Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "78.50.-w" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Magnetophotoconductivity Due to Intra-Shallow-Donor Transitions in Semi-Insulating GaAs
Autorzy:
Karpierz, K.
Sadowski, M. L.
Grynberg, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890653.pdf
Data publikacji:
1991-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.40.+w
78.20.Ls
78.50.-w
Opis:
The paper concerns investigations of shallow centres in semi-insulating (SI) GaAs samples. A very sensitive measuring method - magnetophotoconductivity due to intra-shallow-donor transitions - was used. We report the behaviour of intra-impurity transitions as well as an additional structure in low magnetic fields for different far-infrared wavelengths (70.6 μm, 96.5 μm, 118.8 μm, 163 µm). The results are discussed in terms of a fluctuating potential from ionized centres in SI GaAs. The physical mechanism responsible for the low magnetic field structure is proposed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 2; 291-294
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetotransmission Measurements of Intra-Shallow-Donor Transitions in Semi-Insulating GaAs
Autorzy:
Karpierz, K.
Kożuchowski, K.
Grynberg, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1920976.pdf
Data publikacji:
1992-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.40.+w
78.20.Ls
78.50.Ge
Opis:
In this paper we present the results of an investigation of the 1s-2p$\text{}_{+}$ intra-shallow-donor transition by means of an extremely difficult magnetotransmission experiment performed on semi-insulating GaAs. We report the temperature dependence of the transition intensity. We noticed the absence in the absorbance spectra of a well-pronounced structure which is observed at low magnetic fields in photoconductivity measurements. The results are discussed in terms of a fluctuating potential from ionized centres in semi-insulating GaAs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 617-619
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies