Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Electron Transport and Microwave Noise in MBE- and MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN

Tytuł:
Electron Transport and Microwave Noise in MBE- and MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN
Autorzy:
Matulionis, A.
Liberis, J.
Eastman, L. F.
Schaff, W. J.
Shealy, J. R.
Chen, X.
Sun, Y. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041771.pdf
Data publikacji:
2005-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
63.20.Kr
72.20.Ht
73.40.Kp
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 361-364
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Microwave noise temperature, current, and dissipated power were investigated at room temperature in undoped AlGaN/AlN/GaN channels grown by molecular beam epitaxy and metal-organic compound vapour decomposition techniques. Samples with essentially the same electron density (1×10$\text{}^{13}$ cm$\text{}^{-2}$) and low-field mobility (1150 cm$\text{}^{2}$/(V s)) demonstrated considerably different behaviour at high electric fields. The effective hot-phonon lifetime, 300 fs and 1000 fs, respectively, was estimated for molecular beam epitaxy and metal-organic compound vapour decomposition samples. The expected anti-correlation of hot-phonon lifetime and hot-electron drift velocity was confirmed experimentally.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies