Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Jablonski, R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-12 z 12
    Tytuł:
    Radius measurement of cylindrical surfaces based on analyzing the interference pattern obtained by scanning the surface with focused laser beam
    Autorzy:
    Jabłoński, R.
    Mąkowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/384301.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
    Tematy:
    radius of curvature
    laser diffraction
    interference pattern
    Opis:
    A focused laser beam is incident on the edge of cylindrical object. The reflected edge wave is interfering with geometrical wave forming fringe pattern containing the information about the surface local curvature. This can be determined by analyzing the detector output signal.
    Źródło:
    Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems; 2009, 3, 4; 37-40
    1897-8649
    2080-2145
    Pojawia się w:
    Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electron Spin Resonance Study of Nd$\text{}^{3+}$ and Er$\text{}^{3+}$ Ions in YAlO$\text{}_{3}$
    Autorzy:
    Jabłoński, R.
    Frukacz, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1945633.pdf
    Data publikacji:
    1996-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    76.30.-v
    61.72.-y
    42.70.Hj
    Opis:
    In this paper we present the results of ESR and photo-ESR measurements on YAlO$\text{}_{3}$(YAP) single crystals and powder samples doped purposely with about 1 at.% Nd$\text{}^{3+}$ and undoped crystals in which Er$\text{}^{3+}$ was observed as residual dopant. The ESR measurements were carried out at X-band spectrometer in 4-300 K temperature range. The photo-ESR was performed at 5 K using a mercury arc lamp. For the Nd$\text{}^{3+}$ doped crystals the intensity of ESR signal decreased about 2 times during illumination conditions. Moreover, the calculations of the g tensor and A hyperfine structure parameters for Nd$\text{}^{3+}$ and Er$\text{}^{3+}$ were carried out.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 2; 339-343
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zastosowanie analitycznej metody obliczania przedziału rozszerzenia do oceny niepewności pomiaru małych średnic zewnętrznych laserowym przyrządem skanującym
    Application of an analytical method for calculating a coverage interval to evaluation the measurement uncertainty of small diameter obtained using a laser scanning instrument
    Autorzy:
    Fotowicz, P.
    Jabłoński, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/275164.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
    Tematy:
    metrologia
    niepewność pomiaru
    optyka laserów
    metrology
    measurement uncertainty
    laser optics
    Opis:
    W artykule omówiono praktyczne zastosowanie analitycznej metody obliczania niepewności pomiaru. Metoda umożliwia wyznaczanie niepewności zgodnie z przyjętą definicją przedziału rozszerzenia. Wykorzystano ją do analizy wyniku pomiaru uzyskanego przy użyciu laserowego przyrządu skanującego. Przyrządy te należą do kategorii bezstykowych urządzeń pomiarowych wykorzystujących zogniskowaną wiązkę laserową. Na ogół stosuje się je do pomiaru elementów maszynowych, takich jak druty lub włókna. Zasada działania przyrządów polega na pomiarze czasu przesłonięcia wiązki laserowej przemiatanej wzdłuż mierzonego wymiaru. Mierzony obiekt nie ma ustalonej pozycji i może przemieszczać się w trakcie pomiaru w określonym obszarze pomiarowym. Powoduje to powstawanie błędu systematycznego pomiaru. Błąd ten traktowany jest probabilistycznie jako część przedziału rozszerzenia. Jego wartość graniczna została wyznaczona na postawie analizy matematycznej przeprowadzonej w oparciu o poznane zjawiska związane z pomiarem, wykorzystując rozwiązania stosowane w dziedzinie optyki laserów.
    Practical application of the analytical method for calculating the measurement uncertainty are presented. The method enables determination of uncertainty in accordance with the probabilistic definition of the coverage interval for a measurand. The method was used to analysis of a contactless measurement of small diameters with a laser scanning instruments. These instruments are often used to measure geometrical dimensions of workpieces such as wires or fibers. The working principle of the instruments is based on measuring time of shading of the laser beam that is swept across such objects, which is proportional to the size of the measured object. The object can be moved within the area of measurement. A change in the position of an object is the source of a systematic error of measurement, which is treated probabilistically as a component of the coverage interval. Its maximum value is estimated with the use of mathematical analysis based on known physical phenomena occurring in laser optics techniques.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Robotyka; 2010, 14, 2; 5-11
    1427-9126
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Robotyka
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Dopant-Based Charge Sensing Utilizing P-I-N Nanojunction
    Autorzy:
    Nowak, R.
    Jabłoński, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/220915.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    nanosensor
    silicon
    p-i-n junction
    dopant
    Kelvin Probe Force Microscope
    Opis:
    We studied lateral silicon p-i-n junctions, doped with phosphorus and boron, regarding charge sensing feasibility. In order to examine the detection capabilities and underlying mechanism, we used in a complementary way two measurement techniques. First, we employed a semiconductor parameter analyzer to measure I−V characteristics at a low temperature, for reverse and forward bias conditions. In both regimes, we systematically detected Random Telegraph Signal. Secondly, using a Low Temperature Kelvin Probe Force Microscope, we measured surface electronic potentials. Both p-i-n junction interfaces, p-i and i-n, were observed as regions of a dynamic behaviour, with characteristic time-dependent electronic potential fluctuations. Those fluctuations are due to single charge capture/emission events. We found analytically that the obtained data could be explained by a model of two-dimensional p-n junction and phosphorus-boron interaction at the edge of depletion region. The results of complementary measurements and analysis presented in this research, supported also by the previous reports, provide fundamental insight into the charge sensing mechanism utilizing emergence of individual dopants.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2017, 24, 2; 391-399
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electron Spin Resonance Spectra of Fe$\text{}^{3+}$ Ions in SrLaAlO$\text{}_{4}$ and SrLaGaO$\text{}_{4}$ High-T$\text{}_{c}$ Substrates
    Autorzy:
    Jabłoński, R.
    Pajączkowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1964358.pdf
    Data publikacji:
    1997-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    76.30.-v
    61.72.Hh
    Opis:
    New results concerning paramagnetic defects in SrLaAlO$\text{}_{4}$ and SrLaGaO$\text{}_{4}$ high-T$\text{}_{c}$ substrates connected with unavoidable impurity Fe$\text{}^{3+}$ are reported. The identification was checked by measuring the spectra in SrLaAlO$\text{}_{4}$ crystals intentionally doped with 0.5 at.% Fe. Angular dependences of three lines were distinguished at X-band frequency in the temperature range from 4 K to 300 K. We attribute these lines to the transitions inside the doublets ±1/2, and "forbidden" doublets ±3/2, ±5/2, respectively. By diagonalization of spin-Hamiltonian, parameters |D| > 1.2 cm$\text{}^{-1}$, |E| ≈ 0.1 cm$\text{}^{-1}$ and g$\text{}_{x}$=g$\text{}_{y}$=g$\text{}_{z}$= 1.987(13) for SrLaAlO$\text{}_{4}$ and SrLaGaO$\text{}_{4}$ were calculated and within the margin of error they were of the same value.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 1; 173-176
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electron Spin Resonance Study of Thermal Defects in SrLaAlO$\text{}_{4}$ and SrLaGaO$\text{}_{4}$ High-T$\text{}_{c}$ Substrates
    Autorzy:
    Jabłoński, R.
    Gloubokov, A.
    Pajączkowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1964356.pdf
    Data publikacji:
    1997-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    76.30.-v
    61.72.Hh
    61.72.Ji
    Opis:
    The effect of annealing SrLaAlO$\text{}_{4}$ (SLA) and SrLaGaO$\text{}_{4}$ (SLG) crystals in oxidizing and reducing atmospheres in the temperature range of 950°C-1300°C was investigated. Three kinds of anisotropic defects D$\text{}_{1}$, D$\text{}_{2}$, and E at the temperature range of 4-300 K were found. By diagonalization of orthorhombic spin-Hamiltonian parameters: |D|=0.0541(10) cm$\text{}^{-1}$, |E|=0.0108(10) cm$\text{}^{-1}$, g$\text{}_{∥}$=0.883(5), and g$\text{}_{⊥ }$=1.922(5) for D$\text{}_{1}$ defects for SLG and SLA were calculated and they had the same values within the margin of error.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 1; 169-172
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Color calibration method providing uniform distribution of color difference throughout the whole vision gamut
    Autorzy:
    Kretkowski, M.
    Shimodaira, Y.
    Jabłoński, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/385076.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
    Tematy:
    color gamut
    color difference
    LED color generator
    color reference
    Opis:
    Accurate reproduction of colors requires methods of calibrating a digital camera. In case of a camera which employs filters with spectral characteristics deduced from the color matching functions, a set of reference calibration colors must be used to obtain a conversion matrix between raw data from imaging sensor and colorimetric tristimulus values XYZ, from which the output signal is formed. The XYZ camera used for testing of the presented calibration me thod is capable of acquiring colors accurately in the whole vision gamut due to its filters. However, the well-established color references, like the Macbeth Chart or other similar color checkers, are not entirely sufficient for the calibration due to their enclosure in smaller color gamut (HDTV - High Definition Television) than the whole vision gamut. The presented method is based on choosing the calibration colors by their spectral distributions, which are related with the spectral characteristics of the filters. The obtained result was found to be ?E=1.57 for the designed colors.
    Źródło:
    Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems; 2009, 3, 4; 213-216
    1897-8649
    2080-2145
    Pojawia się w:
    Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Application of atomic force microscopy for studies of fractal and functional properties of biomaterials
    Autorzy:
    Kulesza, S.
    Bramowicz, M.
    Czaja, P.
    Jabłoński, R.
    Kropiwnicki, J.
    Charkiewicz, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1075857.pdf
    Data publikacji:
    2016-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    06.30.Bp
    68.37.Ps
    68.35.bd
    81.05.Bx
    87.85.J-
    Opis:
    The paper presents results of numerical analysis of AFM images of a surface of sandblasted Ti6Al7Nb alloys before and after wet etching procedure usually used for preparing commercially viable dental implants. Obtained results demonstrate that etching procedure efficiently cleans the implants as it leaves almost pure Ti-Al-Nb surface with trace amounts of alkali metals and increased hydrophobicity. Apart of that, it turned out that simple statistical measures of the height variations (root mean square roughness) only slightly change upon the treatment procedure, especially for scan lengths below 20 μm. On the other hand, correlation analysis exhibits bifractal surface patterns composed of regular residues left on otherwise helical ridges of the base material. Etching leaves its fingerprint in fractal dimension, but not in the corner frequency.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 4; 1013-1015
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Detection of individual dopants in singe-electron devices - a study by KFM observation and simulation
    Autorzy:
    Ligowski, M.
    Moraru, D.
    Miftahul, A.
    Tarido, J. C.
    Mizuno, T.
    Tabe, M.
    Jabłoński, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/385159.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
    Tematy:
    single dopant
    Kelvin Probe Force Microscope
    single-electron transfer
    Opis:
    Single electron devices (SEDs) are candidates to become a keystone of future electronics. They are very attractive due to low power consumption, small size or high operating speed. It is even possible to assure compatibility with present CMOS technology when natural potential fluctuations introduced by dopant atoms are used to create quantum dots (QD). However, the main problem of this approach is due to the randomness of dopant distribution which is characteristic for conventional doping techniques. This leads to scattered characteristics of the devices, which precludes from using them in the circuits. In these work we approach the problem of correlating the distribution of QD's with the device characteristics. For that, we investigate with a Kelvin probe force microscope (KFM) the surface potential of Si nanodevice channel in order to understand the potential landscape. Results reveal the features ascribable to individual dopants. These findings are supported also by simulation results.
    Źródło:
    Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems; 2009, 3, 4; 130-133
    1897-8649
    2080-2145
    Pojawia się w:
    Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Anisotropic Magnetic Susceptibility of Neodymium Substituted SrLaAlO$\text{}_{4}$ Crystals
    Autorzy:
    Fink-Finowicki, J.
    Puźniak, R.
    Baran, M.
    Jabłoński, R.
    Berkowski, M.
    Pajączkowska, A.
    Szymczak, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1931256.pdf
    Data publikacji:
    1994-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.30.Hx
    75.10.Dg
    71.70.Ch
    Opis:
    The uniaxial anisotropy of magnetic properties of SrLa$\text{}_{1-x}$Nd$\text{}_{x}$AlO$\text{}_{4}$ single crystals (x = 0.01 and 0.05) was found from the measurements of temperature dependencies of magnetic susceptibility. Results of measurements, with magnetic field along a- and c-axis, are compared with the similar data obtained for CaNdAlO$\text{}_{4}$ crystal. The successful description of experimental data was done in frames of the crystal field approximation. The anisotropy of magnetic susceptibility appears due to crystal field acting on magnetic neodymium ions in a system without exchange interactions.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1994, 85, 3; 633-637
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of ~^-radiation on Dy[3+] doped LiNbO[3] single crystals
    Autorzy:
    Kaczmarek, S. M.
    Łukasiewicz, T.
    Pracka, I.
    Jabłoński, R.
    Boulon, G.
    Kaczmarek, B.
    Warchoł, S.
    Powiązania:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej 1998, nr 7-8, s. 101-112
    Data publikacji:
    1998
    Tematy:
    Monokryształy
    Kryształy
    Promieniowanie
    Chemia
    Opis:
    Wpływ promieniowania gamma na domieszkowane Dy[3+] monokryształy LiNbO[3].
    Rys.; bibliogr.; Abstr., Rez., streszcz.
    Dostawca treści:
    Bibliografia CBW
    Artykuł
    Tytuł:
    Superconductivity in Indium Diffused GaAs
    Autorzy:
    Baranowski, J. M.
    Wójcik, P.
    Palczewska, M.
    Jabłoński, R.
    Weber, E. R.
    Yau, W. P.
    Sohn, H.
    Werner, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1921582.pdf
    Data publikacji:
    1992-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    74.70.Mq
    76.20.+q
    Opis:
    Superconductivity of indium diffused GaAs was investigated. The superconductivity in these samples was identified by the magnetic susceptibility and the characteristic field modulated microwave absorption. The static magnetic susceptibility was measured from 40 K down to 2.5 K. The result shows two distinctive diamagnetic contributions within 7 K-2.5 K range. These diamagnetic contributions were correlated with the excess of In and Ga metal in GaAs.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 670-673
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-12 z 12

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies