Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "gallium" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Thermal Desorption of Argon Implanted into Gallium Arsenide
    Autorzy:
    Turek, Marcin
    Droździel, Andrzej
    Pyszniak, Krzysztof
    Węgierek, Paweł
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2201837.pdf
    Data publikacji:
    2022
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    thermal desorption spectroscopy
    gallium arsenide
    ion implantation
    Opis:
    Thermal desorption of Ar implanted with energies 150 keV and 100 keV with fluence 1×10^16 cm^-2 into GaAs is considered. A sudden release of Ar is observed in temperature range 1100 -1180 K as a single narrow peak in TDS (Thermal Desorption Spectroscopy) spectra. This is accompanied by a strong background signal from atmospheric Ar trapped in various parts of the spectrometer. Desorption peak shift analysis allows estimation of desorption activation energy values - these are 3.6 eV and 2.5 eV for implantation energies 150 keV and 100 keV, respectively. These results are comparable to that measured for Ar implanted into germanium target.
    Źródło:
    Advances in Science and Technology. Research Journal; 2022, 16, 4; 318--326
    2299-8624
    Pojawia się w:
    Advances in Science and Technology. Research Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów SI GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową
    Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the Liquid Encapsulated Czochralski method
    Autorzy:
    Hruban, A.
    Orłowski, W.
    Mirowska, A.
    Strzelecka, S.
    Piersa, M.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Materna, A.
    Dalecki, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192082.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    SI GaAs
    obróbka termiczna
    EPD
    gallium arsenide
    LEC thermal annealing
    Opis:
    Standardowa technologia otrzymywania półizolujących monokryształów SI GaAs składa się z 3 etapów tzn. syntezy, monokrystalizacji i obróbki termicznej, która jest niezbędna dla uzyskania rezystywności ρ ≥ 107 Ohmcm i ruchliwości nośników ładunku μ ≥ 5000 cm2/Vs. Synteza i monokrystalizacja są wykonywane w ramach jednego procesu w wysokociśnieniowym urządzeniu Czochralskiego. Standardowa obróbka termiczna jest procesem osobnym polegającym na wygrzewaniu kryształów w zamkniętych ampułach kwarcowych w atmosferze par As. Proces ten jest pracochłonny, wymaga dodatkowych urządzeń oraz zwiększa koszty. Przedmiotem pracy było uproszczenie technologii wytwarzania monokryształów SI GaAs przez obróbkę cieplną zintegrowaną z procesami syntezy i monokrystalizacji. Przeprowadzono zintegrowane procesy monokrystalizacji i wygrzewania otrzymując monokryształy o średnicach 2" i 3" i ciężarze ~ 3 kg. Własności takich kryształów porównano z monokryształami wytwarzanymi w procesach standardowych. Wykazano, że właściwości fizyczne takie jak: rezystywność, ruchliwość i gęstość dyslokacji nie zależą od sposobu prowadzenia procesu (standardowy, zintegrowany) lecz są tylko funkcją temperatury wygrzewania. Proces zintegrowany upraszcza technologię wytwarzania, a jednocześnie obniża poziom stresów termicznych eliminując pękanie kryształów.
    A standard technological process of manufacturing SI GaAs single crystals consists of 3 steps, namely synthesis, crystal growth and thermal annealing, which are necessary to reach high resistivity (ρ ≥ 107 Ohmcm) and high carrier mobility (μ ≥ 5000 cm2/Vs). Usually both synthesis and crystal growth are realized in one process in a high pressure Czochralski puller. The thermal annealing process is carried out in a sealed quartz ampoule under arsenic (As) vapor pressure. This increases the costs of the process due to a need for the equipment and, in addition, is time consuming. The subject matter of this work was the improvement of the SI GaAs technology by integrating the thermal annealing step with synthesis and crystal growth. The integrated manufacturing processes of SI GaAs crystals with 2" and 3" in diameter and ~ 3000 g in weight were performed. Their physical properties were compared with these of the crystals obtained in a standard process. Preliminary results of this work indicate that it is possible to improve the SI GaAs technology and decrease the manufacturing costs. They also prove that thermal stress in the crystals can be decreased, as a result of which cracks will not appear during the mechanical treatment (cutting, lapping).
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 38-47
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Application of poly-energy implantation with H+ ions for additional energy levels formation in GaAs dedicated to photovoltaic cells
    Autorzy:
    Węgierek, Paweł
    Pietraszek, Justyna
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/141449.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    energy levels
    gallium arsenide
    intermediate band solar cells
    ion implantation
    thermal admittance spectroscopy
    Opis:
    : The aim of this article is to present the results of research aimed at confirmation whether it is possible to form an intermediate band in GaAs implantation with H+ ions. The obtained results were discussed with particular emphasis on possible applications in the photovoltaic industry. As it is commonly known, the idea of intermediate band solar cells reveals considerable potential as the most fundamental principle of the next generation of semiconductors solar cells. In progress of the research, a series of GaAs samples were subjected to poly-energy implantation of H+ ions, followed by high-temperature annealing. Tests were conducted using thermal admittance spectroscopy, under conditions of variable ambient temperature, measuring signal frequency in order to localize deep energy levels, introduced by ion implantation. Activation energy ∆E was determined for additional energy levels resulting from the implantation of H+ ions. The method of determining the activation energy value is shown in Fig. 2 and the values read from it are σ0 = 10−9 (Ω·cm)−1 for 1000/T0 = 3.75 K−1 and σ1 = 1.34 × 10−4 (Ω·cm)−1 for 1000/T1 = 2.0 K−1 . As a result, we obtain ∆E ≈ 0.58 eV. It was possible to identify a single deep level in the sample of GaAs implanted with H+ ions. Subsequently, its location in the band gap was determined by estimating the value of ∆E. However, in order to confirm whether the intermediate band was actually formed, it is necessary to perform further analyses. In particular, it is necessary to implement a new analytical model, which takes into consideration the phenomena associated with the thermally activated mechanisms of carrier transport as it was described in [13]. Moreover, the influence of certain parameters of ion implantation, post-implantation treatment and testing conditions should also be considered.
    Źródło:
    Archives of Electrical Engineering; 2019, 68, 4; 925-931
    1427-4221
    2300-2506
    Pojawia się w:
    Archives of Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
    [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates
    Autorzy:
    Hruban, A.
    Orłowski, W.
    Strzelecka, S.
    Piersa, M.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Mirowska, A.
    Rojek, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192032.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    arsenek galu
    SI GaAs
    metoda Czochralskiego
    LEC
    orientacja
    gallium arsenide
    Czochralski method
    orientation
    Opis:
    Celem pracy było dowiedzenie warunków otrzymywania półizolacyjnych monokryształów arsenku galu (SI-GaAs) o orientacji [310] i średnicy 2” i 3”. Synteza i monokrystalizacja przebiegała pod wysokim ciśnieniem metodą LEC (Liquid Encapsulated Czochralski). Dobrano warunki termiczne i technologiczne pozwalające otrzymywać monokryształy o średnicy 2” i 3” i ciężarze odpowiednio 2000 g i 3000 g. Monokryształy posiadały wysokie parametry elektryczne (ρ, μ) - typowe dla monokryształów półizolacyjnych o wysokim stopniu czystości. Gęstość dyslokacji kryształów [310] była o (0,5 - 1,5) rzędu niższa w porównaniu z kryształami o orientacji [100]. Warstwy epitaksjalne osadzone na podłożach o orientacji [310] wykazały lepszą morfologię powierzchni w porównaniu z osadzonymi na podłożu [100].
    The subject matter of this research work included the synthesis and growth conditions of [310]-oriented SI GaAs (semi-insulating gallium arsenide) crystals 2” or 3” in diameter. High pressure processes were applied for the synthesis and growth of LEC crystals. Thermal conditions and process parameters were determined to obtain single crystals 2” and 3” in dia, 2000 g and 3000 g in weight, respectively. They had high electrical parameters (ρ, μ), characteristic of semi-insulating high purity GaAs. Dislocation density (EPD) of [310]-oriented crystals was (0.5 - 1.5) orders of magnitude lower than in the case of the [100]-orientation. Epitaxial layers grown on [310]-oriented substrates exhibited better surface morphology than those deposited on [100]-oriented substrates.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 18-25
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Damage distributions in GaAs single crystal irradiated with 84Kr (394 MeV), 209Bi (710 MeV) and 238U (1300 MeV) swift ions
    Autorzy:
    Didyk, A. Y.
    Komarov, F. F.
    Vlasukova, L. A.
    Gracheva, E. A.
    Hofman, A.
    Yuvchenko, V. N.
    Wiśniewski, R.
    Wilczyńska, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/146738.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
    Tematy:
    semiconductors
    gallium arsenide
    swift heavy ions
    inelastic energy loss
    atomic force microscopy (AFM)
    Opis:
    We are presenting a study of damage distribution in GaAs irradiated with 84Kr ions of energy EKr = 394 MeV up to the fluence of 5 × 1012 ion/cm-2. The distribution of damage along the projected range of 84Kr ions in GaAs was investigated using selective chemical etching of a single crystal cleaved perpendicularly to the irradiated surface. The damage zone located under the Bragg peak of 84Kr ions was observed. Explanation of the observed effects based on possible processes of channeling of knocked target atoms (Ga and As) is proposed.
    Źródło:
    Nukleonika; 2008, 53, 2; 77-82
    0029-5922
    1508-5791
    Pojawia się w:
    Nukleonika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    First vertical-cavity surface-emitting laser made entirely in Poland
    Autorzy:
    Gębski, Marcin
    Śpiewak, Patrycja
    Kołkowski, Walery
    Pasternak, Iwona
    Głowadzka, Weronika
    Nakwaski, Włodzimierz
    Sarzała, Robert P.
    Wasiak, Michał
    Czyszanowski, Tomasz
    Strupiński, Włodzimierz
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2173617.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    semiconductor laser
    GaAs
    gallium arsenide
    optical communication
    VCSEL
    laser półprzewodnikowy
    arsenek galu
    komunikacja optyczna
    Opis:
    The paper presents the first vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) designed, grown, processed and evaluated entirely in Poland. The lasers emit at »850 nm, which is the most commonly used wavelength for short-reach (<2 km) optical data communication across multiple-mode optical fiber. Our devices present state-of-the-art electrical and optical parameters, e.g. high room-temperature maximum optical powers of over 5 mW, laser emission at heat-sink temperatures up to at least 95°C, low threshold current densities (<10 kA/cm2) and wall-plug efficiencies exceeding 30% VCSELs can also be easily adjusted to reach emission wavelengths of around 780 to 1090 nm.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; art. no. e137272
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    First vertical-cavity surface-emitting laser made entirely in Poland
    Autorzy:
    Gębski, Marcin
    Śpiewak, Patrycja
    Kołkowski, Walery
    Pasternak, Iwona
    Głowadzka, Weronika
    Nakwaski, Włodzimierz
    Sarzała, Robert P.
    Wasiak, Michał
    Czyszanowski, Tomasz
    Strupiński, Włodzimierz
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2090716.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    semiconductor laser
    GaAs
    gallium arsenide
    optical communication
    VCSEL
    laser półprzewodnikowy
    arsenek galu
    komunikacja optyczna
    Opis:
    The paper presents the first vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) designed, grown, processed and evaluated entirely in Poland. The lasers emit at »850 nm, which is the most commonly used wavelength for short-reach (<2 km) optical data communication across multiple-mode optical fiber. Our devices present state-of-the-art electrical and optical parameters, e.g. high room-temperature maximum optical powers of over 5 mW, laser emission at heat-sink temperatures up to at least 95°C, low threshold current densities (<10 kA/cm2) and wall-plug efficiencies exceeding 30% VCSELs can also be easily adjusted to reach emission wavelengths of around 780 to 1090 nm.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; e137272, 1--6
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies