Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Klinger, D." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Nanostructure of Si-Ge Near-Surface Layers Produced by Ion Implantation and Laser Annealing
Autorzy:
Klinger, D.
Kret, S.
Auleytner, J.
Żymierska, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035498.pdf
Data publikacji:
2002-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Cc
61.72.Ff
61.72.Ji
61.72.Nn
61.80.Ba
Opis:
An annealing with the nanosecond laser light pulse is applied for crystal lattice reconstruction of a disturbed near-surface layer, which was created in semiconductor material as a result of the implantation process. Radiation with energy density higher than the threshold value causes the melting of the surface layer and then the epitaxial recrystallization from the melt on a different substrate. Structural changes occurring in the Ge implanted Si crystals after annealing with different energy densities are investigated by means of the cross-section high-resolution transmission electron microscopy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 2; 259-264
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structure Changes in Cz-Si Single Crystals Irradiated with Fast Oxygen and Neon Ions
Autorzy:
Datsenko, L.
Żymierska, D.
Auleytner, J.
Klinger, D.
Machulin, V.
Klad'ko, V.
Melnik, V.
Prokopenko, I.
Czosnyka, T.
Choiński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2011007.pdf
Data publikacji:
1999-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.80.Jh
61.10.-i
61.72.-y
Opis:
The research of the surface and the near-surface region of Cz-Si wafers irradiated with fast oxygen and neon ions of energy 4 MeV/u and dose 10$\text{}^{14}$ particles/cm$\text{}^{2}$ is presented. In our study several methods based on the Bragg case of X-ray diffraction using Ag K_{α$\text{}_{1}}$, as well as reflection high-energy electron diffraction and Nomarsky optical microscopy were used. It was shown that implantation with fast neon ions causes larger disturbances of silicon crystal structure than irradiation with oxygen ions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1999, 96, 1; 137-142
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies