Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Grzegory, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-9 z 9
    Tytuł:
    Photoluminescence Study of Bulk GaN Doped with Beryllium
    Autorzy:
    Jaworek, M.
    Wysmołek, A.
    Kamińska, M.
    Twardowski, A.
    Boćkowski, M.
    Grzegory, I.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2043722.pdf
    Data publikacji:
    2005-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    71.55.-i
    71.35.-y
    Opis:
    Photoluminescence of bulk GaN:Be grown by high pressure method is presented. The investigated crystals show well-resolved photoluminescence due to free and bound excitons similar to that observed for homoeptitaxial GaN layers. In addition to the excitonic transitions, pronounced luminescence band at 3.38 eV, due to Be acceptor, is observed. It was found that temperature behavior of this emission is typical of donor- and conduction band-acceptor transitions. The optical activation energy of Be acceptor is obtained to be of 60±15 meV.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 705-710
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Observation of Magnetic Anisotropy in GaN:Cr Single Crystals
    Autorzy:
    Gosk, J.
    Boćkowski, M.
    Kowalski, G.
    Grzegory, I.
    Szczytko, J.
    Twardowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1403624.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    75.30.Gw
    75.50.Pp
    75.10.Dg
    Opis:
    Magnetic properties of bulk wurtzite GaN:Cr single crystals were studied with the magnetic field applied parallel and perpendicular to the crystal wurtzite c-axis. Structure of the crystal was examined by the X-ray diffraction method. Strong anisotropy of magnetization at low temperatures (2-10 K) was observed. The experimental data suggest Cr to be in nonspherical $d^4$ configuration.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1007-1009
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Time-Resolved Studies of Gallium Nitride Doped with Gadolinium
    Autorzy:
    Witek, B.
    Wysmołek, A.
    Kamińska, M.
    Twardowski, A.
    Potemski, M.
    Boćkowski, M.
    Grzegory, I.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1812021.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    75.50.Pp
    71.55.-i
    71.35.Ji
    Opis:
    Time-resolved photoluminescence experiments on high quality bulk GaN doped with Gd are presented. It was found that the decay time of Gd-related transitions observed for 4.2 K around 1.78 eV is of about 3 ms. Such a long decay time strongly supports the identification of this emission band as due to transitions between Gd³+(4f⁷) levels. The decay time measured for Gd-related transitions observed in the UV spectral range, close to the GaN band-gap, was found to be much faster than 1 μs. This suggests that these emission lines could hardly be correlated with internal transitions within Gd³+(4f⁷). Possible origin of the Gd-related UV luminescence is discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1425-1430
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Measurement of Very Small Zeeman Splittings in GaN:Mn,Mg by Faraday Rotation
    Autorzy:
    Wołoś, A.
    Kossacki, P.
    Golnik, A.
    Kamińska, M.
    Gaj, J. A.
    Twardowski, A.
    Grzegory, I.
    Boćkowski, M.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2035615.pdf
    Data publikacji:
    2002
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.20.Ls
    71.70.Ej
    71.55.Eq
    71.20.Nr
    Opis:
    In this work we demonstrate an application of Faraday rotation for measuring an extremely small Zeeman splitting of an Mn related absorption line placed at 1.417 eV in optical absorption spectrum of Mn and Mg doped gallium nitride. Analysis of the collected spectra allowed us to determine the value of the splitting as equal to 0.12±0.01 meV at 6 T. This data should help in establishing the nature of the observed absorption band.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 695-699
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mn Impurity in GaN Studied by Electron Paramagnetic Resonance
    Autorzy:
    Wołoś, A.
    Palczewska, M.
    Wilamowski, Z.
    Kamińska, M.
    Twardowski, A.
    Boćkowski, M.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036027.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.-i
    71.55.Eq
    71.70.Gm
    Opis:
    We present the results of electron paramagnetic resonance investigations of GaN bulk crystals doped with Mn. The EPR experiment shows the Mn$\text{}^{2+}$ resonance in all the investigated n-type crystals, while in highly resistive samples extra doped with Mg acceptor the Mn$\text{}^{2+}$ resonance decreases. This is a consequence of the location of Mn acceptor level in GaN band gap. The analysis of the spin relaxation times reveals the Korringa scattering as the dominating spin relaxation mechanism in n-type GaN:Mn crystals. The effective exchange constant determined from spin relaxation rate temperature dependence is of the order of 14 meV.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 595-600
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Observation of Magnetic Anisotropy in Bulk GaMnN:Mg Crystals
    Autorzy:
    Gosk, J.
    Zając, M.
    Kamińska, M.
    Twardowski, A.
    Grzegory, I.
    Boćkowski, M.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036861.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    75.30.Gw
    75.50.Pp
    Opis:
    Magnetic properties of bulk wurtzite n-type GaMnN and highly resistive GaMnN:Mg monocrystals were studied for the magnetic field applied parallel and perpendicular to the crystal hexagonal c-axis. Magnetization of both types of samples reveals paramagnetic behavior. However, for n-type GaMnN isotropic magnetization was observed which is in agreement with Mn d$\text{}^{5}$ configuration. On the other hand, GaMnN co-doped with Mg shows large magnetic anisotropy which suggests Mn to be in nonspherical d$\text{}^{4}$ or d$\text{}^{3}$ configuration.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 665-669
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoluminescence and Electron Paramagnetic Resonance Studies of Bulk GaN Doped with Gadolinium
    Autorzy:
    Lipińska, Z.
    Pawłowski, M.
    Żołnierowicz, H.
    Wysmołek, A.
    Palczewska, M.
    Kamińska, M.
    Twardowski, A.
    Boćkowski, M.
    Grzegory, I.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2046930.pdf
    Data publikacji:
    2006-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    71.55.-i
    71.35.-y
    Opis:
    Photoluminescence and electron paramagnetic resonance experiments on strain free GaN bulk crystals of wurtzite structure doped with gadolinium are reported. Efficient gettering of residual GaN donors by Gd was observed. Electron paramagnetic resonance showed that Gd ion incorporated into GaN lattice had Gd$\text{}^{3+}$(4f$\text{}^{7}$) configuration. The observed photoluminescence spectra were explained as due to intracenter Gd$\text{}^{3+}$(4f$\text{}^{7}$) transitions. No ferromagnetic behavior was detected.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 243-248
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Coupling of LO Phonons to Excitons in GaN
    Autorzy:
    Wysmołek, A.
    Łomiak, P.
    Baranowski, J. M.
    Pakuła, K.
    Stępniewski, R.
    Korona, K. P.
    Grzegory, I.
    Boćkowski, M.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952430.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    63.20.Mt
    71.55.Eq
    Opis:
    The photoluminescence of homoepitaxial and heteroepitaxial GaN layers is reported. It is shown that the coupling between LO phonons and neutral acceptor bound excitons is much stronger than the coupling between LO phonons and neutral donor bound excitons. In undoped homoepitaxial layer, in spite of that the no-phonon emission due to donor bound excitons is one order of magnitude stronger than the acceptor bound excitons emission, the predominant structure in the LO phonon replica of the excitonic spectrum is related to optical transitions involving acceptor bound excitons. Temperature studies showed that at higher temperature the LO phonon replica is related to free excitons.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 981-984
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Thermal Expansion of GaN Bulk Crystals and Homoepitaxial Layers
    Autorzy:
    Leszczyński, M.
    Teisseyre, H.
    Suski, T.
    Grzegory, I.
    Boćkowski, M.
    Jun, J.
    Pałosz, B.
    Porowski, S.
    Pakuła, K.
    Baranowski, J. M.
    Barski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952040.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Ji
    61.72.Vv
    Opis:
    Thermal expansion of gallium nitride was measured using high resolution X-ray diffraction. The following samples were examined: (i) single monocrystals grown at pressure of about 15 kbar, (ii) homoepitaxial layers. The main factor influencing both, the lattice parameters and the thermal expansion coefficient, are free electrons related to the nitrogen vacancies. The origin of an increase in the lattice constants by free electrons is discussed in terms of the deformation potential of the conduction-band minimum. An increase of the thermal expansion by free electrons is explained by a decrease of elastic constants.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 887-890
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-9 z 9

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies