Anomalous Hall Effect in IV-VI Semiconductors

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Anomalous Hall Effect in IV-VI Semiconductors
Autorzy:: Dyrdał, A.
Dugaev, V.
Barnaś, J.
Brodowska, B.
Dobrowolski, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1810533.pdf
Data publikacji:: 2009-01
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.20.-i
75.50.Pp
72.25.Dc
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 1; 287-289
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

We consider theoretically the topological contribution to the anomalous Hall effect in narrow-gap IV-VI magnetic semiconductors in which the relativistic terms are relatively large and determine both the non-parabolicity of the energy spectrum and strong spin-orbit interaction. We use the relativistic Dirac model and linear response theory to calculate this contribution. Experimental data on the anomalous Hall effect in these compounds are also presented and discussed.

Informacja

Powiązane pozycje