Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Chen, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Failure mechanism and supporting measures for large deformation of soft rock roadway in Baluba copper mine
    Mechanizm pękania skał i kroki zapobiegawcze podejmowane w celu przeciwdziałania odkształceniom chodnika prowadzonego w skałach miękkich w kopalni miedzi Baluba
    Autorzy:
    Wu, A.
    Chen, S.
    Wang, Y.
    Chen, X.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/219772.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    chodnik prowadzony w skałach miękkich
    analiza teoretyczna
    symulacje numeryczne
    eksperymenty w terenie
    parametry podpór stropu
    soft rock roadway
    theoretical analysis
    numerical simulation
    field experiments
    support parameters
    Opis:
    To solve the problem of large deformation soft rock roadway with complicated stress condition in Baluba copper mine, the characteristics of roadway deformation and failure modes are analyzed deeply on the basis of geological survey. Combined with the theoretical analysis and numerical simulation, the new reinforcement technology with floor mudsill and grouting anchor cable is proposed. Moreover, the three dimension numerical simulation model is established by the software FLAC-3D, the support parameter is optimized by it. The results show that the optical array pitch of the U-steel shelf arch is 0.8 m, and the optical array pitch of the grouting anchor cable is 2.4 m. At last, the field experiments are done all over the soft rock roadway. Engineering practice shows that the deformation of soft rock roadway in Baluba copper mine is effectively controlled by adopting the new reinforcement technology, which can provide certain references for similar engineering.
    W celu rozwiązania problemu powstawania znacznych odkształceń chodnika biegnącego w skale miękkiej w skomplikowanym układzie naprężeń, przeprowadzono dogłębną analizę warunków odkształceń i pękania skał w oparciu o badania geologiczne. W oparciu o rozważania teoretyczne i symulacje numeryczne, zaproponowano nową technologię wzmocnienia progu spągowego z iłowców z linami kotwiącymi osadzonymi w zaprawie. Na podstawie trójwymiarowego modelu do symulacji numerycznych opracowanego z wykorzystaniem oprogramowania FLAC-3D dokonano optymalizacji parametrów podpór. Wyniki pokazują, że optymalne rozmieszczenie stalowych podpór wykonanych z profili w kształcie U wyniesie 0.8 m, zaś optymalny rozstaw mocowań lin wynosi 2.4 m. W końcowym etapie przeprowadzono eksperymenty terenowe na całej długości chodnika. Praktyka inżynierska wskazuje, że odkształcenia chodników prowadzonych w skałach miękkich w kopalni Baluba mogą być skutecznie kontrolowane poprzez zastosowanie nowej metody wzmocnienia, która stanowić może podstawę dla opracowywania skutecznych technik wzmacniania stropu w chodnikach prowadzonych w podobnych warunkach geologicznych.
    Źródło:
    Archives of Mining Sciences; 2018, 63, 2; 449-464
    0860-7001
    Pojawia się w:
    Archives of Mining Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fine mapping of high-temperature adult-plant resistance to stripe rust in wheat cultivar Louise
    Autorzy:
    Nazarov, T.
    Chen, X.
    Carter, A.
    See, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2082816.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    durable resistance
    expressed sequence tag
    molecular marker
    Puccinia strii-
    formis
    Triticum aestivum
    Opis:
    Bread wheat is a major food crop on a global scale. Stripe rust, caused by Puccinia strii- formis f. sp. tritici, has become one of the largest biotic stresses and limitations for wheat production in the 21st century. Post 2000 races of the pathogen are more virulent and able to overcome the defense of previously resistant cultivars. Despite the availability of effective fungicides, genetic resistance is the most economical, effective, and environmen- tally friendly way to control the disease. There are two major types of resistance to stripe rust: all-stage seedling resistance (ASR) and adult-plant resistance (APR). Although both resistance types have negative and positive attributes, ASR generally is race-specific and frequently is defeated by new races, while APR has been shown to be race non-specific and durable over time. Finding genes with high levels of APR has been a major goal for wheat improvement over the past few decades. Recent advancements in molecular mapping and sequencing technologies provide a valuable framework for the discovery and validation of new sources of resistance. Here we report the discovery of a precise molecular marker for a highly durable type of APR – high-temperature adult-plant (HTAP) resistance locus in the wheat cultivar Louise. Using a Louise × Penawawa mapping population, coupled with data from survey sequences of the wheat genome, linkage mapping, and synteny analysis techniques, we developed an amplified polymorphic sequence (CAPS) marker LPHTAP2B on the short arm of wheat chromosome 2B, which cosegregates with the resistant pheno- type. LPHTAP2B accounted for 62 and 58% of phenotypic variance of disease severity and infection type data, respectively. Although cloning of the LPHTAP2B region is needed to further understand its role in durable resistance, this marker will greatly facilitate incorpo- ration of the HTAP gene into new wheat cultivars with durable resistance to stripe rust.
    Źródło:
    Journal of Plant Protection Research; 2020, 60, 2; 126-133
    1427-4345
    Pojawia się w:
    Journal of Plant Protection Research
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High Speed Heterostructure Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors
    Autorzy:
    Cola, A.
    Nabet, B.
    Chen, X.
    Quaranta, F.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2041621.pdf
    Data publikacji:
    2005-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    85.60.-q
    73.40.Sx
    06.60.Jn
    Opis:
    In this work we review the properties of a class of metal-semiconductor-metal photodetectors based on heterojunction structures. Particularly, an AlGaAs/GaAs device is detailed in which the absorption region is in the GaAs layer, and a two-dimensional electron gas is formed at the heterointerface due toδ-doping of the widegap material. This heterostructure metal-semiconductor-metal photodetector also contains an AlGaAs distributed Bragg reflector that forms a resonant cavity for detection at 850 nm. The beneficial effect of the two-dimensional electron gas in the GaAs absorption layer in terms of speed and sensitivity is demonstrated by comparing samples with and without doping in the AlGaAs layer. The design and the physical properties of the grown epitaxial structure are presented, together with the static and dynamic characteristics of the device in time domain. In particular, photocurrent spectra exhibit a 30 nm wide peak at 850 nm, and time response measurements give a bandwidth over 30 GHz. A combination of very low dark current and capacitance, fast response, wavelength selectivity, and compatibility with high electron mobility transistors makes this device suitable for a number of application areas, such as Gigabit and 10 Gigabit Ethernet, wavelength division multiplexing, remote sensing, and medical applications.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 14-25
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Bayesowski model wzrostu niezawodności oparty na dynamicznych parametrach rozkładu
    Bayesian reliability growth model based on dynamic distribution parameters
    Autorzy:
    Tao, Y.
    Zhang, Y. A.
    Chen, X.
    Ming, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/301037.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Polskie Naukowo-Techniczne Towarzystwo Eksploatacyjne PAN
    Tematy:
    statystyka populacji niejednorodnej
    model monotoniczny
    Bayes
    model przyrostu niezawodności
    rozkład wykładniczy
    non-homo geneous population statistics
    monotone model
    reliability growth model
    exponential distribution
    Opis:
    W artykule przestudiowano metody analizy statystycznej na różnych etapach wzrostu niezawodności w oparciu o model monotoniczny. Zamodelowano zmiany jakim dynamiczne parametry rozkładu podlegają podczas badań. Podano bayesowskie modele wzrostu niezawodności dla licznych etapów wzrostu niezawodności. Na koniec metodę zweryfikowano w oparciu o przykład praktyczny.
    In this paper we study the statistical analysis methods at different stages of reliability growth based on the monotone model. The changes of dynamic distribution parameters during test are modeled. Bayesian reliability growth models for multiple stages of reliability growth are given. Finally the method is validated by a practical example.
    Źródło:
    Eksploatacja i Niezawodność; 2010, 2; 13-16
    1507-2711
    Pojawia się w:
    Eksploatacja i Niezawodność
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electron Transport and Microwave Noise in MBE- and MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN
    Autorzy:
    Matulionis, A.
    Liberis, J.
    Eastman, L. F.
    Schaff, W. J.
    Shealy, J. R.
    Chen, X.
    Sun, Y. J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2041771.pdf
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    63.20.Kr
    72.20.Ht
    73.40.Kp
    Opis:
    Microwave noise temperature, current, and dissipated power were investigated at room temperature in undoped AlGaN/AlN/GaN channels grown by molecular beam epitaxy and metal-organic compound vapour decomposition techniques. Samples with essentially the same electron density (1×10$\text{}^{13}$ cm$\text{}^{-2}$) and low-field mobility (1150 cm$\text{}^{2}$/(V s)) demonstrated considerably different behaviour at high electric fields. The effective hot-phonon lifetime, 300 fs and 1000 fs, respectively, was estimated for molecular beam epitaxy and metal-organic compound vapour decomposition samples. The expected anti-correlation of hot-phonon lifetime and hot-electron drift velocity was confirmed experimentally.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 361-364
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies