Magnetophotoconductivity Due to Intra-Shallow-Donor Transitions in Semi-Insulating GaAs

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Magnetophotoconductivity Due to Intra-Shallow-Donor Transitions in Semi-Insulating GaAs
Autorzy:: Karpierz, K.
Sadowski, M. L.
Grynberg, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1890653.pdf
Data publikacji:: 1991-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.40.+w
78.20.Ls
78.50.-w
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 2; 291-294
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

The paper concerns investigations of shallow centres in semi-insulating (SI) GaAs samples. A very sensitive measuring method - magnetophotoconductivity due to intra-shallow-donor transitions - was used. We report the behaviour of intra-impurity transitions as well as an additional structure in low magnetic fields for different far-infrared wavelengths (70.6 μm, 96.5 μm, 118.8 μm, 163 µm). The results are discussed in terms of a fluctuating potential from ionized centres in SI GaAs. The physical mechanism responsible for the low magnetic field structure is proposed.

Informacja

Powiązane pozycje