Photoluminescence Study of Bulk GaN Doped with Beryllium

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Photoluminescence Study of Bulk GaN Doped with Beryllium
Autorzy:: Jaworek, M.
Wysmołek, A.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Boćkowski, M.
Grzegory, I.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2043722.pdf
Data publikacji:: 2005-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.55.Cr
71.55.-i
71.35.-y
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 705-710
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Photoluminescence of bulk GaN:Be grown by high pressure method is presented. The investigated crystals show well-resolved photoluminescence due to free and bound excitons similar to that observed for homoeptitaxial GaN layers. In addition to the excitonic transitions, pronounced luminescence band at 3.38 eV, due to Be acceptor, is observed. It was found that temperature behavior of this emission is typical of donor- and conduction band-acceptor transitions. The optical activation energy of Be acceptor is obtained to be of 60±15 meV.

Informacja

Powiązane pozycje