Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Dugaev, V." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Spin Currents in Magnetic Nanostructures
    Autorzy:
    Dugaev, V.
    Bruno, P.
    Barnaś, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811907.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.25.-b
    73.23.Ra
    75.75.+a
    Opis:
    We discuss some aspects of the problem of spin currents in magnetic nanostructures. One of them is related to the proper definition of the spin current and is generic for any electronic or magnetic system. Using the standard method related to the symmetry with respect to local spin transformations, we analyze the generation of equilibrium spin currents in inhomogeneous magnetic structures. As an example we consider the generation of persistent spin current in a mesoscopic ring.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 975-982
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Spin Hall Effect in a Two-Dimensional Electron Gas with Strong Rashba Spin-Orbit Interaction: Semiclassical Keldysh Approach
    Autorzy:
    Dyrdał, A.
    Barnaś, J.
    Ivanov, V.
    Dugaev, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1403654.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.63.-b
    72.25.Dc
    75.70.Tj
    Opis:
    Spin Hall effect in a two-dimensional electron gas with the Rashba spin-orbit interaction is analyzed theoretically. We use the Keldysh technique for nonequilibrium processes, modified in order to take into account well-defined splitting of the Fermi surface due to strong spin-orbit coupling. Using such an approach, we reconsider the two-dimensional electron gas with the Rashba spin-orbit interaction and show that impurity scattering processes suppress the spin Hall effect.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1059-1061
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Current-Induced Spin Accumulation and Spin Transfer Torque in a Néel Domain Wall
    Autorzy:
    Baláž, P.
    Szymczyk, Ł.
    Dugaev, V.
    Barnaś, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1427608.pdf
    Data publikacji:
    2012-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.60.Ch
    75.70.Cn
    Opis:
    Current-induced spin accumulation in a domain wall and the associated spin torque exerted on the wall are analyzed theoretically. The considerations are limited to a relatively thick Néel domain wall in a bulk ferromagnetic metal. The current-induced spin density is calculated using the linear response theory and the Green function formalism.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 5-6; 1210-1212
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Influence of Electric Field οn the Optical Spin Polarization of Electrons in a Diluted Magnetic Semiconductor
    Autorzy:
    Gorley, P.
    Mysliuk, O.
    Dugaev, V.
    Horley, P.
    Barnaś, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791345.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.25.Fe
    72.25.Rb
    72.25.-b
    Opis:
    In this paper we present the results of theoretical calculations for spin polarization η of band electrons in diluted magnetic semiconductor subjected to a polarized light wave and a carrier-warming electric field E. It was shown that the maximum value of $η_{max}$ can be reached at a certain $E_{max}$ corresponding to the peak of the carrier drift velocity v(E). For the higher doping impurity concentration, the values of $η_{max}$ become lower due to the equivalent decrease of electron temperature.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 909-910
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Anomalous Hall Effect in IV-VI Semiconductors
    Autorzy:
    Dyrdał, A.
    Dugaev, V.
    Barnaś, J.
    Brodowska, B.
    Dobrowolski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1810533.pdf
    Data publikacji:
    2009-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.-i
    75.50.Pp
    72.25.Dc
    Opis:
    We consider theoretically the topological contribution to the anomalous Hall effect in narrow-gap IV-VI magnetic semiconductors in which the relativistic terms are relatively large and determine both the non-parabolicity of the energy spectrum and strong spin-orbit interaction. We use the relativistic Dirac model and linear response theory to calculate this contribution. Experimental data on the anomalous Hall effect in these compounds are also presented and discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 1; 287-289
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Spin Polarized Transport through Quantum Dots: Coulomb Blockade and Kondo Effect
    Autorzy:
    Barnaś, J.
    Świrkowicz, R.
    Wilczyński, M.
    Weymann, I.
    Martinek, J.
    Dugaev, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036886.pdf
    Data publikacji:
    2003-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.25.-b
    73.23.Hk
    72.15.Qm
    Opis:
    Spin related effects in electronic transport through quantum dots, coupled via tunneling barriers to two metallic leads, are discussed from the point of view of fundamental physics and possible applications in spin electronics. The effects follow either from long spin relaxation time in the dots or from spin dependent tunneling through the barriers when the external leads are ferromagnetic. In the former case large nonequilibrium spin fluctuations in the dot can be induced by flowing current. These fluctuations modify transport characteristics, particularly the shape of the Coulomb steps. In the latter case electric current depends on magnetic configuration of the system, and tunnel magnetoresistance effect due to magnetization rotation can occur. Transport properties in the weak coupling regime are described perturbatively in the first (sequential) and second (cotunneling) orders. In the strong coupling regime, on the other hand, the equation of motion for nonequilibrium Green functions is used to calculate electric current at low temperatures, where the Kondo peak in conductance is formed in the zero bias regime. In symmetrical systems the Kondo peak is split in the parallel magnetic configuration, whereas no splitting occurs for the antiparallel alignment. Theoretical results are discussed in view of available experimental data.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 104, 2; 165-177
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Charge and Spin Transport in a Metal-Semiconductor Heterostructure with Double Schottky Barriers
    Autorzy:
    Wolski, S.
    Jasiukiewicz, C.
    Dugaev, V.
    Barnaś, J.
    Slobodskyy, T.
    Hansen, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1386690.pdf
    Data publikacji:
    2015-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.30.+y
    73.40.-c
    75.76.+j
    Opis:
    Taking into account the available experimental results, we model the electronic properties and current-voltage characteristics of a ferromagnet-semiconductor junction. The Fe/GaAs interface is considered as a Fe/(i-GaAs)/n⁺-GaAs/n-GaAs multilayer structure with the Schottky barrier. We also calculate numerically the current-voltage characteristics of a double-Schottky-barrier structure Fe/GaAs/Fe, which are in agreement with available experimental data. For this structure, we have estimated the spin current in the GaAs layer, which characterizes spin injection from the ferromagnet to the semiconductor.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 127, 2; 472-474
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies