Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "81.10.Bk" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Growth of Ternary and Quaternary ZnSe Compounds with Transition Metals by Chemical Vapor Transport
    Autorzy:
    Janik, E.
    Grasza, K.
    Mycielski, A.
    Bąk-Misiuk, J.
    Kachniarz, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929755.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.10.Bk
    78.55.Et
    Opis:
    Halogen transport method was applied to grow the crystals of solid solutions of ZnSe and transition metals at the temperature far below the melting point and phase transition temperature. The large crystals of ZnMnSe, ZnFeSe, ZnNiSe and ZnFeSSe were obtained. The technological parameters and shape of the quartz reactor were chosen for growth of a large crystal by self-nucleation; the transparent quartz furnace enabled the control of nucleation by visual observation. The parameters of crystal growth were determined. The crystal quality was estimated by X-ray diffraction method. The composition of crystals was determined by electron microprobe analysis and energy dispersive X-ray fluorescence analysis.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 785-788
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Structural and Electrical Properties of SiC Grown by PVT Method in the Presence of the Cerium Vapor
    Autorzy:
    Avdonin, A.
    Racka, K.
    Tymicki, E.
    Grasza, K.
    Jakieła, R.
    Pisarek, M.
    Dobrowolski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399070.pdf
    Data publikacji:
    2013-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    74.25.F-
    61.72.-y
    81.10.Bk
    61.72.uf
    Opis:
    The results of investigation of structural and electrical properties of bulk SiC crystals, which were grown by physical vapor transport method with different Ce impurity content added to the SiC source material, are presented. The gradual dosage of cerium from the SiC source and continuous presence of the cerium vapor over the SiC crystallization fronts during the crystal growth processes are confirmed. The cerium influences the overall concentration of structural defects. The increase of the concentration of both, donors and acceptors, and appearance of new shallow donors (15-32 meV) in 4H-SiC crystals are observed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 761-764
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Substrates Grown from the Vapor for ZnO Homoepitaxy
    Autorzy:
    Skupiński, P.
    Kopalko, K.
    Łusakowska, E.
    Domukhovski, V.
    Jakieła, R.
    Mycielski, A.
    Grasza, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811990.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.Dz
    68.47.Fg
    68.55.J-
    68.37.Ps
    81.10.Bk
    81.15.-z
    Opis:
    The novel method of preparation of epi-ready ZnO substrates is demonstrated. The substrates were made of unique ZnO crystals grown by chemical vapor transport method using hydrogen as the transport agent. The effect of low-level doping (Mn, Co, Cu, and V) on the structural quality of the crystals was investigated. Atomic layer deposition was used to verify usability of the substrates for homoepitaxy. The thermal annealing prior to the atomic layer deposition process and effect of thermal annealing of the epitaxial layers was studied. The X-ray diffraction and atomic force microscopy methods were applied to study the structural quality of the ZnO layers. Detection of the dopants in the substrates by secondary ion mass spectroscopy made possible the measurement of the thickness of the layers. The obtained root mean square roughness for both the substrates and layers ranged between 0.2 nm and 5 nm, and was dependent on the sample crystallographic orientation and sequence of polishing and annealing procedures. The optimal recipe for the epi-ready substrate preparation was formulated.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1361-1368
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies