Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "doping" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Amelioration of Ultrasonic Transducer to Study CuO Doped Thin Films
    Autorzy:
    Barakat, M. A. Y.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/176534.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    ultrasonic
    thin films
    doping
    microstructure
    wedge
    Opis:
    Ultrasonic pulse echo technique was used to study cupric oxide (CuO) thin films. CuO thin films were prepared using sol gel technique. They were doped with Lithium (Li) (1%, 2% and 4%). Thin films’ thickness (d) and band gap energy (Eg) were measured. In addition, elastic moduli (longitudinal (L), shear (G), bulk (K) and Young’s (E)) and Poisson’s ratio (v) were determined to estimate the microstructure properties of the prepared films. The study ameliorated the used transducers to overcome their dead zone and beam scattering; wedges were developed. The results showed the effectiveness of these wedges. They enhanced transducers’ sensitivity by changing the dead zone, beam diameter, beam directivity and waves’ transmission. Also, the study noted that Li doping caused the improvement of CuO thin films to be more useful in solar cell fabrication. Li-CuO thin films had narrower band gap. Thus, they acquired a high quantum yield for the excited carriers; also they gained more efficiency to absorb solar light.
    Źródło:
    Archives of Acoustics; 2018, 43, 3; 487-495
    0137-5075
    Pojawia się w:
    Archives of Acoustics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Effect of Ho Doping Contents on the Structural, Microstructure and Dielectric Properties of Bi5Ti3FeO15 Aurivillius Ceramics
    Autorzy:
    Tomaszewska, M.
    Dzik, J.
    Wodecka-Duś, B.
    Pikula, T.
    Adamczyk-Habrajska, M.
    Szalbot, D.
    Chocyk, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2049646.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    ceramics
    Bi5Ti3FeO15
    Ho3+ doping
    microstructure
    structure
    dielectric properties
    Opis:
    Aurivillius Bi5-xHoxTi3FeO15 (BHTFO) multiferroic ceramics with different holmium doping contents were synthesized by conventional solid state reaction. The effect of holmium doping on the microstructure, structural and dielectric behaviors of BHTFO ceramics were investigated in details. Microstructure and crystalline structure studies of ceramics were carried out at room temperature while dielectric properties were investigated in a wide range of temperature (T = 25ºC-550ºC) and frequency (20Hz-1MHz).
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2021, 66, 1; 91-96
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Synthesis and Dielectric Properties of Nd Doped Bi5Ti3FeO15 Ceramics
    Autorzy:
    Kocoń, N.
    Dzik, Jolanta
    Szalbot, Diana
    Pikula, Tomasz
    Adamczyk-Habrajska, Małgorzata
    Wodecka-Duś, Beata
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2049659.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    ceramics
    sintering
    Bi5Ti3FeO15
    Nd3+ doping
    microstructure
    dielectric properties
    Opis:
    Aurivillius Bi5Ti3Feo15 (BTF) and Bi5-xNdxTi3Feo15 (BNTF) ceramics were successfully synthesized by a simple solid state reaction method. Ceramics were prepared from simple oxide powders Bi2O3, TiO2, Nd2O3 and Fe2O3. The microstructure, structure, chemical composition and dielectric properties of the obtained materials were examined. Dielectric properties were investigated in a wide range of temperatures (T = 25ºC-550ºC) and frequencies (20Hz-1MHz).
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2021, 66, 2; 359-365
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Potentialities of modification of metal oxide varistor microstructures
    Możliwości modyfikacji mikrostruktury warystorów tlenkowych
    Autorzy:
    Mielcarek, W.
    Prociow, K.
    Warycha, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192094.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    warystor ZnO
    mikrostruktura
    ceramika półprzewodnikowa
    domieszkowanie
    Bi2O3
    ZnO varistor
    microstructure
    semiconducting ceramic
    doping
    Opis:
    The electrical properties of varistors, similarly like posistors and other devices made of semiconducting ceramic, are controlled by grain boundaries. In varistor conductivity the main role play potential barriers which arise at grain boundaries during varistor sintering. The I-V behavior of varistor ceramic is such that during conduction the varistor voltage remains relatively constant while a current changes are of several orders of magnitude. Varistor is produced by sintering a mixture of ZnO with a small addition of Bi2O3 and other metal oxides. Varistor microstructure composes of ZnO grains. Each ZnO grain acts as it has a semiconducting junction at the grain boundary. The non-linear electrical behavior occurs at the boundary of each ZnO grain. The junctions between grains are separated by an intergranular phase. The best varistor performance is attained when the Bi-rich intergranular layer is of nanometer size. When the intergranular phase is in a shape of agglomerates embedding Bi2O3 crystal phases and spinel grains it forms areas excluded from conduction. The problem has been studied with emphasis on determining the relation between ZnO dopants and microstructure evolution. It was established that the vulnerability of varistor ceramic for formation of agglomerates depend on the composition of additive oxides. With SrO, MnO and PbO varistor ceramic is more susceptible for formation of agglomerates, while Co2O3, Sb2O3 and SnO2 facilitates the homogenous distribution of additives in varistor body. Elimination of an electrically inactive areas from varistor body would enable the decrease of the amount of additives (e.g. the amount of Bi2O3 would decrease from 1 mol % to 0.2 mol %) and bring about the diminishment of the cost of varistor processing along with improvement of varistor performance.
    Własności elektryczne warystorów, podobnie jak pozystorów i innych wyrobów z ceramiki półprzewodnikowej, są kontrolowane przez ukształtowanie granicy ziaren. Ceramika warystorowa ZnO swoje niewłaściwości elektryczne zawdzięcza domieszce małej ilości innych tlenków metali. Mikrostruktura warystora rozwija się podczas spiekania. Głównym elementem mikrostruktury warystora są ziarna ZnO odseparowane od siebie cienką , bogatą w bizmut, warstwą międzyziarnową. Najlepsze własności elektryczne warystor wykazuje wtedy, kiedy warstwa ta jest możliwie cienka. Jeżeli warstwa ta jest w formie aglomeratów, a w dodatku zawiera w sobie wykrystalizowany Bi2O3 lub krystality innych związków to tworzy obszar wykluczony z przewodnictwa. W warystorze o takiej strukturze w czasie przepływu prądu dochodzi do miejscowych przegrzań i zakłóceń w działaniu. W pracy udowodniono doświadczalnie, że spiekając wstępnie tlenek bizmutu z tlenkami innych metali można wpływać na kształt warstwy miedzyziarnowej, a więc i na elektryczne własności warystora. Przeprowadzone doświadczenia dowiodły, że jeżeli Bi2O3 przed dodaniem do warystora spieczemy wstępnie z tlenkami Co, Sb lub Sn to tak zmodyfikowany tlenek bizmutu sprzyja równomiernemu rozprowadzeniu domieszek w warystorze przyczyniając się do eliminacji ze struktury warystora obszarów nieaktywnych elektrycznie. Natomiast wstępne modyfikowanie tlenku bizmutu tlenkami tzw. szkłotwórczymi jak PbO, SrO i MnO nie przynosi podobnego efektu.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 1, 1; 86-98
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Synthesis, microstructure and the crystalline structure of the barium titanate ceramics doped with lanthanum
    Synteza, mikrostruktura i struktura krystaliczna ceramicznego tytanianu baru domieszkowanego lantanem
    Autorzy:
    Wodecka-Duś, B.
    Plońska, M.
    Czekaj, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/355838.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    Ba1-xLaxTi1-x/4O3 ceramics
    La3+ doping
    microstructure
    perovskites
    ceramika Ba1-xLaxTi1-x/4O3
    ceramika BLT
    stężenie La3+
    mikrostruktura
    perowskity
    Opis:
    In the present study BaTiO3 and Ba1-xLaxTiO3 (0.1-0.4mol.% La) ceramic powders were synthesized by the conventional mixed oxide method (MOM). The characterization of the ceramic powders was carried out using a simultaneous thermal analysis (STA), with a combined DTA/TG/DTG system (Netzsch STA409). The results of thermal analysis allowed to determine the optimal temperature of synthesis. Microstructure was investigated by scanning electron microscopy (SEM), crystalline structure was studied by X-ray diffraction method (XRD). The EDS investigations showed that samples exhibited conservation of stoichiometry according to the chemical composition formula. The X-ray diffraction analysis confirmed formation of the desired crystalline structure both pure and La3+-doped BaTiO3 ceramics exhibiting a perovskite-type structure ABO3 with tetragonal symmetry P4 mm.
    W prezentowanej pracy przeprowadzono badania ceramiki BaTiO3 and Ba1-xLaxTiO3 (BLT) dla koncentracji z prze- działu 0,001< x <0,004 (0,l-0,4mol.% La). Ceramikę BLT wytworzono z mieszaniny prostych tlenków La2O3, TiO2 i BaCO3 (wszystkie o czystości 99,9+%, Aldrich Chemical Co.) Proszki ceramiczne otrzymano metodą konwencjonalną w stanie stałym (metodą MOM) i poddano badaniu mikrostruktury i struktury krystalicznej. Mieszaniny proszków poddano analizie termicznej. Wyniki analizy termicznej określiły optymalną temperaturę syntezy oraz procesy zachodzące podczas ogrzewania proszków. Następnie proszki formowano w dyski pod ciśnieniem 300MPa w matrycach ze stali nierdzewnej o średnicy 10 mm. Syntezę przeprowadzono w Ts =950°C t =2 godz. Ostatnim krokiem technologii było bezciśnieniowe spiekanie metodą swobodnego spiekania w T = 1350°C przez t =2 godziny. Morfologię otrzymanego materiału ceramicznego obserwowano metodą skaningowej mikroskopii elektronowej. Ceramikę BLT badano również pod względem składu chemicznego metodą EDS. Analizę strukturalną przeprowadzono metodą dyfrakcji rentgenowskiej. Badania mikrostruktury i struktury krystalicznej ceramiki przeprowadzono w temperaturze pokojowej. Badania EDS potwierdziły zachowanie stechiometrii otrzymanych próbek według wzoru chemicznego. Rentgenowska analiza dyfrakcyjna potwierdziły wytworzenie pożądanej struktury krystalicznej zarówno czystej ceramiki BaTiO3 jak i z domieszką La3+. Otrzymana ceramika wykazuje strukturę typu perowskitu ABO3 o symetrii tetragonalnej P4 mm. Stwierdzono, że wraz ze wzrostem stężenia La3+ w BaTiO3 następuje zmniejszenie wielkości ziarn krystalicznych, zmniejszenie średniego wymiaru krystalitów, zmniejszenie objętości komórki elementarnej oraz wzrost obliczonej rentgenowskiej gęstości.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 4; 1305-1308
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies