Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Werner, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Ion implantation followed by laser/pulsed plasma/ion beam annealing : a new approach to fabrication of superconducting MgB2 thin films
    Autorzy:
    Piekoszewski, J.
    Werner, Z.
    Barlak, M.
    Kolitsch, A.
    Szymczyk, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/146817.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
    Tematy:
    MgB2
    superconducting films
    pulsed plasma annealing
    Opis:
    The paper presents a new approach to formation of superconducting MgB2 thin films: ion implantation followed by annealing in an unconventional second step treatment using pulsed laser, plasma, or ion beams. Merits and drawbacks of individual approaches are discussed.
    Źródło:
    Nukleonika; 2008, 53, 1; 7-10
    0029-5922
    1508-5791
    Pojawia się w:
    Nukleonika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Channeling Study of Co and Mn Implanted and Thermally Annealed Wide Band-Gap Semiconducting Compounds
    Autorzy:
    Ratajczak, R.
    Werner, Z.
    Barlak, M.
    Pochrybniak, C.
    Stonert, A.
    Zhao, Q.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402209.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.43.-j
    61.72.-y
    81.05.-t
    82.80.-d
    85.40.-e
    Opis:
    The defect build-up, structure recovery and lattice location of transition metals in ion bombarded and thermally annealed ZnO and GaN single crystals were studied by channeled Rutherford backscattering spectrometry and channeled particle-induced X-ray emission measurements using 1.57 MeV ⁴He ions. Ion implantation to a fluence of 1.2×10¹⁶ ions/cm² was performed using 120 keV Co and 120 keV Mn ions. Thermal annealing was performed at 800°C in argon flow. Damage distributions were determined using the Monte Carlo McChasy simulation code. The simulations of channeled Rutherford backscattering spectra reveal that the ion implantation leads to formation of two types of defect structures in ZnO and GaN such as point and extended defects, such as dislocations. The concentrations of both types of defects are at a comparable level in both structures and for both implanted ions. Differences between both implantations appear after thermal annealing where the Mn-doped ZnO reveals much better transition metals substitution and recovery effect.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 845-848
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Implanted manganese redistribution in Si after He+ irradiation and hydrogen pulse plasma treatment
    Autorzy:
    Werner, Z.
    Pochrybniak, C.
    Barlak, M.
    Piekoszewski, J.
    Korman, A.
    Heller, R.
    Szymczyk, W.
    Bocheńska, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/147018.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
    Tematy:
    dilute magnetic semiconductors (DMS)
    Mn-implanted Si
    ion beam induced epitaxial crystallization
    Opis:
    Si-Mn alloy with a Mn content of a few percent is potentially a candidate for room temperature (RT) dilute magnetic semiconductor (DMS). However, the present methods of material manufacture suffer from problems with poor Mn solubility and thermodynamical limitations. We study a non-equilibrium method in which silicon is first implanted with 160 keV manganese ions to a dose of 1 × 1016 ions/cm2 and next either irradiated with 1.5 MeV 4He+ ions from the Warsaw Van de Graaff accelerator at 400°C or treated with high-energy hydrogen plasma pulses. Conclusion from Rutherford backscattering spectrometry (RBS) examination of the samples is that both approaches lead to recovery of crystalline surface layer with manganese occupying off-substitutional sites. The potential development of the method is discussed.
    Źródło:
    Nukleonika; 2011, 56, 1; 5-8
    0029-5922
    1508-5791
    Pojawia się w:
    Nukleonika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High - temperature oxidation resistance in yttrium implanted stainless steel
    Autorzy:
    Barlak, M.
    Piekoszewski, J.
    Werner, Z.
    Sartowska, B.
    Waliś, L.
    Starosta, W.
    Kierzek, J.
    Kowalska, E.
    Wilhelm, R. A.
    Pochrybniak, C.
    Woźnica, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/146785.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
    Tematy:
    high-temperature oxidation resistance
    ion implantation
    yttrium
    Opis:
    Austenitic AISI 304, 316L and ferritic 430 stainless steels were implanted with yttrium to fluences ranging between 1 x 1015 and 5 x 1017 ions/cm2. The samples were subjected to oxidation in air at a temperature of 1000 centigrade for a period of 100 h and next examined by stereoscopic optical microscopy (OM), scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive X-ray spectrometry (EDX) and Rutherford back scattering spectrometry (RBS). The results obtained with the use of ion implantation are discussed.
    Źródło:
    Nukleonika; 2012, 57, 4; 473-476
    0029-5922
    1508-5791
    Pojawia się w:
    Nukleonika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies