Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Grzegory, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-7 z 7
Tytuł:
Photoluminescence Study of Bulk GaN Doped with Beryllium
Autorzy:
Jaworek, M.
Wysmołek, A.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Boćkowski, M.
Grzegory, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2043722.pdf
Data publikacji:
2005-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
71.55.-i
71.35.-y
Opis:
Photoluminescence of bulk GaN:Be grown by high pressure method is presented. The investigated crystals show well-resolved photoluminescence due to free and bound excitons similar to that observed for homoeptitaxial GaN layers. In addition to the excitonic transitions, pronounced luminescence band at 3.38 eV, due to Be acceptor, is observed. It was found that temperature behavior of this emission is typical of donor- and conduction band-acceptor transitions. The optical activation energy of Be acceptor is obtained to be of 60±15 meV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 705-710
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Time-Resolved Studies of Gallium Nitride Doped with Gadolinium
Autorzy:
Witek, B.
Wysmołek, A.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Potemski, M.
Boćkowski, M.
Grzegory, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812021.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
75.50.Pp
71.55.-i
71.35.Ji
Opis:
Time-resolved photoluminescence experiments on high quality bulk GaN doped with Gd are presented. It was found that the decay time of Gd-related transitions observed for 4.2 K around 1.78 eV is of about 3 ms. Such a long decay time strongly supports the identification of this emission band as due to transitions between Gd³+(4f⁷) levels. The decay time measured for Gd-related transitions observed in the UV spectral range, close to the GaN band-gap, was found to be much faster than 1 μs. This suggests that these emission lines could hardly be correlated with internal transitions within Gd³+(4f⁷). Possible origin of the Gd-related UV luminescence is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1425-1430
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Measurement of Very Small Zeeman Splittings in GaN:Mn,Mg by Faraday Rotation
Autorzy:
Wołoś, A.
Kossacki, P.
Golnik, A.
Kamińska, M.
Gaj, J. A.
Twardowski, A.
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035615.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ls
71.70.Ej
71.55.Eq
71.20.Nr
Opis:
In this work we demonstrate an application of Faraday rotation for measuring an extremely small Zeeman splitting of an Mn related absorption line placed at 1.417 eV in optical absorption spectrum of Mn and Mg doped gallium nitride. Analysis of the collected spectra allowed us to determine the value of the splitting as equal to 0.12±0.01 meV at 6 T. This data should help in establishing the nature of the observed absorption band.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 695-699
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mn Impurity in GaN Studied by Electron Paramagnetic Resonance
Autorzy:
Wołoś, A.
Palczewska, M.
Wilamowski, Z.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Boćkowski, M.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036027.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
71.55.Eq
71.70.Gm
Opis:
We present the results of electron paramagnetic resonance investigations of GaN bulk crystals doped with Mn. The EPR experiment shows the Mn$\text{}^{2+}$ resonance in all the investigated n-type crystals, while in highly resistive samples extra doped with Mg acceptor the Mn$\text{}^{2+}$ resonance decreases. This is a consequence of the location of Mn acceptor level in GaN band gap. The analysis of the spin relaxation times reveals the Korringa scattering as the dominating spin relaxation mechanism in n-type GaN:Mn crystals. The effective exchange constant determined from spin relaxation rate temperature dependence is of the order of 14 meV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 595-600
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Observation of Magnetic Anisotropy in Bulk GaMnN:Mg Crystals
Autorzy:
Gosk, J.
Zając, M.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036861.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
75.30.Gw
75.50.Pp
Opis:
Magnetic properties of bulk wurtzite n-type GaMnN and highly resistive GaMnN:Mg monocrystals were studied for the magnetic field applied parallel and perpendicular to the crystal hexagonal c-axis. Magnetization of both types of samples reveals paramagnetic behavior. However, for n-type GaMnN isotropic magnetization was observed which is in agreement with Mn d$\text{}^{5}$ configuration. On the other hand, GaMnN co-doped with Mg shows large magnetic anisotropy which suggests Mn to be in nonspherical d$\text{}^{4}$ or d$\text{}^{3}$ configuration.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 665-669
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetoluminescence Studies of GaN:Fe
Autorzy:
Niedźwiadek, A.
Wysmołek, A.
Wasik, D.
Potemski, M.
Szczytko, J.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Łucznik, B.
Pastuszka, B.
Grzegory, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047373.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Et
71.55.Eq
71.20.Be
Opis:
We report on magneto-optical studies on iron doped GaN crystals grown using hydride vapor phase epitaxy method on bulk GaN substrate. The investigated samples showed an intensive 1.3 eV luminescence band, characteristic of Fe$\text{}^{3+}$(d$\text{}^{5}$) center in GaN. A high quality of the investigated samples allowed us to observe a well-resolved fine structure of intracenter transitions between $\text{}^{4}$T$\text{}_{1}$(G) and $\text{}^{6}$A$\text{}_{1}$(S) states, consisting of four sharp no-phonon lines. All the observed no-phonon lines showed pronounced splittings in magnetic field. From the analysis of the magneto-optical data, the structure of split $\text{}^{4}$T$\text{}_{1}$(G) multiplet in the magnetic field applied along c-axis of GaN crystals was established.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 177-182
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoluminescence and Electron Paramagnetic Resonance Studies of Bulk GaN Doped with Gadolinium
Autorzy:
Lipińska, Z.
Pawłowski, M.
Żołnierowicz, H.
Wysmołek, A.
Palczewska, M.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Boćkowski, M.
Grzegory, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046930.pdf
Data publikacji:
2006-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
71.55.-i
71.35.-y
Opis:
Photoluminescence and electron paramagnetic resonance experiments on strain free GaN bulk crystals of wurtzite structure doped with gadolinium are reported. Efficient gettering of residual GaN donors by Gd was observed. Electron paramagnetic resonance showed that Gd ion incorporated into GaN lattice had Gd$\text{}^{3+}$(4f$\text{}^{7}$) configuration. The observed photoluminescence spectra were explained as due to intracenter Gd$\text{}^{3+}$(4f$\text{}^{7}$) transitions. No ferromagnetic behavior was detected.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 243-248
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-7 z 7

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies