Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Thin Film" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Characterization of ZnO:Al layers for applications in thin film solar cells
    Autorzy:
    Zdyb, A.
    Krawczak, E.
    Lichograj, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/173619.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    transparent conductive oxide
    magnetron sputtering
    thin film solar cell
    Opis:
    Thin films of zinc oxide doped with aluminium were obtained by using the magnetron sputtering technique on glass substrates. The changes in magnetron power influence the structural, optical and electrical properties of the ZnO:Al layers. The deposited films are characterized by very good homogeneity and high optical transmission. Thicker films with larger agglomerates on the surface exhibit lower resistivity with the remaining good transparency.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2016, 46, 2; 181-185
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical and electrical properties of (Ti-V)Ox thin film as n-type Transparent Oxide Semiconductor
    Autorzy:
    Mazur, M.
    Domaradzki, J.
    Wojcieszak, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/201406.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    Transparent Oxide Semiconductor
    Transparent Electronics
    (Ti-V)Ox thin film
    magnetron sputtering
    optical and electrical properties
    Opis:
    In this paper, the influence of vanadium doping on optical and electrical properties of titanium dioxide thin films has been discussed. The (Ti-V)Ox thin films was deposited on silicon and Corning glass substrates using high energy reactive magnetron sputtering process. Measurements performed with the aid of x-ray diffraction revealed, that deposited thin film was composed of nanocrystalline mixture of TiO2-anatase, V2O3 and β-V2O5 phases. The amount of vanadium in the thin film, estimated on the basis of energy dispersive spectroscopy measurement, was equal to 3 at. %. Optical properties were evaluated based on transmission and reflection measurements. (Ti-V)Ox thin film was well transparent and the absorption edge was shifted by only 11 nm towards longer wavelengths in comparison to undoped TiO2. Electrical measurements revealed, that investigated thin film was transparent oxide semiconductors with n-type electrical conduction and resistivity of about 2.7 · 105 Ωcm at room temperature. Additionally, measured I-V characteristics of TOS-Si heterostructure were nonlinear and asymmetrical.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2014, 62, 3; 583-594
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Multisource, magnetron deposited Al-Cu-Fe thin film coatings - the structure and properties
    Struktura i właściwości cienkich warstw międzymetalicznych Al-Cu-Fe nanoszonych metodą wieloźródłowego rozpylania magnetronowego
    Autorzy:
    Gulbiński, W.
    Warcholiński, B.
    Suszko, T.
    Kazimierowicz, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/256731.pdf
    Data publikacji:
    2006
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Eksploatacji - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    rozpylanie magnetronowe
    cienka warstwa
    faza międzymetaliczna
    układ Al-Cu-Fe
    właściwości tribologiczne
    magnetron sputtering
    thin film
    intermetallic phase
    Al-Cu-Fe system
    tribological properties
    Opis:
    Thin films of Al-Cu-Fe type have been deposited by means of multisource, DC magnetron sputtering from elemental, metallic targets. The composition of films, studied by the EDS method, has been chosen which is close to the one corresponding to the icosahedral quasicrystalline phase [psi]-Al(62.5)Cu(25.0)Fe(12.5) X-ray diffraction studies of films deposited at 400°C on steel substrates revealed that the cubic [beta]-Al(Cu,Fe) phase is a dominant one. SEM and TEM techniques have been used for the surface and cross section characterisation of deposits. Prolonged post annealing of these coatings led to inter-diffusion of components between the steel substrate and the coating. It leads to the change of the phase composition of the coating and the iron-rich monoclinic [lambda]-Al3Fe1-xCux phase emerges in the film. The preliminary studies of microhardness and tribological behaviour show that the film microhardness reaches a local maximum of about 8.5 GPa for the chemical composition close to the one of the quasicrystalline phase. However, the presence of this phase in studied films has not been proven yet. The friction coefficient values, measured against alumina in ball on disc geometry, oscillate around 0.65 - the value lower than that observed for uncoated 4H13 steel.
    Cienkie warstwy trójskładnikowe Al-Cu-Fe nanoszono metodą stałoprądowego, wieloźródłowego rozpylania magnetronowego z katod metalicznych. Skład warstw, kontrolowany metodą spektroskopii energodyspersyjnej (EDS) był zbliżony do składu quasi-krystalicznej fazy [psi]-Al(62.5)Cu(25.0)Fe(12.5) o symetrii dwudziestościanu. Struktura warstw nanoszonych przy temperaturze podłoża równej 400°C odpowiadała kubicznej fazie [beta]-Al(Cu,Fe). Morfologię powierzchni warstw oraz ich strukturę badano odpowiednio metodami elektronowej mikroskopii skaningowej (SEM) oraz transmisyjnej mikroskopii elektronuzji składniowej (TEM). Długotrwałe wygrzewanie badanych warstw, nanoszonych na stali prowadzi do dyfuzji żelaza w głąb warstwy, co skutkuje pojawieniem się bogatej w żelazo jednoskośnej fazy [lambda]-Al3Fe1-xCux. Wstępne badania mikrotwardości wskazują na szerokie maksimum na poziomie 8,5 GPa dla warstw o składzie zbliżonym do składu fazy quasi-krystalicznej. Obecność wydzieleń tej fazy w badanych warstwach nie została jeszcze jednoznacznie potwierdzona. Współczynnik tarcia, mierzony względem ceramiki alundowej w układzie kula--płaszczyzna, oscyluje wokół wartości 0,65 i jest niższy niż obserwowany dla niepokrytej stali 4H13.
    Źródło:
    Problemy Eksploatacji; 2006, 4; 69-79
    1232-9312
    Pojawia się w:
    Problemy Eksploatacji
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badania nad technologią otrzymywania cienkich warstw emitera metodą rozpylania magnetronowego dla zastosowań w ogniwach CIGS
    Research on the technology of obtaining thin layers of emitter in CIGS photovoltaic cells by using magnetron sputtering process
    Autorzy:
    Pietraszek, J.
    Gułkowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/105005.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza. Oficyna Wydawnicza
    Tematy:
    CIGS
    CdS
    warstwa buforowa
    ogniwa fotowoltaiczne
    kąpiel chemiczna
    CBD
    rozpylanie magnetronowe
    ogniwa cienkowarstwowe
    buffer layer
    photovoltaic cells
    chemical bath deposition
    magnetron sputtering
    thin film cell
    Opis:
    Cienkowarstwowe ogniwa fotowoltaiczne wykonane na bazie struktury CIGS (mieszaniny pierwiastków miedzi, indu, galu oraz selenu) należą do II generacji ogniw fotowoltaicznych. Wykazują one efektywność na poziomie zbliżonym do ogniw I generacji, lecz ze względu na niższe zużycie materiału, coraz częściej wypierają z rynku ogniwa krzemowe Artykuł przedstawia rezultaty badań dotyczących sposobu otrzymywania warstwy buforowej CdS (siarczku kadmu), zastosowanej w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych typu CIGS. Przyjęto dwa rozwiązania technologii nanoszenia: warstwa okna CdS uzyskana metodą rozpylenia magnetronowego oraz warstwa okna CdS uzyskana metodą kąpieli chemicznej (CBD– Chemical Bath Deposition). Struktura ta powinna posiadać odpowiednią wielkość przerwy energetycznej, która pozwali na większą absorpcję fotonów, a także wymaga się, aby była cienka (mniej niż 100 nm) i jednolita. Warstwy CdS zostały nałożone przez osadzanie w kąpieli chemicznej CBD na szklanych podłożach pokrytych Mo/CIGS (naniesione warstwy metodą sputteringu magnetronowego). Uzyskano dzięki temu warstwę emitera o grubości 80 nm po czasie osadzania 35 minut. Dla porównania warstwy CdS zostały nałożone poprzez sputtering magnetronowy na podłożu Mo/CIGS, uzyskanym tą samą metodą. Następnie oba rozwiązania zostały przebadane pod względem morfologii powierzchni na elektronowym mikroskopie skaningowym, jak również przeprowadzono analizy składu pierwiastkowego warstw. Zarówno jedna, jak i druga metoda prowadzi do otrzymania warstwy emitera CdS dla zastosowań w ogniwach CIGS.
    Thin-film photovoltaic cells created based on the structure of CIGS (a mixture of the elements copper, indium, gallium and selenium) belong to the second generation of photovoltaic cells. They show the effectiveness of a level similar to the cells of the first generation, but due to lower material consumption, they increasingly forcing out silicon solar cells. The article presents the results of research of the method for obtaining a CdS buffer layer, used in thin-film CIGS photovoltaic cells. Two technology solutions of application were adopted: layer of CdS window obtained by the magnetron sputtering and layer of CdS obtained by chemical method (CBD- Chemical Bath Deposition). CdS layer has been imposed by the deposition in the chemical bath on glass substrates covered with Mo/CIGS (layers applied by magnetron sputtering). Allowing an emitter layer having a thickness of 80 cm after 35 minutes of deposition time. For comparison, a CdS layer was applied by magnetron sputtering on the substrate Mo/CIGS obtained by the same method. Subsequently, both solutions were examined in the SEM microscope to check the surface morphology, and also to analysis the elemental composition of the layers. Both methods leads to receive CdS emitter layer for use in CIGS cells.
    Źródło:
    Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury; 2017, 64, 1; 173-180
    2300-5130
    2300-8903
    Pojawia się w:
    Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies