Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kamińska, H." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Partial characterisation of cucumber mosaic virus isolate infecting Lonicera caprifolium L. plants
    Częściowa charakterystyka izolatu wirusa mozaiki ogórka (CMV) z roślin Lonicera caprifolium L.
    Autorzy:
    Kamińska, M.
    Śliwa, H.
    Malinowski, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/11364520.pdf
    Data publikacji:
    2005
    Wydawca:
    Uniwersytet Przyrodniczy w Lublinie. Wydawnictwo Uniwersytetu Przyrodniczego w Lublinie
    Tematy:
    identification
    plant disease
    cucumber mosaic virus
    honeysuckle
    virus isolate
    Lonicera caprifolium
    plant infection
    Opis:
    Plants of honeysuckle (Lonicera caprifolium L.) from commercial nursery, showing stunted growth and severe leaf and flower malformation were found to be naturally infected with Cucumber mosaic virus (CMV). The virus was identified on the basis of its host range and in vitro and serological properties. It was mechanically transmitted onto therteen herbaceous test plants and induced local or local and systemic symptoms. The isolated virus had a TIP of 65–70°C, a LIV of 4–5 h and DEP of 10⁻⁴–10⁻⁵. It reacted positively in DAS-ELISA with CMV-ToRS (II) commercial antibodies but not with antibodies against CMV-DTL (I). Rabbit antiserum was produced, and it showed the titre at least 128 000 in F(ab’)₂ -ELISA with homologous isolate, as well as with isolate CMV-M belonging to serogroup DTL.
    Stwierdzono obecność wirusa mozaiki ogórka (CMV) w naturalnie porażonych roślinach wiciokrzewu (Lonicera caprifolium L.) wykazujących zahamowanie wzrostu oraz silną deformację liści i kwiatów. Wirusa zidentyfikowano na podstawie reakcji testowych roślin zielnych, jego właściwości w warunkach in vitro oraz właściwości serologicznych. Wirusa przeniesiono w sposób mechaniczny na trzynaście gatunków roślin zielnych, u których wywoływał objawy lokalne lub lokalne i systemiczne. TIP wirusa określono na 65-70º C, LIV 4-5 godzin a DEP 10⁻⁴ do 10⁻⁵. W teście DAS-ELISA wirus reagował pozytywnie z przeciwciałami na CMV-ToRS (II), a nie reagował z przeciwciałami na CMV- DTL (I). Przygotowano surowicę króliczą, której miano w teście F(ab')₂ ELISA wynosiło co najmniej 128 000, zarówno w reakcji z izolatem homologicznym jak i z izolatem M, należącym do serogrupy DTL.
    Źródło:
    Acta Scientiarum Polonorum. Hortorum Cultus; 2005, 04, 2; 3-10
    1644-0692
    Pojawia się w:
    Acta Scientiarum Polonorum. Hortorum Cultus
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Characterisation of the bone cements on the basis of PMMA and organosilicon polymers
    Autorzy:
    Sobczyk-Guzenda, A.
    Rejs, K.
    Kamińska, M.
    Kaczorowski, W.
    Szymanowski, H.
    Niedzielski, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/285061.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Polskie Towarzystwo Biominerałów
    Tematy:
    bone cements
    PMMA
    polymers
    Źródło:
    Engineering of Biomaterials; 2016, 19, 138; 99
    1429-7248
    Pojawia się w:
    Engineering of Biomaterials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ultrafast Carrier Trapping and High Resistivity of MeV Energy Ion Implanted GaAs
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Jasiński, J.
    Kurpiewski, A.
    Kamińska, M.
    Jagadish, C.
    Tan, H. H.
    Krotkus, A.
    Marcinkevicius, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1951117.pdf
    Data publikacji:
    1996-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Vv
    72.20.Jv
    72.80.Ey
    Opis:
    Semi-insulating GaAs wafers were implanted with MeV As, Ga, O or Si ions at doses ranging from 1×10$\text{}^{14}$ to 5×10$\text{}^{16}$ cm$\text{}^{-2}$. Their structural properties were studied by electron microscopy and the Rutherford backscattering-channeling. Time resolved photoluminescence, electrical conductivity and the Hall effect were used to determine carrier lifetime and electrical properties of the material. Annealing of the samples at 600°C led to the recovery of transport in conduction band. The As, Ga and O implanted samples became semi-insulating, while the Si implanted samples were n-type. Carrier trapping times were short, shorter than 1 ps for the highest dose used. Models explaining the fast photocarrier decay are discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 851-854
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    GaN Synthesis by Ammonothermal Method
    Autorzy:
    Dwiliński, R.
    Wysmołek, A.
    Baranowski, J.
    Kamińska, M.
    Doradziński, R.
    Garczyński, J.
    Sierzputowski, L.
    Jacobs, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933907.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.10.Dn
    Opis:
    It is shown that ammonothermal method can be successfully used to synthesize GaN powder of good crystallographic quality from ammonia solution at high pressure and a moderate temperature. The size of obtained GaN powder grains was of a few micrometers. The improvement of the powder crystalline quality (examined by X-ray rocking curve, scanning electron microscopy and luminescence measurements) with increasing molar proportion of mineralizer was observed. It was therefore possible to conclude that high molar proportion of mineralizer in ammonia solution plays a crucial role in the polycrystal growth process. Visible luminescence of high efficiency from the GaN powder was found.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 833-836
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoluminescence and Electron Paramagnetic Resonance Studies of Bulk GaN Doped with Gadolinium
    Autorzy:
    Lipińska, Z.
    Pawłowski, M.
    Żołnierowicz, H.
    Wysmołek, A.
    Palczewska, M.
    Kamińska, M.
    Twardowski, A.
    Boćkowski, M.
    Grzegory, I.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2046930.pdf
    Data publikacji:
    2006-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    71.55.-i
    71.35.-y
    Opis:
    Photoluminescence and electron paramagnetic resonance experiments on strain free GaN bulk crystals of wurtzite structure doped with gadolinium are reported. Efficient gettering of residual GaN donors by Gd was observed. Electron paramagnetic resonance showed that Gd ion incorporated into GaN lattice had Gd$\text{}^{3+}$(4f$\text{}^{7}$) configuration. The observed photoluminescence spectra were explained as due to intracenter Gd$\text{}^{3+}$(4f$\text{}^{7}$) transitions. No ferromagnetic behavior was detected.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 243-248
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Role of Arsenic Antisite Defect in Nonstoichiometric Gallium Arsenide
    Autorzy:
    Jasiński, J.
    Kurpiewski, A.
    Korοna, K.
    Kamińska, M.
    Ρalczewska, M.
    Krotkus, A.
    Marcinkievicius, S.
    Liliental-Weber, Z.
    Tan, H. H.
    Jagadish, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933772.pdf
    Data publikacji:
    1995-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Er
    73.90.+f
    Opis:
    Over the last few years there have been many studies of GaAs layers grown at low temperatures (180-300°C), so called LT GaAs. The interest in LT GaAs was motivated by the potential application of 600oC annealed LT GaAs in microwave and fast optoelectronic devices because of its short photocarrier lifetime, reasonable mobility and high resistivity. These properties are associated with the nonstoichiometry of LT GaAs. Recently, studies of comparable material, nonstoichiometric GaAs produced by arsenic ion implantation have been initiated. There is still a strong controversy as to whether the arsenic antisite (As$\text{}_{Ga}$) or arsenic precipitates are responsible for unique electrical properties of both materials. This paper presents the results of structural and electrical studies of high energy As implanted GaAs and comments on relationships between the structure and the resulting electrical properties.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 747-750
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies