Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Korona, K. P." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-9 z 9
    Tytuł:
    Model of Hopping between Deep Centers in Low Temperature GaAs
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Kamińska, M.
    Baranowski, J. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1872627.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.50.+t
    72.80.Ey
    Opis:
    A model explaining hopping conductivity via EL2 deep centers in low temperature GaAs is presented. It is proposed that the wave function of the EL2 center consists of a localized part and of an external one. The model can describe such features as large wave function radius of hopping centers, changes of the conductivity during transition of EL2 to the metastable state and a high potential fluctuation amplitude.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 337-340
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deep Defects in Low-Temperature GaAs
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Muszalski, J.
    Kamińska, M.
    Weber, E. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923822.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.-i
    72.80.Ey
    Opis:
    Conductivity of GaAs layers grown by molecular beam epitaxy at low substrate temperature (190-200°C) and then annealed at few different temperatures (between 300 and 600°C) were studied. It was confirmed that electron transport is due to hopping between arsenic antisite defects. Parameters describing hopping conductivity and their dependence on temperature of annealing are discussed. Other deep defects with activation energies of 0.105, 0.30, 0.31, 0.47, 0.55 eV were found using photoinduced current transient spectroscopy measurements.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 821-824
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badanie procesu transferu ładunku wzbudzanego światłem w organicznych ogniwach słonecznych za pomocą czasowo rozdzielczej fotoluminescencji i pobudzanego światłem elektronowego rezonansu spinowego
    Detection of Photo-Induced Charge Transfer in Organic Solar Cells by Time-Resolved Photoluminescence and Light-Induced Electron Spin Reseonance
    Autorzy:
    Grankowska-Ciechanowicz, S.
    Iwan, A.
    Wołoś, A.
    Korona, K. P.
    Kamińska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/160166.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    transfer ładunku
    organiczne ogniwa słoneczne
    czasowo rozdzielcza fotoluminescencja
    pobudzany światłem elektronowy rezonans spinowy
    charge transfer
    organic solar cells
    TRPL
    (L)ESR
    Opis:
    Organiczne ogniwa słoneczne są jednym z obiecujących sposobów przetwarzania energii słonecznej w elektryczną. Procesem mającym decydujący wpływ na ich działanie, jest transfer ładunku wzbudzany światłem. Techniki pomiarowe, które znalazły zastosowanie do bezpośredniej detekcji tego procesu, to czasowo rozdzielcza fotoluminescencja (TRPL – ang. time-resolved photoluminescence) i pobudzany światłem elektronowy rezonans spinowy (LESR – ang. light-induced electron spin resonance). Efektywny transfer ładunku, przy pomocy TRPL, rejestrowany jest jako wygaszanie luminescencji w wyniku przestrzennego rozseparowania ładunków przeciwnego znaku, a za pomocą LESR jako dwie linie pochodzące od dodatniego polaronu po stronie donora i ujemnego polarnu po stronie akceptora. W niniejszej pracy omówione zostaną wymienione techniki pomiarowe oraz ich zastosowanie do detekcji efektywnego transferu ładunku w organicznych ogniwach słonecznych.
    The organic solar cells are considered as promising way to convert solar energy into electricity. A crucial step in their operations is a photo-induced charge transfer (CT). Techniques, which directly detect this phenomenon, are Time-Resolved Photoluminescence (TRPL) and Light-induced Electron Spin Resonance (LESR). Effective photo-induced CT results in electrons and holes separation and creation of positive and negative polarons. First process is registered by TRPL as luminescence quenching, second by LESR as two lines, one from positive, and another from negative polarons. In this article, both techniques will be described as well their application in effective CT detection.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2014, 264; 65-71
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical and Electrical Measurements of Low-Temperature InAlAs
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Wysmołek, A.
    Bożek, R.
    Kamińska, M.
    Baranowski, J. M.
    Weber, E. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923833.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    73.60.Br
    78.55.Cr
    Opis:
    Photoluminescence, photocurrent, thermally stimulated current and photoinduced current transient spectroscopy measurements done on molecular beam epitaxy In$\text{}_{0.52}$Al$\text{}_{0.48}$As layer, lattice matched to InP are reported. The investigated layers were grown on semi-insulating InP wafers, at temperature range from 215 to 450°C. It was found that the Fermi level was pinned to a dominant midgap center (most likely similar to EL2 center). Moreover, there were at least 7 other defects but with much smaller concentrations. Their activation energies were equal to 0.076, 0.11, 0.185, 0.295, 0.32 and 0.40 eV. The layers exhibited a very low luminescence and a small photocurrent.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 825-828
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    FFirst TSC and DLTS Measurements of Low Temperature GaAs
    Autorzy:
    Muszalski, J.
    Babiński, A.
    Korona, K. P.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Kamińska, M.
    Weber, E. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1891236.pdf
    Data publikacji:
    1991-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.-i
    72.80.Ey
    Opis:
    The first thermally stimulated current (TSC) and deep level transient spectroscopy (DLTS) studies performed on GaAs grown by molecular beam epitaxy (MBE) at low substrate temperatures (LT GaAs) are reported. TSC experiments, conducted on as grown and 400-580°C annealed layers showed domination of arsenic antisite (EL2-like) defect and supported its key role in hopping conductivity. DLTS studies, performed on Si doped and annealed at 800°C layers revealed substantially lower concentration of EL2-like defect and an electron trap of activation energy ΔE = 0.38 eV was found.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 413-416
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ultrafast Carrier Trapping and High Resistivity of MeV Energy Ion Implanted GaAs
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Jasiński, J.
    Kurpiewski, A.
    Kamińska, M.
    Jagadish, C.
    Tan, H. H.
    Krotkus, A.
    Marcinkevicius, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1951117.pdf
    Data publikacji:
    1996-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Vv
    72.20.Jv
    72.80.Ey
    Opis:
    Semi-insulating GaAs wafers were implanted with MeV As, Ga, O or Si ions at doses ranging from 1×10$\text{}^{14}$ to 5×10$\text{}^{16}$ cm$\text{}^{-2}$. Their structural properties were studied by electron microscopy and the Rutherford backscattering-channeling. Time resolved photoluminescence, electrical conductivity and the Hall effect were used to determine carrier lifetime and electrical properties of the material. Annealing of the samples at 600°C led to the recovery of transport in conduction band. The As, Ga and O implanted samples became semi-insulating, while the Si implanted samples were n-type. Carrier trapping times were short, shorter than 1 ps for the highest dose used. Models explaining the fast photocarrier decay are discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 851-854
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Formation of Mn-Related Defect Band in InP
    Autorzy:
    Macieja, B.
    Korona, K. P.
    Piersa, M.
    Witowski, A. M.
    Wasik, D.
    Wysmołek, A.
    Strzelecka, G.
    Hruban, A.
    Surma, B.
    Palczewska, M.
    Kamińska, M.
    Twardowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036033.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    72.20.Ee
    72.20.Jv
    Opis:
    Electron paramagnetic resonance, optical absorption, luminescence and electrical studies of InP highly doped with Mn were performed. Electron paramagnetic resonance revealed presence of manganese in Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) configuration. In optical absorption, systematic reduction of InP band gap was observed with increase in Mn content. This was correlated with increase in photoionization-type absorption band starting at 0.2 eV. Time-resolved photoluminescence measurements showed decrease in photoexcited carrier lifetime and shortening of donor-acceptor pair recombination time with increase in Mn content. Moreover, photoluminescence band was shifted to lower energies, similarly to optical band gap. In electrical transport two mechanisms of conductivity were observed. Valence band transport dominated at higher temperatures, above 160 K, and activation energy of free-hole concentration was determined as about 0.20 eV. At lower temperatures hopping conductivity, clearly related to Mn defect band, was present. All these results were consistent with assumption of creation of Mn-related defect-band at 0.2 eV above InP valence band. It was found that Mn centers responsible for this band were in configurations of either d$\text{}^{5}$ or d$\text{}^{5}$ plus a hole localized about 7Å around corresponding Mn core.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 637-642
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical and Electrical Studies of Graphene Deposited on GaN Nanowires
    Autorzy:
    Kierdaszuk, J.
    Kaźmierczak, P.
    Drabińska, A.
    Wysmołek, A.
    Korona, K.
    Kamińska, M.
    Pakuła, K.
    Pasternak, I.
    Krajewska, A.
    Żytkiewicz, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1195433.pdf
    Data publikacji:
    2014-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.ue
    72.10.Fk
    78.67.Wj
    72.80.Vp
    Opis:
    In this paper using scanning electron microscope, contactless microwave electronic transport and the Raman spectroscopy we studied the properties of graphene deposited on GaN nanowires and compared it with the graphene deposited on GaN epilayer. The Raman micro-mapping showed that nanowires locally change the strain and the concentration of carriers in graphene. Additionally we observed that nanowires increase the intensity of the Raman spectra by more than one order of magnitude.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1087-1089
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical and Electrical Studies of FR1 and FR2 Defects in GaAs
    Autorzy:
    Dwiliński, R.
    Palczewska, M.
    Kaczor, P.
    Korona, K.
    Wysmołek, A.
    Bożek, R.
    Kamińska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1920972.pdf
    Data publikacji:
    1992-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.-i
    78.50.Ge
    76.30.Mi
    Opis:
    The systematic EPR, optical absorption, photoluminescence and thermally stimulated current studies of acceptor defects in bulk GaAs were performed. For the first time, parallel EPR and optical absorption experiments allowed to find the absorption spectrum due to the photoionization of FR1 defect with the threshold at 0.19 eV. Photoluminescence studies showed two families of bands in the energy range of about 1.25 to 1.35 eV. We tentatively ascribed them to FR1 and FR2 complexes with shallow donors. Thermally stimulated current measurements showed two peaks at 90 K and 110 K assigned to FR1 and FR2 respectively.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 613-616
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-9 z 9

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies