Autor: Zareba, A. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Optimization of selected parameters of SiGe HBT transistors
Autorzy:: Zaręba, A.
Jakubowski, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/309306.pdf
Data publikacji:: 2000
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: heterojunction bipolar transistor
base transit time
current gain
Opis:: SiGe-base HBTs with Gaussian doping distribution are modeled including the effect of the drift field and variable Ge concentration in the base on the diffusion coefficient. Two different Ge distributions in the base are considered: a triangular one and a box one.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 15-18
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Modeling of the inverse base width modulation effect in HBT transistor with graded SiGe base
Autorzy:: Zaręba, A.
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308625.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: heterojunction bipolar transistor
SiGe
base width modulation
Opis:: A model of the position of the edge of emitter-base junction in the base and collector current pre-exponential ideality factor in HBT transistor with a SiGe base is presented. The model is valid for transistors with nonuniform profiles of doping and Ge content. The importance of taking into account the dependence of the effective density of states in SiGe on local Ge content and that of electron diffusion coefficient in SiGe on drift field for modeling accuracy is studied.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 88-92
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: An impact of frequency on capacitances of partially-depleted SOI MOSFETs
Autorzy:: Tomaszewski, D.
Łukasik, L.
Zaręba, A.
Jakubowski, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/309325.pdf
Data publikacji:: 2000
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: SOI MOSFET
small-signal models
non-quasi-static analysis
admittances
Opis:: A non-quasi-static model of partially-depleted SOI MOSFETs is presented. Phenomena, which are particularly responsible for dependence of device admittances on frequency are briefly described. Several C-V characteristics of the SOI MOSFET calculated for a wide range of frequencies, preliminary results of numerical analysis and of measurements and brief analysis of the results are presented. Methods of model improvement are proposed.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 67-71
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja