-80 at HASYLAB, Hamburg). X-ray diffraction studies were performed using a laboratory D5000 Siemens diffractometer. Phase composition, grain size, and macrostrains present in the synthesized materials were examined. Microstructure of the composites was characterized using scanning electron microscopy and high resolution transmission electron microscopy. Far-infrared reflectivity measurements were used to determine built-in strain.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 717-721
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Role of Arsenic Antisite Defect in Nonstoichiometric Gallium Arsenide
    Autorzy:
    Jasiński, J.
    Kurpiewski, A.
    Korοna, K.
    Kamińska, M.
    Ρalczewska, M.
    Krotkus, A.
    Marcinkievicius, S.
    Liliental-Weber, Z.
    Tan, H. H.
    Jagadish, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933772.pdf
    Data publikacji:
    1995-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Er
    73.90.+f
    Opis:
    Over the last few years there have been many studies of GaAs layers grown at low temperatures (180-300°C), so called LT GaAs. The interest in LT GaAs was motivated by the potential application of 600oC annealed LT GaAs in microwave and fast optoelectronic devices because of its short photocarrier lifetime, reasonable mobility and high resistivity. These properties are associated with the nonstoichiometry of LT GaAs. Recently, studies of comparable material, nonstoichiometric GaAs produced by arsenic ion implantation have been initiated. There is still a strong controversy as to whether the arsenic antisite (As$\text{}_{Ga}$) or arsenic precipitates are responsible for unique electrical properties of both materials. This paper presents the results of structural and electrical studies of high energy As implanted GaAs and comments on relationships between the structure and the resulting electrical properties.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 747-750
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-13 z 13

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies