Autor: Grodzicka, A. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Magnetic Properties of EuS/PbS Semiconducting Structures
Autorzy:: Stachow-Wójcik, A.
Twardowski, A.
Story, T.
Dobrowolski, W.
Grodzicka, E.
Sipatow, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968421.pdf
Data publikacji:: 1997-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 75.50.Pp
Opis:: We report results of magnetization study of EuS/PbS superstructures with different thicknesses of magnetic and nonmagnetic layers. Reduction of ferromagnetic phase transition temperature was found with decreasing EuS thickness. Reasonable description of this effect is obtained within the model based on the mean field approximation.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 985-988
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Magnetotransport Study of MBE grown Pb$\text{}_{1-x}$Eu$\text{}_{x}$Se Epilayers
Autorzy:: Dobrowolski, W.
Grodzicka, E.
Story, T.
Lambrecht, A.
Bottner, H.
Tacke, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1950743.pdf
Data publikacji:: 1996-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.61.Le
73.50.Jt
Opis:: Hall effect and electron conductivity investigations of MBE grown epilayers of Pb$\text{}_{1-x}$Eu$\text{}_{x}$Se (0 ≤ x ≤ 0.06) as a function of temperature and magnetic field are reported. The strong Hall coefficient dependence on the magnetic field was found for p-type samples grown with Se excess. The possible origins of this effect are discussed.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 759-762
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Indium Doping of CdTe Grown by Molecular Beam Epitaxy
Autorzy:: Karczewski, G.
Zakrzewski, A.
Kutrowski, M.
Jaroszyński, J.
Dobrowolski, W.
Grodzicka, E.
Janik, E.
Wojtowicz, T.
Kossut, J.
Barcz, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1932089.pdf
Data publikacji:: 1995-01
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.55.Ln
73.61.Ga
Opis:: We report on n-type indium doping of CdTe films grown by molecular beam epitaxy on (001) GaAs substrates. By adjusting the flux of In atoms we can precisely control the carrier concentration over three orders of magnitude - from 8 × 10$\text{}^{14}$ up to 1.3 × 10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-3}$. In agreement with earlier reports we confirmed that Cd overpressure plays an important role in the doping process. The doping appears to be most effective for Cd/Te pressure ratio of 1.5. For this value of Cd/Te pressure ratio essentially 100% efficiency of doping is achieved at low In concentrations (< 10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-3}$). At higher In concentrations acceptor impurities compensate shallow donors limiting the concentration of free carriers.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 241-244
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Magnetic Properties of Sn$\text{}_{1-x}$Gd$\text{}_{x}$Te (0.002 ≤ x ≤ 0.09)
Autorzy:: Story, T.
Arciszewska, M.
Dobrowolski, W.
Gołacki, Z.
Górska, M.
Grodzicka, E.
Łusakowski, A.
Dynowska, E.
Witkowska, B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1952098.pdf
Data publikacji:: 1996-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 75.20.Ck
75.30.Et
Opis:: Magnetic, transport and structural properties of bulk crystals of Sn$\text{}_{1-x}$Gd$\text{}_{x}$Te with Gd content 0.002 < x < 0.09 and varying carrier concentrations obtained by an isothermal annealing were studied in the temperature range T = 1.5 - 80 K. We found the effect of resonant increase in antiferromagnetic spin-spin exchange interactions in the crystals with 0.025 ≤ x ≤ 0.05. No effect was found in crystals either with higher (x > 0.05) or with lower (x < 0.025) Gd concentration. The observed Gd composition dependence of the magnetic and transport properties of SnGdTe can be explained in a proposed model relating these experimental properties to the Gd composition induced shift of the position of Gd$\text{}^{3+}\text{}^{/}\text{}^{2+}$ level with respect to the top of the valence band of SnGdTe.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 935-938
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Transport and Magnetic Study of Gd Ions in Pb$\text{}_{1-y}$Sn$\text{}_{y}$Te
Autorzy:: Story, T.
Arciszewska, M.
Łazarczyk, P.
Łusakowski, A.
Górska, M.
Dobrowolski, W.
Witkowska, B.
Grodzicka, E.
Gałązka, R. R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968424.pdf
Data publikacji:: 1997-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 75.20.Ck
75.30.Et
Opis:: Electric conductivity, Hall effect and magnetic susceptibility of Pb$\text{}_{1-x-y}$ Sn$\text{}_{y}$Gd$\text{}_{x}$Te mixed crystals with 0.13 ≤ y ≤ 0.93 and 0.001 ≤ x ≤ 0.04 were experimentally studied over the temperature range 4K ≤ T ≤ 300 K. The incorporation of Gd ions into the Pb$\text{}_{1-y}$Sn$\text{}_{y}$Te matrix results in semi-metallic n-type conductivity of the crystals with y < 0.6. For crystals with y > 0.6 one observes only semi-metallic p-type conductivity. We present a model explaining these results in terms of the Sn composition dependence of the location of Gd$\text{}^{2+}\text{}^{/}\text{}^{3+}$ level with respect to the band edges of PbSnGdTe.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 997-1000
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja