Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Ivanov, E. A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Structure, Surface Morphology and Optical Properties of Thin Films of ZnS and CdS Grown by Atomic Layer Epitaxy
Autorzy:
Szczerbakow, A.
Godlewski, M.
Dynowska, E.
Ivanov, V. Yu.
Świątek, K.
Goldys, E. M.
Phillips, M. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992336.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Jk
68.60.-p
81.15.Gh
Opis:
In this communication we report successful growth of monocrystalline cubic ZnS and monocrystalline and polycrystalline cubic and wurtzite films of CdS by atomic layer epitaxy. Structural and optical properties of these films are analysed. ZnS (and CdS/ZnS) films grown on GaAs substrate are cubic. Atomic layer epitaxy grown films provide several advantages over ZnS and CdS materials grown by other techniques, especially compared to bulk material, which is grown at higher temperatures. First results for ZnS/CdS/ZnS quantum well structures are also discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 579-582
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Role of Auger-Type Energy Transfer Processes in Quenching of Anti-Stokes Emission in Chromium and Iron Doped ZnSe: ODMR, Optical and Time-Resolved Study
Autorzy:
Ivanov, V. Yu.
Karczewski, G.
Godlewski, M.
Omel'chuk, A. R.
Belyaev, A. E.
Zhavoronkov, N. V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036871.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
78.55.Et
76.30.Fc
Opis:
Energy up-conversion in chromium and iron doped ZnSe results in the appearance of an anti-Stokes luminescence. The process is efficient in ZnSe:Cr, but not in ZnSe:Fe. We conclude that very efficient three-center Auger processes in ZnSe:Fe quench the anti-Stokes luminescence emission. For chromium doped samples influence of the Auger mechanism is weaker, which we explain by less efficient carrier retrapping by Cr ions. We further discuss possibility of efficient pumping of infrared Cr-related emissions via Cr photoionization transition.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 695-701
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Do We Understand Magnetic Properties of ZnMnO?
Autorzy:
Godlewski, M.
Wójcik, A.
Kopalko, K.
Ivanov, V. Yu.
Wilamowski, Z.
Jakieła, R.
Guziewicz, E.
Szczepanik, A.
Dłużewski, P.
Chikoidze, E.
Barjon, J.
Dumont, Y.
Putkonen, M.
Niinistö, L.
Tang, Dong
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047644.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Gh
75.75.+a
78.30.Fs
78.60.Hk
Opis:
Optical and magnetic properties of ZnMnO films are discussed based on the results of cathodoluminescence, photoluminescence, and magneto-photoluminescence investigations. We show that photoluminescence/cathodoluminescence emissions are strongly quenched and become in-plane inhomogeneous in samples with increased Mn fractions. Strong polarization of photoluminescence is observed, even though excitonic lines do not shift and are not split at magnetic fields up to 6 T.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 261-267
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Origin of Ultrafast Component of Photoluminescence Decay in Nanostructures Doped with Transition Metal or Rare-Earth Ions
Autorzy:
Godlewski, M.
Yatsunenko, S.
Ivanov, V. Yu.
Khachapuridze, A.
Świątek, K.
Goldys, E. M.
Phillips, M. R.
Klar, P. J.
Heimbrodt, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041630.pdf
Data publikacji:
2005-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.Fc
76.70.Hb
78.55.Et
Opis:
Bulk samples, layers, quantum well, and quantum dot structures of II-Mn-VI samples all show coexistence of slow and fast components of Mn$\text{}^{2+}$ photoluminescence decay. Thus, fast photoluminescence decay cannot be related to low dimensionality of a host material. This also means that the model of the so-called quantum confined atom is incorrect. Based on the results of time-resolved photoluminescence and optically detected magnetic resonance investigations we relate the observed lifetime decrease in Mn$\text{}^{2+}$ intra-shell transition to spin dependent magnetic interactions between localized spins of Mn$\text{}^{2+}$ ions and between Mn$\text{}^{2+}$ ions and spins/magnetic moments of free carriers. The latter mechanism is enhanced in nanostructures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 65-74
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Spin Dependent Interactions of Free Carriers and Manganese Ions in Nanostructures of Wide Band Gap II-Mn-VI Semiconductors - Mechanism of Lifetime Reduction
Autorzy:
Yatsunenko, S.
Khachapuridze, A.
Ivanov, V. Yu.
Godlewski, M.
Khoi, Le Van
Gołacki, Z.
Karczewski, G.
Goldys, E. M.
Phillips, M.
Klar, P. J.
Heimbrodt, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036034.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.Fc
76.70.Hb
78.55.Et
Opis:
Based on the results of optically detected magnetic resonance and time-resolved investigations we relate the observed lifetime shortening of intra-shell Mn$\text{}^{2+}$ emission to spin dependent magnetic interactions between localized spins of Mn$\text{}^{2+}$ ions and spins/magnetic moments of free carriers. We show that this mechanism is active in both bulk and in low dimensional structures, such as quantum wells, quantum dots, and nanostructures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 643-648
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies