Temat: 71.25.Tn - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: III-V Semiconducting Nitrides Energy Gap under Pressure
Autorzy:: Perlin, P.
Gorczyca, I.
Teisseyre, H.
Suski, T.
Litwin-Staszewska, E.
Porowski, S.
Grzegory, I.
Christensen, N. E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1921585.pdf
Data publikacji:: 1992-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.25.Tn
Opis:: In this paper we present overview of our recent experimental and theoretical results concerning electronic band structure of III-V nitrides under pressure. It is shown here that the pressure coefficients of the direct gap for studied nitrides are surprisingly small. To describe tendency in changes of the gap with pressure we use a simple empirical relation.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 674-676
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Influence of Chemistry on the Energy Band Structure: AlAs Versus GaAs
Autorzy:: Bogusławski, P.
Gorczyca, I.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1891295.pdf
Data publikacji:: 1991-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.25.Tn
71.10.+x
Opis:: Energy band structure of AlAs and GaAs is analyzed in terms of the energy structure of the constituent atoms. Conduction band wave functions are projected on s-, p-, and d-symmetry atomic orbitals. The resulting information is combined with the eigenenergies of Al and Ga atoms, in order to-discuss the character of the band gaps, and the sign of deformation potentials.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 433-436
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Band Structure and Refractive Index of Gallium Nitride Under Pressure
Autorzy:: Perlin, P.
Gorczyca, I.
Suski, T.
Teisseyre, H.
Grzegory, I.
Christensen, N.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1891272.pdf
Data publikacji:: 1991-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.25.Tn
78.20.Ci
Opis:: The effect of hydrostatic pressure on direct gap and refractive index of GaN is investigated up to 5.5 GPa. Band structure of GaN is calculated by Linear Muffin-Tin Orbitals (LMTO) method for different values of pressure. Resulting pressure coefficient of the main gap and of the refractive index are in a good agreement with the experimental ones.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 421-424
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: ZnS/ZnSe Superlattices under Pressure
Autorzy:: Gorczyca, I.
Christensen, N. E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929746.pdf
Data publikacji:: 1993-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.25.Tn
73.20.Dx
Opis:: Self-consistent linear muffin-tin orbital method is used to calculate the band structure of ZnS/ZnSe (001) strained-layer superlattice and investigate the influence of hydrostatic pressure on the valence band offset (VBO). Three different strain modes corresponding to various values of the relative thicknesses of both materials are considered. A I → II type conversion associated with the conduction-band crossover between the ZnSe well and ZnS barrier layers is found in agreement with recent experimental data.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 753-756
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja