Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Electron Spin Resonance Study of Thermal Defects in SrLaAlO$\text{}_{4}$ and SrLaGaO$\text{}_{4}$ High-T$\text{}_{c}$ Substrates

Tytuł:
Electron Spin Resonance Study of Thermal Defects in SrLaAlO$\text{}_{4}$ and SrLaGaO$\text{}_{4}$ High-T$\text{}_{c}$ Substrates
Autorzy:
Jabłoński, R.
Gloubokov, A.
Pajączkowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1964356.pdf
Data publikacji:
1997-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
76.30.-v
61.72.Hh
61.72.Ji
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 1; 169-172
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The effect of annealing SrLaAlO$\text{}_{4}$ (SLA) and SrLaGaO$\text{}_{4}$ (SLG) crystals in oxidizing and reducing atmospheres in the temperature range of 950°C-1300°C was investigated. Three kinds of anisotropic defects D$\text{}_{1}$, D$\text{}_{2}$, and E at the temperature range of 4-300 K were found. By diagonalization of orthorhombic spin-Hamiltonian parameters: |D|=0.0541(10) cm$\text{}^{-1}$, |E|=0.0108(10) cm$\text{}^{-1}$, g$\text{}_{∥}$=0.883(5), and g$\text{}_{⊥ }$=1.922(5) for D$\text{}_{1}$ defects for SLG and SLA were calculated and they had the same values within the margin of error.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies