Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Ivanov, I." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-10 z 10
Tytuł:
Analiza parametrow technicznych owijarek do bel podsuszonej zielonki
Analysis of technical parameters of wrappers for bales with green fodder
Autorzy:
Gach, S
Korpysz, K.
Ivanov, S.
Skonieczny, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/883091.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Maszyn Rolniczych
Tematy:
maszyny rolnicze
analiza porownawcza
owijarki
parametry techniczne
Opis:
Przeanalizowano ofertę owijarek obejmującą 125 modeli zestawionych w tabeli. Maszyny do owijania bel walcowych stanowią 76% a uniwersalne 19%. Owijarki przeznaczone są do bel walcowych o średnicy od 80 do 180 cm, a prostopadłościennych o wymiarach poprzecznych od 70 do 125 cm i długości do 200 cm. Typowym rozwiązaniem stołu roboczego są rolki walcowe z pasami stanowiące 56% ogólnej liczby rozwiązań. Większość maszyn przystosowanych jest do owijania folią o szerokości 50 lub 75 cm. Najszerszą gamą produktów wyróżnia się firma Göweil, która oferuje 15 różnych typów owijarek.
The analysis of offered wrappers (including 125 models given in table) was presented. The machinery for wrapping of cylindrical bales cover 76% of the offer, while 19 % there are universal solutions. The wrappers are designed for cylindrical bales with 80 - 180 cm diameter and rectangular bales with 70 - 125 cm (lateral sizes) and not longer than 200 cm. The typical solution concerning working table there are cylindrical rolls with belts (about 56 % of the considered solutions). Most of the machines are adapted for wrapping with plastic film width 50 cm or 75 cm. The most number of models is offered by Göweil company; the mentioned company offers 15 different type of wrappers.
Źródło:
Technika Rolnicza Ogrodnicza Leśna; 2008, 05; 20-24
1732-1719
2719-4221
Pojawia się w:
Technika Rolnicza Ogrodnicza Leśna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza mozliwosci wykorzystania roznego typu owijarek do bel podsuszonej zielonki
Analysis of possibilities to use different round bale wrappers to prepare bales with half-dried green fodder
Autorzy:
Gach, S
Korpysz, K.
Ivanov, S.
Skonieczny, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/884115.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Maszyn Rolniczych
Tematy:
prasoowijarki
maszyny rolnicze
owijarki z zaladunkiem
wykorzystanie
owijarki
rozwiazania konstrukcyjne
owijarki bez urzadzen zaladunkowych
Opis:
W artykule dokonano podziału owijarek ze względu na, sposób załadunku bel na stół roboczy oraz współpracę z ciągnikiem jako zawieszane i przyczepiane oraz współpracujące bezpośrednio z prasami zwijającymi. Opisano budowę i działanie maszyn.
The paper presents review of round bale wrappers including such aspects as: loading of table with bale, mounted and semimounted version of the machinery as well as the wrappers directly connected with round balers. Constructional and operational aspects of the machines have been described.
Źródło:
Technika Rolnicza Ogrodnicza Leśna; 2008, 04; 8-11
1732-1719
2719-4221
Pojawia się w:
Technika Rolnicza Ogrodnicza Leśna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Tendencje w rozwoju konstrukcji owijarek do bel podsuszonej zielonki
Tendencies of development of wrappers construction for predrying forage in bale
Autorzy:
Gach, S
Korpysz, K.
Ivanov, S.
Skonieczny, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/883039.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Maszyn Rolniczych
Tematy:
maszyny rolnicze
owijarka G 3010-a
owijarki
konstrukcja maszyn
owijarki z nieruchomym stolem
rozwiazania techniczne
owijarki szeregowe
owijarka RF 135 BalePack
owijarki z obrotowym stolem
Opis:
W artykule dokonano podziału owijarek ze względu na sposób działania. Opisano budowę i działanie typowych maszyn. Zwrócono uwagę na sposoby nakładania folii na belę i jakość folii.
The paper presents wrappers classification in view of operation manner. There are presented construction and operation of typical machines. Notice on methods of imposition foil on bale and foil quality.
Źródło:
Technika Rolnicza Ogrodnicza Leśna; 2008, 03; 7-10
1732-1719
2719-4221
Pojawia się w:
Technika Rolnicza Ogrodnicza Leśna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optically Pumped Low Threshold ZnSe Based Lasers with 2.8 ML CdSe Active Region
Autorzy:
Sorokin, S.
Toropov, A.
Shubina, T.
Lebedev, A.
Sedova, I.
Ivanov, S.
Waag, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992195.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Hf
78.45.+h
Opis:
Room-temperature optically pumped (Zn,Mg)(S,Se)/(Zn,Cd)Se laser structures have been grown by molecular beam epitaxy. Using of alternatively-strained short-period superlattice waveguide results in low threshold power density values over the whole blue-green (470-520 nm) wavelength range. Incorporation of CdSe fractional monolayer active region provides more than fourfold further decrease in threshold with respect to quantum well laser structure. Optical and structural properties of laser structure with 2.8 monolayer CdSe are discussed in detail.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 539-544
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
CdSe Layers of Below Critical Thickness in ZnSe Matrix: Intrinsic Morphology and Defect Formation
Autorzy:
Sedova, I.
Shubina, T.
Sorokin, S.
Sitnikova, A.
Toropov, A.
Ivanov, S.
Willander, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992185.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.45.+h
Opis:
Three main stages of the intrinsic morphology transformation of MBE grown CdSe fractional monolayers in ZnSe with increase in their nominal thickness w in the 0.1-3.0 monolayer range were found using both structural and optical characterization techniques. Emergence of the extended (15-30 nm) CdSe-enriched quantum-dot-like pseudomorphic islands at w>0.7 monolayer with the density increasing up to 2.5×10$\text{}^{10}$ cm$\text{}^{-2}$ at w=2.8 monolayer is clearly displayed in the optical properties of CdSe fractional monolayer nanostructures. The below critical thickness CdSe fractional monolayers having extremely high quantum efficiency can be very perspective as an active region of ZnSe-based blue-green lasers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 519-525
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
CdSe/ZnCdSe Quantum Dot Heterostructures for Yellow Spectral Range Grown on GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy
Autorzy:
Gronin, S.
Sorokin, S.
Kazanov, D.
Sedova, I.
Klimko, G.
Evropeytsev, E.
Ivanov, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1376051.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Hi
78.55.Et
78.67.Hc
68.65.Fg
Opis:
This paper reports on theoretical calculations and fabrication by molecular beam epitaxy of wide-gap II-VI heterostructures emitting in the "true" yellow range (560-600 nm) at room temperature. The active region of the structures comprises CdSe quantum dot active layer embedded into a strained $Zn_{1-x}Cd_{x}Se$ (x=0.2-0.5) quantum well surrounded by a Zn(S,Se)/ZnSe superlattice. Calculations of the CdSe/(Zn,Cd)Se/Zn(S,Se) quantum dot-quantum well luminescence wavelength performed using the envelope-function approximation predict rather narrow range of the total $Zn_{1-x}Cd_{x}Se$ quantum well thicknesses (d ≈ 2-4 nm) reducing efficiently the emission wavelength, while the variation of x (0.2-0.5) has much stronger effect. The calculations are in a reasonable agreement with the experimental data obtained on a series of test heterostructures. The maximum experimentally achieved emission wavelength at 300 K is as high as 600 nm, while the intense room temperature photoluminescence has been observed up to λ =590 nm only. To keep the structure pseudomorphic to GaAs as a whole the tensile-strained surrounding $ZnS_{0.17}Se_{0.83}$/ZnSe superlattice were introduced to compensate the compressive stress induced by the $Zn_{1-x}Cd_{x}Se$ quantum well. The graded-index waveguide laser heterostructure with a CdSe/$Zn_{0.65}Cd_{0.35}Se$/Zn(S,Se) quantum dot-quantum well active region emitting at λ =576 nm (T=300 K) with the 77 to 300 K intensity ratio of 2.5 has been demonstrated.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1096-1099
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical and Structural Properties of GaAs/AlGaAs Quantum Wells Grown by MBE in the Vicinity of As-Rich-GaAs/ZnSe Heterovalent Interface
Autorzy:
Klimko, G.
Evropeytsev, E.
Sitnikova, A.
Gronin, S.
Sedova, I.
Sorokin, S.
Ivanov, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1376199.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.-w
68.65.-k
81.15.Hi
Opis:
The studies of structural and optical properties of molecular beam epitaxy grown pseudomorphic hybrid structures with AlGaAs/GaAs quantum well placed closely to the GaAs/ZnSe heterointerface are presented. The interfaces were formed in different ways (Zn or Se initial GaAs surface exposure, different growth temperature and ZnSe growth mode) on As-rich c(4×4) and (2×4) GaAs surfaces. It has been demonstrated that the photoluminescence intensity from the near-heterointerface GaAs QW is influenced most significantly by the procedure of ZnSe growth initiation. The bright photoluminescence (77 K) from the near-interface GaAs quantum well is observed if the Se-decoration procedure is used during the GaAs/ZnSe heterointerface formation on (2×4)As GaAs surface. It reduces noticeably if the GaAs reconstruction changes to c(4×4)As and disappears completely when Zn pre-exposure of GaAs surface is used. These effects are discussed in terms of different ratio of Ga-Se and As-Zn bonds at the GaAs/ZnSe heterointerface resulting in different band offsets and/or uncompensated built-in electric fields.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1184-1186
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Micro-photoluminescence studies of CdSe/ZnSe quantum dot structures grown under different conditions
Autorzy:
Rakhlin, M.
Sorokin, S.
Sedova, I.
Usikova, A.
Gronin, S.
Belyaev, K.
Ivanov, S.
Toropov, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1156645.pdf
Data publikacji:
2016-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.65.Hb
78.55.Et
81.07.Ta
Opis:
We report on comparative studies of CdSe/ZnSe quantum dot structures grown by molecular beam epitaxy either with or without predeposition of a sub-monolayer-thick CdTe layer (stressor). Also we consider the structure grown in a thermal activation mode. Emission properties of individual quantum dots are investigated by micro-photoluminescence spectroscopy using 500 nm apertures opened in a non-transparent gold mask. The density of emitting quantum dots and the spectral width of the single-dot emission lines are estimated.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 1a; A-117-A-119
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structural and Optical Properties of Alternately-Strained $ZnS_{x}Se_{1-x}$/CdSe Superlattices with Effective Band-Gap 2.5-2.6 eV
Autorzy:
Evropeytsev, E.
Sorokin, S.
Gronin, S.
Sedova, I.
Klimko, G.
Sitnikova, A.
Baidakova, M.
Ivanov, S.
Toropov, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1376074.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.67.Pt
81.07.-b
78.55.-m
Opis:
We report on design and fabrication of alternately-strained $ZnS_xSe_{1-x}$/CdSe short period superlattices with the effective band-gap 2.52, 2.58, and 2.61 eV and the total thickness ≈300 nm. Transmission electron microscopy, X-ray diffraction, and photoluminescence measurements reveal negligibly small density of misfit dislocations in the superlattices. The investigation of carrier transport along the superlattice growth axis, performed by the photoluminescence measurements of a superlattice with one enlarged quantum well, confirms efficient Bloch-type transport at temperatures above ≈ 100 K. Such superlattices look promising for the applications as a material for the wide band-gap photoactive region of a multi-junction solar cell comprising both III-V and II-VI materials.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1156-1158
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effective Green Semiconductor Lasers with Multiple CdSe/ZnSe QD Active Region for Electron Beam Pumping
Autorzy:
Gronin, S.
Sorokin, S.
Sedova, I.
Kop'ev, P.
Ivanov, S.
Zverev, M.
Gamov, N.
Peregoudov, D.
Studionov, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811929.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Et
78.67.Hc
Opis:
The characteristics of ZnSe-based electron beam pumped semiconductor lasers are presented in detail. The laser structures consist of a 0.6 μm thick superlattice waveguide centered with ten equidistantly placed CdSe/ZnSe quantum dot active layers. The maximum light output pulse power of 12 W per facet at room temperature along with an extremely high quantum efficiency of ≈8.5% were obtained at an electron beam pumping energy of 23 keV (the laser wavelength is of 542 nm). The calculations of a spatial distribution of non-equilibrium carrier concentration within the semiconductor structures under electron beam pumping are presented. The possible ways of further improvement of laser efficiency are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1115-1122
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-10 z 10

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies