Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "IGBT transistor" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Wpływ napięcia zasilania tranzystora IGBT na otrzymany sygnał emisji akustycznej
The influence of the voltage of the IGBT power supply on the acoustic emission signal received
Autorzy:
Dreas, A.
Gordon, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/107804.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
półprzewodniki
tranzystory IGBT
Emisja Akustyczna
semiconductor
IGBT Transistor
Acoustic Emission
Opis:
W niniejszym artykule przedstawiono serię pomiarów i poszukiwanie metody wykrywania uszkodzeń za pomocą przetwarzania sygnałów emisji akustycznej. Sygnał z czujnika obserwowano i przetwarzano za pomocą oscyloskopu i poddano obróbce cyfrowej. Celem była obserwacja wyjściowego sygnału przy zmianie napięcia zasilania, aby oszacować jego wpływ na sygnał z czujnika.
This paper shows series of measurements and a search for method of signal processing. Sensor signal was obtained with oscilloscope in order to further process it digitally. The change of power supply voltage was also measured to estimated its influence on sensor signal.
Źródło:
Badania Nieniszczące i Diagnostyka; 2018, 4; 62-64
2451-4462
2543-7755
Pojawia się w:
Badania Nieniszczące i Diagnostyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Preludium do wysokonapięciowych półprzewodników z szerokim pasmem zabronionym. Tranzystory IGBT nowej generacji – niskie poziomy indukcyjności, małe straty i miękkie przełączanie
Autorzy:
White, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/304640.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Wydawnictwo Druk-Art
Tematy:
tranzystory
półprzewodnik
urządzenie energoelektroniczne
semiconductor
transistor
power electronics
Opis:
HITACHI, dostrzegając aktualne potrzeby rynku, wprowadza tranzystory IGBT nowej generacji w obudowie nHPD2 o niższych stratach mocy, niższej indukcyjności oraz wartościach EMI, torując jednocześnie drogę dla technologii półprzewodników WBG.
Źródło:
Napędy i Sterowanie; 2017, 19, 1; 32-35
1507-7764
Pojawia się w:
Napędy i Sterowanie
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies