Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Zayats, G." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Radiation Degradation of Bipolar Transistor Current Gain
Autorzy:
Miskiewicz, S.
Komarov, A.
Komarov, F.
Zayats, G.
Soroka, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033766.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
radiation
numerical simulation
bipolar transistors
lifetime
minority charge carriers
recombination
current gain
Opis:
Spatial distribution of nonequilibrium minority charge carriers in bipolar transistors before and during the radiation exposure is described. Radiation-induced changes in the input and output characteristics and the current gain under the ⁶⁰Co 1.2 MeV γ -rays were calculated. It was shown that the collector current and current gain steadily fall due to irradiation in the considered range in the dose range 0-7×10⁵ rad. The simulation results correlate well with the experimental data obtained at the Research and Production Corporation "Integral".
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 288-290
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies