Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Domagała, D." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Rocking Curve Imaging Studies of Laterally Overgrown GaAs and GaSb Epitaxial Layers
Autorzy:
Wierzbicka, A.
Lübbert, D.
Domagała, J.
Zytkiewicz, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791425.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.05.cp
68.55.ag
81.15.Lm
Opis:
X-ray rocking curve imaging technique was used to study crystallographic perfection of laterally overgrown epitaxial structures. We focus on rocking curve imaging studies of Si-doped GaAs and GaSb laterally overgrown layers grown by liquid phase epitaxy on $SiO_{2}$ masked GaAs and GaSb/GaAs substrates, respectively. High spatial resolution offered by rocking curve imaging technique allows studying the effect of laterally overgrown epitaxial wing tilt towards the mask. Distribution of tilt magnitude over the area of laterally overgrown epitaxial stripes is easily determined. In heteroepitaxial GaSb/GaAs laterally overgrown epitaxial structures local mosaicity in the wing area was detected. Since individual grains are clearly visible on rocking curve imaging maps, their size and relative misorientation can be determined.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 976-978
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nanostructure of Thin Gold Films Investigated by Means of Atomic Force Microscopy and X-Ray Reflectometry Methods
Autorzy:
Żymierska, D.
Auleytner, J.
Domagała, J.
Kobiela, T.
Duś, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035502.pdf
Data publikacji:
2002-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.-a
68.37.Ps
61.10.Kw
Opis:
A study of the thin gold film growth, during the deposition on glass substrate under UHV conditions at low temperatures, is presented. The complementary methods, the atomic force microscopy and grazing incidence X-ray reflectometry, are used for the research. It is shown that due to variation of the time of deposition from 2 to 50 min different kinds of thin Au films nanostructures are obtained: from discontinuous films consisting of isolated islands, via formation of the chains of islands, up to continuous films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 2; 289-294
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparative Studies of Surface Roughness of Thin Epitaxial Si Films by Computer Simulations and Experimental X-Ray and Optical Methods
Autorzy:
Żymierska, D.
Auleytner, J.
Domagała, J.
Szewczyk, A.
Dmitruk, N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1964181.pdf
Data publikacji:
1997-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ci
68.35.Bs
61.10.Dp
Opis:
The paper presents investigations of the surface roughness of epitaxial silicon films obtained by chemical vapour deposition with chloric and MOCVD processes. The flat surfaces of films and chemically etched surfaces of substrates were studied by optical methods as well as by X-ray reflectivity at grazing incidence. The computer simulations based on Fresnel theory were compared with the experimental results.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 1025-1030
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Anisotropic Lattice Misfit Relaxation in AlGaAs Semi-Bulk Layers Grown on GaAs Substrates by Liquid Phase Electroepitaxy
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Domagała, J.
Bąk-Misiuk, J.
Dobosz, D.
Leszczyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968459.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.60.Bs
68.55.Ln
Opis:
Experimental evidence for unidirectional microcracking in semi-bulk AlGaAs layers grown on (001) GaAs substrates is presented. The asymmetrical microcracking leads to anisotropic lattice misfit relaxation in the AlGaAs/GaAs structure and is explained in terms of higher mobility of [-110]-oriented α-type dislocations than that of β-type dislocations oriented in [110] direction.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1092-1096
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies