Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Zaytseva, I." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Impact of Strain on the Superconducting Properties of Strongly Underdoped $La_{2-x}Sr_xCuO_4$ Thin Films
Autorzy:
Zaytseva, I.
Cieplak, M.
Paszkowicz, W.
Abal'oshev, A.
Berkowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1431516.pdf
Data publikacji:
2012-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.25.F-
74.62.En
74.78.-w
Opis:
Using pulsed laser deposition we have grown films of $La_{2-x}Sr_xCuO_4$ with x in close vicinity of the superconductor-insulator transition, x=0.051 and x=0.048, on $SrLaAlO_4$ substrates, and of different thickness d (from 25 nm to 250 nm). The X-ray diffraction shows that for each d the films grow with variable degree of compressive in-plane strain, with the largest strain achieved in thinnest films. The resistivity measurements show strong enhancement of superconductivity with increasing strain, so that the onset of superconductivity at temperature as high as 27 K is observed. With increasing strain the character of resistivity changes from the insulating to metallic.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 858-865
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Microstructure of the Pulsed Laser Deposited LaSrCuO Films
Autorzy:
Cieplak, M. Z.
Abal'oshev, A.
Zaytseva, I.
Berkowski, M.
Guha, S.
Wu, Q.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046751.pdf
Data publikacji:
2006-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.-a
68.55.Jk
68.37.Ps
Opis:
The X-ray diffraction and atomic force microscopy are used to examine the microstructure of La$\text{}_{1.85}$Sr$\text{}_{0.15}$CuO$\text{}_{4}$ films grown by pulsed laser deposition on LaSrAlO$\text{}_{4}$ substrates. The films grow with different degrees of built-in strain, ranging from a large compressive to a large tensile in-plain strain. The tensile strain cannot be attributed to a substrate-related strain. The possible origins of the tensile strain are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 109, 4-5; 573-576
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Strain Relaxation in Thin Films of La$\text{}_{1.85}$Sr$\text{}_{0.15}$CuO$\text{}_{4}$ Grown by Pulsed Laser Deposition
Autorzy:
Zaytseva, I.
Cieplak, M. Z.
Abal'oshev, A.
Berkowski, M.
Domukhovski, V.
Paszkowicz, W.
Shalimov, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047252.pdf
Data publikacji:
2007-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.-a
74.62.-c
74.72.Dn
74.78.Bz
74.25.Fy
Opis:
X-ray diffraction, resistivity, and susceptibility measurements are used to examine the effects of film thickness d (from 17 to 250 nm) on the structural and superconducting properties of La$\text{}_{1.85}$Sr$\text{}_{0.15}$CuO$\text{}_{4}$ films grown by pulsed laser deposition on SrLaAlO$\text{}_{4}$ substrates. For each d the film sgrow with a variable strain, ranging from a large compressive strain in the thinnest films to a negligible or tensile strain in thick films. Our results indicate that the tensile strain is not caused by the off-stoichiometric layer at the substrate-film interface. Instead, it may be caused by the extreme oxygen deficiency in some of the films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 111, 1; 185-188
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetoresistance of Si/Nb/Si Trilayers
Autorzy:
Zaytseva, I.
Cieplak, M.
Abal'oshev, A.
Dluzewski, P.
Grabecki, G.
Plesiewicz, W.
Zhu, L.
Chien, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1537220.pdf
Data publikacji:
2010-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.62.-c
74.25.F-
74.25.Ha
74.62.En
Opis:
We study the superconductor-insulator transition in Si/Nb/Si trilayers, in which the thickness of Si is fixed at 10 nm, and the nominal thickness of Nb changes in the range between d = 20 nm down to d = 0.3 nm. The transmission electron microscopy indicates the formation of the mixed Nb-Si layer for small d. Both the thickness-induced, and the magnetic-field induced superconductor-insulator transition is observed. The crossing point of the isotherms at the critical field $B_{c}$ decreases with decreasing d, and it is T-independent at temperatures below 300 mK. At larger fields the weak peak in magnetoresistance appears in some of the films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 2; 406-408
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies