Autor: Domagała, J. Z. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Anisotropic Lattice Misfit Relaxation in AlGaAs Semi-Bulk Layers Grown on GaAs Substrates by Liquid Phase Electroepitaxy
Autorzy:: Żytkiewicz, Z. R.
Domagała, J.
Bąk-Misiuk, J.
Dobosz, D.
Leszczyński, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968459.pdf
Data publikacji:: 1997-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.60.Bs
68.55.Ln
Opis:: Experimental evidence for unidirectional microcracking in semi-bulk AlGaAs layers grown on (001) GaAs substrates is presented. The asymmetrical microcracking leads to anisotropic lattice misfit relaxation in the AlGaAs/GaAs structure and is explained in terms of higher mobility of [-110]-oriented α-type dislocations than that of β-type dislocations oriented in [110] direction.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1092-1096
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: PVT-Grown Single Crystals of Cd$\text{}_{1-x}$Zn$\text{}_{x}$Te (x ≤ 0.25) and ZnTe as Substrates for Epitaxy
Autorzy:: Mycielski, A.
Szadkowski, A.
Łusakowska, E.
Kowalczyk, L.
Domagała, J.
Bąk-Misiuk, J.
Wilamowski, Z.
Witkowska, B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1991957.pdf
Data publikacji:: 1998-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.05.Dz
81.10.Bk
Opis:: The process of growth of single crystals of Cd$\text{}_{1-x}$Zn$\text{}_{x}$Te (x ≤ 0.25) and ZnTe by physical vapour transport has been optimized and the twin-free single crystals with a very good crystal structure and low density of dislocations are grown as substrates for MBE and other techniques of epitaxy. Characterization of the crystals is described.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 441-445
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Effect of Doping on Ga$\text{}_{1-x}$Al$\text{}_{x}$As Structural Properties
Autorzy:: Bąk-Misiuk, J.
Domagała, J.
Paszkowicz, W.
Trela, J.
Żytkiewicz, Z. R.
Leszczyński, M.
Regiński, K.
Muszalski, J.
Härtwig, J.
Ohler, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1964092.pdf
Data publikacji:: 1997-05
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.05.Ea
81.40.-z
68.55.Ln
61.10.Nz
Opis:: The microstructure of Ga$\text{}_{1-x}$Al$\text{}_{x}$As layers was studied using methods of high resolution diffractometry and topography. Mapping out the reciprocal space in the vicinity of 004 reciprocal lattice points shows a difference in diffuse scattering between doped and undoped layers. This result is attributed to a difference in a point-defect density. From the measurements of lattice parameters at different temperature it was found that the thermal expansion coefficients for the doped layers are higher than for the undoped ones. This phenomenon is attributed to the change of the anharmonic part of lattice vibrations by free electrons or/and point defects.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 911-915
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja