Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "subthreshold" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
A model of partially-depleted SOI MOSFETs in the subthreshold range
Autorzy:
Tomaszewski, D.
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Domański, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308425.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
SOI MOSFET
subthreshold range
floating body
transconductance
Opis:
A steady-state model of partially-depleted (PD) SOI MOSFETs I-V characteristics in subthreshold range is presented. Phenomena, which must be accounted for in current continuity equation, which is a key equation of the PD SOI MOSFETs model are summarized. A model of diffusion-based conduction in a weakly-inverted channel is described. This model takes into account channel length modulation, drift of carriers in the "pinch-off" region and avalanche multiplication triggered by these carriers. Characteristics of the presented model are shown and briefly discussed.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 61-64
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies