Autor: Yatsunenko, S. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Characterization of ZnO Films Grown at Low Temperature
Autorzy:: Przeździecka, E.
Krajewski, T.
Wójcik-Głodowska, A.
Yatsunenko, S.
Łusakowska, E.
Paszkowicz, W.
Guziewicz, E.
Wachnicki, Ł.
Szczepanik, A.
Godlewski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1811975.pdf
Data publikacji:: 2008-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.55.-m
81.10.-h
85.30.Fg
Opis:: ZnO thin films were grown by atomic layer deposition method at extremely low temperature using a reactive diethylzinc as a zinc precursor. Optical properties, electrical properties and surface morphology were examined by photoluminescence, Hall effect and atomic force microscope. The study shows correlation between optical, electrical properties and surface morphology in a series of samples of different thickness.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1303-1310
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Extra-Low Temperature Growth of ZnO by Atomic Layer Deposition with Diethylzinc Precursor
Autorzy:: Kowalik, I. A.
Guziewicz, E.
Kopalko, K.
Yatsunenko, S.
Godlewski, M.
Wójcik, A.
Osinniy, V.
Krajewski, T.
Story, T.
Łusakowska, E.
Paszkowicz, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2047710.pdf
Data publikacji:: 2007-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.55.Et
78.66.Hf
81.15.Kk
Opis:: ZnO thin films were grown on silicon substrate by atomic layer deposition method. We explored double-exchange chemical reaction and used very volatile and reactive diethylzinc as a zinc precursor. These enables us to obtain zinc oxide thin films of high quality at extremely low growth temperature (90-200ºC). The films are polycrystalline as was determined by X-ray diffraction and show flat surfaces with roughness of 1-4 nm as derived from atomic force microscopy measurements. Photoluminescence studies show that an edge emission of excitonic origin is observed even at room temperature for all investigated ZnO layers deposited with the diethylzinc precursor.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 401-406
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Magnetic, Structural, and Optical Properties of Low Temperature ZnMnO Grown by Atomic Layer Epitaxy
Autorzy:: Wójcik, A.
Kiecana, M.
Kopalko, K.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Yatsunenko, S.
Łusakowska, E.
Minikayev, R.
Paszkowicz, W.
Świątek, K.
Wilamowski, Z.
Sawicki, M.
Dietl, T.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2044552.pdf
Data publikacji:: 2005-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.55.Jk
68.55.Ln
68.55.Nq
78.66.Hf
81.15.Kk
Opis:: Magnetic, structural, and optical properties of ZnMnO films grown with atomic layer epitaxy are discussed. Atomic layer epitaxy films were grown at low temperature using organic zinc and manganese precursors. From magnetometry and electron spin resonance investigations we conclude that lowering of a growth temperature significantly limits formation of Mn precipitates and inclusions of different foreign phases of manganese oxides to ZnMnO host.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 915-921
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja