Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Bala, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-6 z 6
Tytuł:
Dependence of Exciton Linewidth on the Composition of Zn$\text{}_{x}$Mg$\text{}_{1-x}$Se Layers Grown by MBE
Autorzy:
Bała, W.
Głowacki, G.
Gapiński, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933707.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Εt
78.20.Ci
78.66.Hf
Opis:
This work deals with the study of the photoluminescence and reflectivity properties of Zn$\text{}_{x}$Mg$\text{}_{1-x}$Se epilayers grown by molecular beam epitaxy on (001)GaAs and (111)ZnTe substrates. The photoluminescence spectra of Zn$\text{}_{x}$Mg$\text{}_{1-x}$Se layers grown on GaAs and ZnTe substrates are dominated by blue emission bands. The energetical positions and relative intensities of the bands depend on Mg contents in the epilayers. The shift of the maxima of blue emission toward higher photon energies and a simultaneous steep increase in the linewidth with an increase in Mg concentration are observed. A small amount of Mg added to ZnSe leads to a sharp increase in the linewidth from 2 meV in pure ZnSe layer grown on GaAs substrate to about 180 meV in Zn$\text{}_{0.78}$Μg$\text{}_{0.22}$Se.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 667-670
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Luminescence of Zn$\text{}_{x}$Mg$\text{}_{1-x}$Se Layers Obtained by Thermal Diffusion of Mg into ZnSe and Zn$\text{}_{x}$Mg$\text{}_{1-x}$Se Epilayers Grown by Molecular Beam Epitaxy
Autorzy:
Bała, W.
Firszt, F.
Głowacki, G.
Gapiński, A.
Dzik, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931931.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Et
78.20.Ci
78.66.Hf
Opis:
This work deals with the study of photoluminescence properties of Zn$\text{}_{x}$Mg$\text{}_{1-x}$Se epilayers grown by molecular beam epitaxy on (001) GaAs and (111) ZnTe substrates and Zn$\text{}_{x}$Mg$\text{}_{1-x}$Se layers obtained by thermal diffusion of Mg into ZnSe single crystals. Luminescence spectra of Zn$\text{}_{x}$Mg$\text{}_{1-x}$Se layers are dominated by blue and violet emission bands with maxima positioned in the range of photon energies: 3.05-3.28 eV, 2.88-3.04 eV, 2.81 eV and 2.705 eV, depending on preparation conditions. In some samples the blue luminescence is observed up to room temperature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 161-164
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical Properties of Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se Epilayers Studied by Spectroscopy Methods
Autorzy:
Głowacki, G.
Gapiński, A.
Derkowska, B.
Bała, W.
Sahraoui, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969076.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.-w
78.20.Jq
78.66.Hf
Opis:
Linear optical properties of the Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se (0 ≤ x ≤ 0.4) alloys have been studied using reflectance, spectroscopic ellipsometry and photoluminescence measurements. The refractive indices of Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se epilayers were investigated as a function of Mg composition (0 ≤ x ≤ 0.4). The energies of band gap E$\text{}_{g}$ and spin-orbit splitting E$\text{}_{g}$+Δ, have been determined. These energies are shifted gradually to higher values with increasing Mg content.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 321-325
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Raman Analysis of Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se Layers Grown on GaAs and ZnTe Substrates
Autorzy:
Renucci, M. A.
Frandon, J.
Głowacki, G.
Gapiński, A.
Rozpłoch, F.
Bała, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952686.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.-j
Opis:
A study of the Raman scattering in Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se (0 ≤ x ≤ 0.4) epilayers grown by molecular beam epitaxy on (100) GaAs and (111)$\text{}_{Zn}$ ZnTe substrates has been performed. Two kinds of longitudinal optical phonon modes (LO$\text{}_{Zn-Se}$ and LO$\text{}_{Mg-Se}$) were observed under excitation of the Ar$\text{}^{+}$ and Kr$\text{}^{+}$ laser lines at room temperature, whose frequencies and intensities depend characteristically on the Mg content.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1065-1069
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Visible Luminescence from Porous Silicon
Autorzy:
Bała, W.
Firszt, F.
Nossarzewska-Orłowska, E.
Brzozowski, A.
Orłowski, B. A.
Kowalski, B. J.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929748.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.-w
Opis:
This paper presents results of investigation of the temperature dependence of visible luminescence in porous silicon layers prepared by anodization in hydrofluoric acid. Luminescence spectra were measured in the temperature range between 40 K and 350 K. Room temperature reflectivity spectra were also measured in vacuum ultraviolet radiation range from 4 eV to 12 eV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 761-764
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoluminescence, Reflectivity and Raman Investigations of Nanocrystallites in Luminescent Porous Silicon
Autorzy:
Bała, W.
Głowacki, G.
Łukasiak, Z.
Drozdowski, M.
Kozielski, M.
Nossarzewska-Orłowska, E.
Brzozowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1876076.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Hv
78.66.-w
Opis:
Raman scattering, reflectivity and photoluminescence measurements of the porous silicon layers prepared on (001) p/p$\text{}^{+}$ silicon epitaxial wafers by anodization method are presented. We have studied dependence of the frequency shift and halfwidth of LO mode in Raman spectra and shift of the luminescence peak in photoluminescence spectra vs. anodization conditions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 445-448
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-6 z 6

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies