Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Johnson, D. R." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-7 z 7
Tytuł:
Influence of Yb on Valence Band Density of States of CdYbTe and PbYbTe - a Resonant Photoemission Study
Autorzy:
Szamota-Sadowska, K.
Kowalski, B. J.
Guziewicz, E.
Orłowski, B. A.
Sadowski, J.
Gołacki, Z.
Ghijsen, J.
Johnson, R. L.
Belkhou, R.
Radosavkič, D.
Martinotti, D.
Barrett, N.
Guillot, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952185.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Vv
Opis:
Photoemission measurements using synchrotron radiation were performed on PbYbTe (bulk crystal) and CdYbTe (MBE thin film). The resonant enhancement of the photoemission was applied for investigation of the contribution of Yb 4f electrons to the valence band. The set of the energy distribution curves was collected for energies in the region close to the 4d-4f Fano transition. The Yb 4f$\text{}^{14}$ were observed at the binding energies close to the edge of the valence band while the 4f$\text{}^{13}$ states were revealed deep in the valence band.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 943-946
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant Photoemission Study of Mn 3d Electrons Contribution to the Pb$\text{}_{0.92}$Mn$\text{}_{0.08}$Se Valence Band
Autorzy:
Orłowski, B. A.
Kowalski, B. J.
Le Van, Khoi
Gałązka, R. R.
Ghijsen, J.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1872563.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.20.Fi
79.60.-i
Opis:
The resonant photoemission spectroscopy was applied to investigate the valence band electronic structure of semimagnetic semiconductor Pb$\text{}_{0.92}$Mn$\text{}_{0.08}$Se crystal and to determine the contribution of Mn 3d electrons to the valence band. The set of energy distribution curves and constant initial states spectra were taken for by energies in the region (40-60 eV) close to the Mn 3p-3d transition. The electrons Mn 3d hybridize and contribute to the valence band electrons of the crystal and main density of states contribution appears in the energy 3.5 ± 0.2 eV below the valence band edge.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 329-332
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fe 3d Contribution to the Valence Band of Cubic Hg$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$S - Resonant Photoemission Study
Autorzy:
Kowalski, B. J.
Orłowski, B. A.
Szuszkiewicz, W.
Witkowska, B.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933837.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
Opis:
Resonant photoemission spectra of cubic Ηg$\text{}_{0.94}$Fe$\text{}_{0.06}$S were measured for photon energies near to the energy of intra atomic Fe 3p$\text{}^{6}$3d$\text{}^{6}$ → 3p$\text{}^{5}$3d$\text{}^{7}$ transition. The difference between the spectra taken at resonance and antiresonance is presented as a measure of the energy distribution of Fe 3d derived states. The results obtained show that Fe 3d states contribute to the whole valence band with a distinct structure appearing at the band edge.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 791-794
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Gd 4f and 5d Electrons in Sn$\text{}_{0.96}$Gd$\text{}_{0.04}$Te Valence Band
Autorzy:
Orłowski, B. A.
Kowalski, B. J.
Gołacki, Z.
Story, T.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933933.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
71.20.Fi
Opis:
The synchrotron radiation was applied to measure resonant photoemission spectra (Fano-type Gd 4d-4f resonance), constant initial states and constant final states to study the valence band electronic structure of Sn$\text{}_{0.96}$Gd$\text{}_{0.04}$Te crystal. The resonant energy was found equal to 150.3 eV. The electrons 4f were found to contribute to the valence band of the crystal with the maximum located at 9.5 eV below the valence band edge whereas 5d electrons contribute at the crystal valence band edge.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 857-860
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoemission Study of Mn 3d Electrons in the Valence Band of Mn/GeMnTe
Autorzy:
Pietrzyk, M. A.
Kowalski, B. J.
Orłowski, B. A.
Knoff, W.
Osinniy, V.
Kowalik, I. A.
Story, T.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047678.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
71.20.Mq
Opis:
We present the results of the electronic band structure study of Ge$\text{}_{0.9}$Mn$\text{}_{0.1}$Te epilayers, clean and modified in situ by deposition of manganese atoms. The sets of resonant photoemission spectra were measured for the photon energy range covering the energy of Mn 3p→3d transition (45
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 275-281
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Valence Band Density of States and Mn 3d Contribution in Mn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Te
Autorzy:
Kowalski, B. J.
Guziewicz, E.
Kopalko, K.
Orłowski, B. A.
Janik, E.
Wojtowicz, T.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1991616.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.20.Nr
79.60.-i
Opis:
Resonant photoemission spectroscopy was applied to determine the Mn 3d derived contribution to the valence band density of states of Mn$\text{}_{0.44}$ Mg$\text{}_{0.56}$Te grown by molecular beam epitaxy on a GaAs(001) substrate. The modifications of the valence band density-of-states distribution are discussed as a consequence of the substitution of Mg ions for Mn ions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 401-405
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cr 3d Surface and Bulk States in Sn$\text{}_{1-x}$Cr$\text{}_{x}$Te/Cr Crystals
Autorzy:
Guziewicz, E.
Szamota-Sadowska, K.
Kowalski, B. J.
Grodzicka, E.
Story, T.
Orłowski, B. A.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1963380.pdf
Data publikacji:
1997-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.35.Fx
79.60.-i
Opis:
We report a new approach to investigate metal-semiconductor interface formation. Photoemission spectroscopy was applied in order to investigate the clean surface of a Sn$\text{}_{0.97}$Cr$\text{}_{0.03}$ Te crystal and to observe its changes under sequential deposition of small amounts of Cr atoms. In order to analyse the Cr 3d contribution to the valence band, the Fano-type resonance tuned to the Cr 3p-3d transition was used. The experiment was designed to follow the Sn$\text{}_{0.97}$Cr$\text{}_{0.03}$ Te/Cr interface formation process. At the clean Sn$\text{}_{0.97}$Cr$\text{}_{0.03}$Te surface, the Cr 3d states contribution to the valence band was found to be positioned 0.8 eV below the Fermi level. After the Cr deposition processes the contribution shifted to a higher binding energy and another contribution 5.8 eV below the Fermi level was also observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 4; 783-787
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-7 z 7

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies