- Tytuł:
- Impact Ionization Process in Deep Submicron MOSFET
- Autorzy:
-
Speransky, D.
Borzdov, A.
Borzdov, V. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/398035.pdf
- Data publikacji:
- 2012
- Wydawca:
- Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
- Tematy:
-
MOSFET
metoda Monte Carlo
jonizacja zderzeniowa
energia progowa
Monte Carlo
impact ionization
threshold energy - Opis:
- Within the framework of Keldysh impact ionization model the calculation of effective threshold energy for silicon MOSFET with 100 nm channel length by means of ensemble Monte-Carlo simulation is performed. The possibility of impact ionization rate treatment with one-parameter Keldysh model in pre-breakdown and breakdown transistor operation mode using calculated effective threshold energy value is proposed.
- Źródło:
-
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2012, 3, 1; 21-24
2080-8755
2353-9607 - Pojawia się w:
- International Journal of Microelectronics and Computer Science
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł