Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Gao, K." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
An experimental study of deep borehole pre-cracking blasting for gas pre-drainage on a mine heading roadway in a low permeability seam
Badania eksperymentalne wysadzania przedszczelinowego otworów wiertniczych dla wstępnego odprowadzania gazu z chodnika w złożu o niskiej przepuszczalności
Autorzy:
Liu, J.
Liu, Z.
Gao, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/348587.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
wysadzanie przedszczelinowe otworów wiertniczych
wiercenie przez pokłady
złoże o niskiej przepuszczalności
wstępne odprowadzanie gazów
deep borehole pre-cracking blasting
drilling through strata
low permeability seam
gas pre-drainage
Opis:
In low permeability outburst coal seam mine heading roadway, boreholes through the floor pre-drainage coal seam gas were used to eliminate the outburst risk of coal seam. Due to the low permeability, the gas pre-drainage time is long and the effect is poor, which further adds to the mining-excavation relay in the mine production and safety. In view of the above problems a study was conducted on the outburst prevention mechanism of the pre-cracking blasting and permeability improvement with the deep boreholes in the low permeability seam as well as on the improvement of the coal seam gas drainage rate. The description of the study is presented in the present paper. The results showed that after the pre-cracking blasting and permeability improvement technical measures with the deep boreholes completed in the low permeability outburst seam, the elastic potential of the seam was effectively released, the gas pressure gradient of the seam was reduced and the excitation outburst stress was effectively eliminated. The permeability coefficient of the seam was increased by150 times and the pure quantity of the gas drainage from the seam was 8-10 times higher than before the blasting operation was completed. The gas concentration in the working face is between 0.2-0.3% during the process of heading roadway. The drive speed was increased by 2 times.
W złożu o niskiej przepuszczalności w chodniku kopalnianym wykonano przezstropowo otwory wiertnicze do wstępnego odprowadzania gazów ze złoża w celu wyeliminowania ryzyka eksplozji. Słaba przepuszczalność złoża wpływa na długi czas i niezadowalający efekt wstępnego odprowadzania gazu, co dodatkowo opóźnia komunikację na linii wydobycia pod względem produkcji i bezpieczeństwa w kopalni. W świetle powyższych problemów przeprowadzono badanie nad mechanizmem ochrony przed wybuchem przy wysadzaniu przedszczelinowym oraz nad poprawą przepuszczalności poprzez wywiercenie głębokich otworów w złożu o niskiej przepuszczalności, a także nad usprawnieniem odprowadzania gazu ze złoża węgla kamiennego. W niniejszej publikacji przedstawiono opis badania. Wyniki wykazały, że po podjęciu kroków związanych z wysadzaniem przedszczelinowym dla poprawy przepuszczalności poprzez wykonanie głębokich otworów wiertniczych w złożu o słabej przepuszczalności uzyskano większą elastyczność złoża, obniżono gradient ciśnienia gazu w złożu oraz skutecznie wyeliminowano naprężenia występujące w wyniku inicjacji wybuchu. Współczynnik przepuszczalności złoża zwiększył się 150-krotnie, a ilość czystego gazu odprowadzanego ze złoża poprawiła się 8-10-krotnie w stosunku do jakości sprzed wysadzania. Stężenie gazu w przodku roboczym wyniosło 0,2-0,3% w momencie głębienia chodnika. Prędkość zwiększyła się dwukrotnie.
Źródło:
AGH Journal of Mining and Geoengineering; 2012, 36, 3; 225-232
1732-6702
Pojawia się w:
AGH Journal of Mining and Geoengineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fabrication of $Si_{1-x}Ge_x$ Alloy on Silicon by Ge-Ion-Implantation and Short-Time-Annealing
Autorzy:
Gao, K.
Prucnal, S.
Mücklich, A.
Skorupa, W.
Zhou, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400450.pdf
Data publikacji:
2013-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.uf
78.55.Ap
68.37.Lp
Opis:
In our contribution we present the fabrication of $Si_{1-x}Ge_x$ alloy by ion-implantation and millisecond flash lamp annealing. The 100 keV Ge ions at the fluence of $10 \times 10^{16}, 5 \times 10^{16}$, and $3 \times 10^{16} cm^{-2}$ were implanted into monocrystalline (100)-oriented Si wafers covered by 50 nm thermal oxide. In the consequence, the 50 nm amorphous Ge rich Si layers were obtained. The recrystallization of the implanted layers and the $Si_{1-x}Ge_x$ alloying were accomplished by flash lamp annealing with the pulse duration of 20 ms. Flash lamp treatment at high energy densities leads to local melting of the Ge-rich silicon layer. Then the recrystallization takes place due to the millisecond range liquid phase epitaxy. Formation of the high quality monocrystalline $Si_{1-x}Ge_x$ layer was confirmed by the μ-Raman spectroscopy, the Rutherford backscattering channeling and cross-sectional transmission electron microscopy investigation. The μ-Raman spectra reveal three phonon modes located at around 293, 404, and $432 cm^{-1}$ corresponding to the Ge-Ge, Si-Ge and Si-Si in the $Si_{1-x}Ge_x$ alloy vibrational modes, respectively. Due to much higher carrier mobility in the $Si_{1-x}Ge_x$ layers than in silicon such system can be used for the fabrication of advanced microelectronic devices.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 858-861
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Preparation of Twinned Dendrites of Al-Zn Alloy with High Zn Content
Autorzy:
Gao, K.
Song, W.
Fan, L.
Ding, Y.
Guo, X.
Zhang, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/351396.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
directional solidification
twinned dendrite
microstructure
growth orientation
deviation angle
Opis:
Twinned dendrites in Al-Zn alloy with high Zn content (40% wt.%) were successfully prepared by directional solidification. At different directional solidification rates (1000 and 1500 μm/s), microstructures and growth orientation variations of Al twinned dendrite and non-twinned dendrite were characterized. By using the inverted trapezoidal graphite sleeve at 1000 μm/s, Al twinned dendrite were formed to developed feather crystal structures in longitudinal section. Its primary and secondary twinned dendrite were grew along [110] direction. Moreover the deviation angle between [110] direction of Al twinned dendrite and the heat flow direction was about 27.15°. While not using the inverted trapezoidal graphite sleeve at 1000 and 1500 μm/s, Al dendrite was the non-twinned dendrite and the twinned dendrite was not appeared. The experimental results showed that the higher temperature gradient, a certain pulling rate and convection environment were the formation conditions of twinned dendrites.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2018, 63, 4; 1657-1662
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Study on mine ventilation resistance coefficient inversion based on genetic algorithm
Badanie inwersji współczynników oporu wentylacji kopalnianej na podstawie algorytmu genetycznego
Autorzy:
Gao, K.
Deng, L.
Liu, J.
Wen, L.
Wong, D.
Liu, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/219844.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
wentylacja kopalni węgla
współczynnik wentylacji
odwrócenie
algorytm genetyczny
coal mine ventilation
ventilation coefficient
inversion
genetic algorithm
Opis:
The frictional resistance coefficient of ventilation of a roadway in a coal mine is a very important technical parameter in the design and renovation of mine ventilation. Calculations based on empirical formulae and field tests to calculate the resistance coefficient have limitations. An inversion method to calculate the mine ventilation resistance coefficient by using a few representative data of air flows and node pressures is proposed in this study. The mathematical model of the inversion method is developed based on the principle of least squares. The measured pressure and the calculated pressure deviation along with the measured flow and the calculated flow deviation are considered while defining the objective function, which also includes the node pressure, the air flow, and the ventilation resistance coefficient range constraints. The ventilation resistance coefficient inversion problem was converted to a nonlinear optimisation problem through the development of the model. A genetic algorithm (GA) was adopted to solve the ventilation resistance coefficient inversion problem. The GA was improved to enhance the global and the local search abilities of the algorithm for the ventilation resistance coefficient inversion problem.
Współczynnik oporu oporu wentylacji jezdni w kopalni węgla jest bardzo ważnym parametrem technicznym w projektowaniu i renowacji wentylacji kopalnianej. Obliczenia oparte na wzorach empirycznych i badaniach terenowych w celu obliczenia współczynnika oporu mają ograniczenia. W niniejszym badaniu proponuje się inwertowaną metodę obliczania współczynnika oporu wentylacji kopalni za pomocą kilku reprezentatywnych danych dotyczących przepływu powietrza i ciśnienia w węzłach. Model matematyczny metody inwersji jest opracowywany na zasadzie najmniejszych kwadratów. Zmierzone ciśnienie i obliczone odchylenie ciśnienia wraz z zmierzonym przepływem i obliczonym odchyleniem przepływu są uwzględniane przy określaniu obiektywnej funkcji, która obejmuje również ciśnienie w węźle, przepływ powietrza i ograniczenia współczynników oporu wentylacji. Problem odwrotności współczynnika oporu wentylacji został przekształcony w nieliniowy problem optymalizacji poprzez opracowanie modelu. Zastosowano algorytm genetyczny (GA) w celu rozwiązania problemu inwersji współczynnika oporu wentylacji. GA został ulepszony w celu zwiększenia globalnych i lokalnych możliwości wyszukiwania algorytmu problemu odwrotności współczynnika oporu wentylacji.
Źródło:
Archives of Mining Sciences; 2018, 63, 4; 813-826
0860-7001
Pojawia się w:
Archives of Mining Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
III-V Quantum Dots in Dielectrics Made by Ion Implantation and Flash Lamp Annealing
Autorzy:
Prucnal, S.
Turek, M.
Gao, K.
Zhou, S.
Pyszniak, K.
Droździel, A.
Żuk, J.
Skorupa, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400484.pdf
Data publikacji:
2013-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Fs
78.67.Hc
81.05.Ea
81.07.Ta
81.15.Lm
Opis:
Different semiconductor nanocrystals synthesized in dielectrics on silicon are very interesting for applications in non-volatile memories and photovoltaics. In this paper we present an overview of microstructural and opto-electronic properties of different III-V quantum dots embedded in $SiO_2$ and $Si_3N_4$ made by sequential ion implantation and millisecond range flash lamp annealing. It is shown that within 20 ms post-implantation annealing high quality crystalline III-V quantum dots can be formed in different matrices. Formation of crystalline III-V quantum dots was confirmed by cross-section transmission electron microscopy, photoluminescence and μ-Raman spectroscopy. Flash lamp annealing is essentially a single-flash-single-wafer technique whose main attributes are the ease and control of processing over large wafer batches.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 935-938
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies