Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Strain Relaxation in Thin Films of La$\text{}_{1.85}$Sr$\text{}_{0.15}$CuO$\text{}_{4}$ Grown by Pulsed Laser Deposition

Tytuł:
Strain Relaxation in Thin Films of La$\text{}_{1.85}$Sr$\text{}_{0.15}$CuO$\text{}_{4}$ Grown by Pulsed Laser Deposition
Autorzy:
Zaytseva, I.
Cieplak, M. Z.
Abal'oshev, A.
Berkowski, M.
Domukhovski, V.
Paszkowicz, W.
Shalimov, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047252.pdf
Data publikacji:
2007-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.-a
74.62.-c
74.72.Dn
74.78.Bz
74.25.Fy
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 111, 1; 185-188
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
X-ray diffraction, resistivity, and susceptibility measurements are used to examine the effects of film thickness d (from 17 to 250 nm) on the structural and superconducting properties of La$\text{}_{1.85}$Sr$\text{}_{0.15}$CuO$\text{}_{4}$ films grown by pulsed laser deposition on SrLaAlO$\text{}_{4}$ substrates. For each d the film sgrow with a variable strain, ranging from a large compressive strain in the thinnest films to a negligible or tensile strain in thick films. Our results indicate that the tensile strain is not caused by the off-stoichiometric layer at the substrate-film interface. Instead, it may be caused by the extreme oxygen deficiency in some of the films.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies